光掩膜盒及其防尘方法技术

本揭露实施例涉及光掩膜盒及其防尘方法。提供一种光掩膜盒。所述光掩膜盒包含容器及安装到所述容器的流体调节模块。所述流体调节模块包含第一盖、第二盖及密封膜。所述第一盖及所述第二盖彼此连接。在所述第一盖与所述第二盖之间形成流动路径以允许流体行进通过所述流体调节模块。所述密封膜定位于所述第一盖与所述第二盖之间且经配置用于调节行进通过所述流动路径的所述流体的流动。述流动路径的所述流体的流动。述流动路径的所述流体的流动。

【技术实现步骤摘要】
光掩膜盒及其防尘方法


[0001]本揭露实施例涉及光掩膜盒及其防尘方法。

技术介绍

[0002]归因于各种电子组件(例如，晶体管、二极管、电阻器、电容器等)的集成密度的改进，半导体行业已经历快速增长。主要地，集成密度的此改进是来自缩小半导体过程节点(例如，将过程节点缩小到7nm节点)。当半导体装置按比例缩小时，使用新技术来代代维持电子组件的性能。
[0003]为制造极小构件，开发例如极紫外线(EUV)光刻、X射线光刻、离子束投影光刻及电子束投影光刻的光刻技术。光刻技术涉及在衬底上方形成光致抗蚀剂层，根据所要图案将光致抗蚀剂材料的部分暴露到光图案下，使光致抗蚀剂材料显影以移除光致抗蚀剂材料的部分以暴露下层材料的部分。另外，接着，可对衬底执行例如干蚀刻、湿蚀刻及类似物的适合蚀刻过程。因此，可移除经暴露下层材料以产生所要图案。
[0004]尽管已发展对光刻操作的方法的数种改进，但其并未在全部方面完全令人满意。因此，将期望提供改进光刻操作以便改进半导体晶片的产品良率的解决方案。

技术实现思路

[0005]根据本揭露的实施例，一种光掩膜盒包括：容器，其具有内部；及流体调节模块，其安装到所述容器，其中所述流体调节模块具有经配置用于允许流体行进通过所述流体调节模块的开口，且所述流体调节模块包括密封膜；其中当所述流体沿朝向所述容器的所述内部的方向进入所述流体调节模块时，所述密封膜覆盖所述开口以阻止所述流体进入所述容器的所述内部；其中当所述流体沿远离所述容器的所述内部的方向进入所述流体调节模块时，所述密封膜远离所述开口以允许从所述容器的所述内部排放所述流体。
[0006]根据本揭露的实施例，一种光掩膜盒包括：容器；及流体调节模块，其安装到所述容器且包括：第一盖及第二盖，其彼此连接，其中在所述第一盖与所述第二盖之间形成流动路径以允许流体行进通过所述流体调节模块；及密封膜，其定位于所述第一盖与所述第二盖之间且经配置用于调节行进通过所述流动路径的所述流体的流动。
[0007]根据本揭露的实施例，一种方法，其包括：从基座卸离光掩膜盒的上壳体；在所述上壳体从所述基座卸离时，使用处于密封状态的流体调节模块阻止入口气流进入所述上壳体与所述基座之间所述光掩膜盒的内部，其中在所述流体调节模块的所述密封状态中，使用密封膜覆盖所述流体调节模块的开口；将定位于所述基座上的光掩膜移除到过程工具；及使用所述光掩膜在所述过程工具中执行光刻操作。
附图说明
[0008]当结合附图阅读时，从以下实施方式更好理解本揭露的实施例的方面。应注意，根据行业中的标准实践，各种结构不按比例绘制。事实上，为清晰论述，各种结构的尺寸可任
意增加或减小。
[0009]图1是说明根据本揭露的一些实施例的半导体制造系统的示意图。
[0010]图2是根据本揭露的一些实施例的具有定位于其中的光掩膜的光掩膜盒的分解视图。
[0011]图3是根据本揭露的一些实施例的沿图2的线A
‑
A取得的光掩膜盒的一部分的剖面图。
[0012]图4是根据本揭露的一些实施例的流体调节模块的分解视图。
[0013]图5是根据本揭露的一些实施例的光掩膜盒的一部分的剖面图。
[0014]图6是根据本揭露的一些实施例的流体调节模块的分解视图。
[0015]图7是说明根据本揭露的一或多个实施例的各种方面的用于执行光刻操作的方法的流程图。
[0016]图8是说明根据本揭露的一或多个实施例的用于执行光刻操作的方法的一个阶段(其中光掩膜盒的上壳体从基座卸离)的示意图。
[0017]图9是根据本揭露的一或多个实施例的当产生向上气流且流体调节模块处于密封状态时的光掩膜盒的部分元件的剖面图。
[0018]图10是说明根据本揭露的一或多个实施例的用于执行光刻操作的方法的一个阶段(其中光掩膜从光掩膜盒移除且被发送到过程腔)的示意图。
[0019]图11是说明根据本揭露的一或多个实施例的用于执行光刻操作的方法的一个阶段(其中光掩膜盒的上壳体降低以与基座接合)的示意图。
[0020]图12是根据本揭露的一或多个实施例的当产生向下气流且流体调节模块处于敞开状态时的光掩膜盒的部分元件的剖面图。
[0021]图13是说明根据本揭露的一或多个实施例的用于对光掩膜盒执行维护过程的方法的一个阶段的示意图。
[0022]图14是根据本揭露的一或多个实施例的当向下液流行进通过光掩膜盒的贯穿孔且流体调节模块处于敞开状态时的光掩膜盒的部分元件的剖面图。
具体实施方式
[0023]以下揭露提供用于实施所提供标的物的不同构件的许多不同实施例或实例。在下文描述元件及布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些仅为实例且并不希望具限制性。例如，在以下描述中，第一构件形成在第二构件上方或上可包含其中第一构件及第二构件经形成直接接触的实施例，且还可包含其中额外构件可形成于第一构件与第二构件之间使得第一构件及第二构件可不直接接触的实施例。另外，本揭露可在各种实例中重复参考数字及/或字母。此重复是出于简单及清晰的目的且本身并不指示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。
[0024]此外，为便于描述，例如“在
……
下面”、“在
……
下方”、“下”、“在
……
上面”、“在
……
上方”、“上”、“在
……
上”及类似物的空间相对术语可在本文中用于描述一个元件或构件与图中说明的另一(些)元件或构件的关系。空间相对术语希望涵盖除在图中描绘的定向以外的使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或按其它定向)且因此可同样解释本文中使用的空间相对描述符。
[0025]如本文中使用，例如“第一”、“第二”及“第三”的术语描述各种元件、组件、区、层及/或区段，但这些元件、组件、区、层及/或区段不应被这些术语限制。这些术语仅可用于区分一个元件、组件、区、层或区段与另一元件、组件、区、层或区段。例如“第一”、“第二”及“第三”的术语在本文中使用时并不暗示序列或顺序，除非由上下文明确指示。
[0026]如本文中使用，术语“大约”、“基本上”、“实质”及“约”用于描述及说明小变化。当结合事件或状况使用时，所述术语可指代其中确切地发生所述事件或状况的例子以及其中非常近似地发生所述事件或状况的例子。
[0027]当前揭露中描述的先进光刻操作、方法及材料可在许多应用中使用，包含鳍片型场效晶体管(FinFET)。例如，鳍片可经图案化以产生构件之间的相对紧密间隔，上文揭露非常适合于此间隔。另外，可根据上文揭露来处理用于形成FinFET的鳍片的间隔件。
[0028]在半导体生产的光刻操作期间，通过光掩膜将光能施加到先前沉积于晶片上的光致抗蚀剂材料以定义电路图案。光掩膜是经图案化具有待形成于晶片上的光致抗蚀剂涂层中的电路图像的板。例如，光掩膜可含有用于晶片上的几个裸片(例如四个裸片)的电路图案图像本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光掩膜盒，其包括：容器，其具有内部；及流体调节模块，其安装到所述容器，其中所述流体调节模块具有经配置用于允许流体行进通过所述流体调节模块的开口，且所述流体调节模块包括密封膜；其中当所述流体沿朝向所述容器的所述内部的方向进入所述流体调节模块时，所述密封膜覆盖所述开口以阻止所述流体进入所述容器的所述内部；其中当所述流体沿远离所述容器的所述内部的方向进入所述流体调节模块时，所述密封膜远离所述开口以允许所述流体从所述容器的所述内部排放。2.根据权利要求1所述的光掩膜盒，其中所述流体调节模块进一步包括：第一盖；及第二盖，其与所述第一盖接合且经定位成比所述第一盖更接近所述容器的所述内部，其中在所述第二盖上形成所述开口，且所述密封膜定位于所述第一盖与所述第二盖之间。3.根据权利要求1所述的光掩膜盒，其进一步包括相邻于所述流体调节模块定位的过滤器。4.根据权利要求1所述的光掩膜盒，其中所述密封膜沿所述流体调节模块的纵向方向自由移动。5.一种光掩膜盒，其包括：容器；及流体调节模块，其安装到所述容器且包括：第一盖及第二盖，其彼此连接，其中在所述第一盖与所述第二盖之间形成流动路径以允许流体行进通过所述流体调节模块；及密封膜，其定位于所述第一盖与所述第二盖之间且经配置用于调节行进通过所述流动路径的所述流体的流动。6.根据权利要求5所述的光掩膜盒，其中所述第二盖经定位成比所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘子汉，温志伟，林重宏，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：