发光器件及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种发光器件及其制作方法、显示装置，发光器件包括：基板，在基板的一侧且远离基板的方向上依次层叠设有功能层和阴极，功能层包括发光层，基板和功能层之间设有透明状态可调的复合阳极，复合阳极在高透状态和低透状态之间可切换。制作方法包括：提供基板；在基板一侧且远离基板的方向上依次层叠形成复合阳极、功能层和阴极，功能层包括发光层；其中，复合阳极的透明状态在高透和低透之间可切换。显示装置包括上述发光器件。本发明专利技术提供的发光器件，通过电控调节可实现复合阳极在高透和低透之间切换，复合阳极通电时处于低透状态可高反射，具有良好的显示效果；复合阳极不接电时处于高透状态，可满足屏下摄像等需求。可满足屏下摄像等需求。可满足屏下摄像等需求。

【技术实现步骤摘要】
发光器件及其制作方法、显示装置


[0001]本专利技术一般涉及显示
，具体涉及一种发光器件及其制作方法、显示装置。

技术介绍

[0002]近年，有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)器件因其自发光、广视角、高对比度以及低功耗等特点逐渐成为显示行业发展主流，而顶发射OLED由于其较大的开口率使其逐渐成为发展重点。
[0003]目前，顶发射OLED中发光器件通常为非透明的，其阳极具有极高的反射率，使得顶发射OLED具有较高的出光效率，如果阳极透过率过高会影响出光效率，降低显示质量。
[0004]但是，在某些情况下需要发光区透明，例如透明电视、屏下摄像等，而目前的透明显示技术一般是针对非像素区进行优化，通过特定的设计使得非像素区透明，同时减少像素区的占比，从而提高显示屏幕整体的透过率，但是减少像素区的占比会明显影响显示质量，如果针对像素区进行透明优化也会明显影响显示质量。

技术实现思路

[0005]鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种发光器件及其制作方法、显示装置。
[0006]第一方面，本专利技术提供一种发光器件，包括：基板，在所述基板的一侧且远离所述基板的方向上依次层叠设有功能层和阴极，所述功能层包括发光层，所述基板和所述功能层之间设有透明状态可调的复合阳极，所述复合阳极在高透状态和低透状态之间可切换。
[0007]优选的，自所述基板至所述功能层的方向，所述复合阳极包括依次层叠设置的人工电磁结构层、中间介质层和透明导电层，所述人工电磁结构层电控可调。
[0008]进一步地，所述人工电磁结构层包括多个阵列分布的人工电磁微单元，所述人工电磁微单元呈中心对称结构；
[0009]所述人工电磁微单元包括电控部件和与所述电控部件相连的偶数个微电路，相邻的所述人工电磁微单元通过所述微电路连接。
[0010]进一步地，所述电控部件呈正十字形，其具有关于中心对称的四个端部，每个所述端部连接一个所述微电路。
[0011]进一步地，每个所述端部平行于所述基板的截面呈T形结构。
[0012]进一步地，所述电控部件的材料包括以下任一：石墨烯、光敏硅、二氧化钒。
[0013]进一步地，所述中间介质层为高折射透明层。
[0014]第二方面，本专利技术提供一种发光器件的制作方法，包括：
[0015]提供基板；
[0016]在基板一侧且远离所述基板的方向上依次层叠形成复合阳极、功能层和阴极，所述功能层包括发光层；其中，
[0017]所述复合阳极的透明状态在高透和低透之间可切换。
[0018]优选的，在所述基板的一侧形成所述复合阳极包括：
[0019]在所述基板的一侧刻蚀形成电控可调的人工电磁结构层；
[0020]在所述人工电磁结构层远离所述基板的一侧涂覆形成中间介质层；
[0021]在所述中间介质层远离所述基板的一侧蒸镀形成透明导电层。
[0022]第三方面，本专利技术提供一种显示装置，包括如上所述的发光器件。
[0023]本专利技术的实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：
[0024]本专利技术实施例提供的发光器件具有复合阳极，通过电控调节可实现复合阳极在高透和低透之间切换，复合阳极通电时处于低透状态可高反射，使得显示装置具有良好的显示效果；复合阳极不接电时处于高透状态，可满足屏下摄像等需求。
附图说明
[0025]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本专利技术的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
[0026]图1为本专利技术实施例提供的发光器件的结构示意图；
[0027]图2为本专利技术实施例提供的复合阳极的结构示意图；
[0028]图3为本专利技术实施例提供的人工电磁结构层的结构示意图；
[0029]图4为本专利技术实施例提供的人工电磁微单元的结构示意图。
具体实施方式
[0030]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与专利技术相关的部分。
[0031]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。
[0032]图1为本专利技术实施例提供的发光器件的结构示意图。
[0033]如图1所示，发光器件包括：基板1，在基板1的一侧且远离基板1的方向上依次层叠设有复合阳极2、功能层和阴极6，功能层包括自靠近基板1至远离基板1的方向上依次层叠设置的空穴传输层3、发光层4和电子传输层5，其中复合阳极2的透明状态在高透状态和低透状态之间可切换；在阴极6远离基板1的一侧还设有封装层7，封装层7包覆位于基板1上的复合阳极2、功能层以及阴极6。图1仅作为发光器件的示意图，并不等同于发光器件的实际构造。
[0034]本实施例提供的发光器件为顶发射OLED，其包含的复合阳极为复合膜层结构，复合阳极在低透状态下具有极高的反射率，使得具有该发光器件的显示装置的发光区具有正常的显示效果；复合阳极在高透状态下，使得具有该发光器件的显示装置的发光区透明，例如可实施屏下摄像等技术。
[0035]该实施例中复合阳极通过外加电压控制其光学特性，可在高透状态和低透状态之间切换，以满足不同使用场合的需求，其在高透状态下的透过率高于90％，在低透状态下透过率低于10％。
[0036]图2为本专利技术实施例提供的复合阳极的结构示意图。
[0037]作为一种可选的实施方式，如图2所示，自基板1至功能层的方向，复合阳极2包括依次层叠设置的人工电磁结构层21、中间介质层22和透明导电层23，其中人工电磁结构层21电控可调，中间介质层22作为气隙谐振腔。人工电磁结构层21接电时发光器件呈上述低透状态，使得复合阳极具有高反射率，相应的显示装置具有良好的显示效果，同时其反射谱具有频率选择特性，对不同波长的光反射率不同，能有效优化出射光谱；人工电磁结构层21不接电时复合阳极呈上述高透状态，因此发光器件呈透明状态，相应的显示装置呈透明状态，能够满足屏下摄像等需求。
[0038]进一步地，如图3和图4所示，人工电磁结构层21包括多个阵列分布的人工电磁微单元211，人工电磁微单元211呈中心对称结构；人工电磁微单元211包括电控部件2111和与电控部件2111相连的偶数个微电路2112，相邻的人工电磁微单元211通过微电路2112连接。
[0039]该实施例中，微电路为微型控制电路，人工电磁为单元包含偶数个微电路，复合阳极2的光学特性能通过电控调节在高透和低透之间切换，具体为电控部件不接电时，复合阳极的透过率较高，反射率和吸收率较低，发光器件呈现为透明状态；电控部件接电时，复合阳极的透过率和吸收率较低，反射率较高，发光器件呈现为非透明状态。人工电磁微单元211在特定波长近场光激发下会产生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光器件，包括：基板，在所述基板的一侧且远离所述基板的方向上依次层叠设有功能层和阴极，所述功能层包括发光层，其特征在于，所述基板和所述功能层之间设有透明状态可调的复合阳极，所述复合阳极在高透状态和低透状态之间可切换。2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，自所述基板至所述功能层的方向，所述复合阳极包括依次层叠设置的人工电磁结构层、中间介质层和透明导电层，所述人工电磁结构层电控可调。3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述人工电磁结构层包括多个阵列分布的人工电磁微单元，所述人工电磁微单元呈中心对称结构；所述人工电磁微单元包括电控部件和与所述电控部件相连的偶数个微电路，相邻的所述人工电磁微单元通过所述微电路连接。4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，所述电控部件呈正十字形，其具有关于中心对称的四个端部，每个所述端部连接一个所述微电路。5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，每...

【专利技术属性】
技术研发人员：何雨濛，汪顺，杨炳伟，郑爽，刘雪龙，樊星，
申请(专利权)人：成都京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：