一种过温保护电路制造技术

本发明专利技术公开一种过温保护电路，包括电阻R23、电阻R21、三极管Q21、具有回滞功能的比较器、电压反馈环路模块，以及与电压反馈环路模块连接的第一电流镜；所述电阻R23的一端与电压反馈环路模块连接，电阻R23的另一端接地；所述电阻R21的一端和三极管Q21的发射极均与第一电流镜连接，电阻R21的另一端和三极管Q21的集电极均与电阻R23连接后接地。本发明专利技术将回滞功能在比较器内部进行实现，可减小芯片面积、节约成本，其具体是通过比较器的输出信号控制内部电路的一个开关，从而改变负载MOS管的等效尺寸及控制负载MOS管的等效宽长比，进而实现回滞功能，简单方便。简单方便。简单方便。

【技术实现步骤摘要】
一种过温保护电路


[0001]本专利技术涉及过温保护
，尤其涉及一种过温保护电路。

技术介绍

[0002]电源类的集成电路产品日益渗透到现代生活的方方面面，作为一种保护机制，过温关断功能可以有效的在芯片温度过高时，关断电路，从而避免电路功能的异常或烧毁。而目前的过温保护电路，一般的实现方式是用一个比较器，比较一个不随温度变化的基准电压，和一个随温度而减小的负温度系数的电压，其中，回滞功能是通过改变基准电压实现的，实现较为复杂。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的是提供一种过温保护电路，该电路将回滞功能在比较器内部进行实现，可减小芯片面积、节约成本，其具体是通过比较器的输出信号控制内部电路的一个开关，从而改变负载MOS管的等效尺寸及控制负载MOS管的等效宽长比，进而实现回滞功能，简单方便。
[0004]为实现上述目的，采用以下技术方案：
[0005]一种过温保护电路，包括电阻R23、电阻R21、三极管Q21、具有回滞功能的比较器、电压反馈环路模块，以及与电压反馈环路模块连接的第一电流镜；所述电阻R23的一端与电压反馈环路模块连接，电阻R23的另一端接地；所述电阻R21的一端和三极管Q21的发射极均与第一电流镜连接，电阻R21的另一端和三极管Q21的集电极均与电阻R23连接后接地，且三极管Q21的基极还与三极管Q21的集电极连接；所述比较器的同相输入端连接于电阻R21与第一电流镜的公共连接端，比较器的反相输入端连接于三极管Q21与第一电流镜的公共连接端。
[0006]进一步地，所述比较器的内部电路包括电流源I22、MOS管P26、MOS管P27、第二电流镜、第三电流镜、第四电流镜；所述电流源I22的一端分别与MOS管P26的源极、MOS管P27的源极连接，MOS管P26的漏极和MOS管P27的漏极分别与第二电流镜、第三电流镜连接，MOS管P26的栅极和MOS管P27的栅极分别用作比较器的反相输入端、同相输入端；所述第二电流镜和第三电流镜还均与第四电流镜连接，且第四电流镜还与电流源I22的另一端连接；所述第三电流镜与第四电流镜的公共连接端用作比较器的输出端。
[0007]进一步地，所述第三电流镜包括MOS管N25、MOS管N26、MOS管N27、MOS管N28；所述MOS管N25的源极与MOS管N26的源极和MOS管N27的源极连接，MOS管N25的漏极与MOS管P27的漏极连接，MOS管N25的栅极与MOS管N26的栅极和MOS管N27的栅极连接；所述MOS管N28的栅极与MOS管N27的漏极连接后接入第四电流镜，MOS管N28的源极与MOS管N26的漏极连接，MOS管N28的漏极分别与MOS管N25的栅极，和MOS管N25的漏极连接；所述MOS管N25的源极还与第二电流镜连接。
[0008]进一步地，所述第二电流镜包括MOS管N23和MOS管N24；所述MOS管N23的漏极与第
四电流镜连接，MOS管N23的栅极与MOS管N24的栅极连接，MOS管N23的源极与MOS管N24的源极连接后与MOS管N25的源极连接；所述MOS管N24的漏极与MOS管P26的漏极连接，且MOS管N24的漏极还连接于MOS管N23与MOS管N24的公共连接端。
[0009]进一步地，所述第四电流镜包括MOS管P24和MOS管P25；所述MOS管P24的漏极分别与MOS管N23的漏极和MOS管P24的栅极连接，MOS管P24的栅极还与MOS管P25的栅极连接，MOS管P24的源极与电流源I22连接；所述MOS管P25的漏极分别与MOS管N28的栅极，MOS管N27的漏极连接，MOS管P25的源极与电流源I22连接。
[0010]进一步地，所述电压反馈环路模块包括运算放大器、MOS管N21；所述运算放大器的同相输入端用于接入基准电压，运算放大器的反相输入端分别与电阻R23和MOS管N21的源极连接，运算放大器的输出端与MOS管N21的栅极连接；所述MOS管N21的漏极与第一电流镜连接。
[0011]进一步地，所述第一电流镜包括MOS管P21、MOS管P22和MOS管P23；所述MOS管P21的源极与MOS管P22的源极和MOS管P23的源极相互连接，MOS管P21的漏极与MOS管N21的漏极连接，MOS管P21的栅极与MOS管P22的栅极连接；所述MOS管P22的漏极分别与电阻R21和比较器的同相输入端连接；所述MOS管P23的栅极连接于MOS管P21与MOS管P22的公共连接端，且MOS管P23的栅极还连接于MOS管P21与MOS管N21的公共连接端；所述MOS管P23的漏极分别与MOS管Q21的源极、比较器的反相输入端连接。
[0012]采用上述方案，本专利技术的有益效果是：
[0013]该电路将回滞功能在比较器内部进行实现，可减小芯片面积、节约成本，其具体是通过比较器的输出信号控制内部电路的一个开关，从而改变负载MOS管的等效尺寸及控制负载MOS管的等效宽长比，进而实现回滞功能，简单方便。
附图说明
[0014]图1为现有常规的过温保护电路图；
[0015]图2为现有常规的比较器内部电路图；
[0016]图3为信号波形示意图；
[0017]图4为本专利技术的电路图；
[0018]图5为本专利技术的比较器的内部电路图；
[0019]其中，附图标识说明：
[0020]1—比较器；
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2—电压反馈环路模块；
[0021]3—第一电流镜；
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4—第二电流镜；
[0022]5—第三电流镜；
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6—第四电流镜。
具体实施方式
[0023]以下结合附图和具体实施例，对本专利技术进行详细说明。
[0024]参照图4至5所示，本专利技术提供一种过温保护电路，包括电阻R23、电阻R21、三极管Q21、具有回滞功能的比较器1、电压反馈环路模块2，以及与电压反馈环路模块2连接的第一电流镜3；所述电阻R23的一端与电压反馈环路模块2连接，电阻R23的另一端接地；所述电阻R21的一端和三极管Q21的发射极均与第一电流镜3连接，电阻R21的另一端和三极管Q21的
集电极均与电阻R23连接后接地，且三极管Q21的基极还与三极管Q21的集电极连接；所述比较器1的同相输入端连接于电阻R21与第一电流镜3的公共连接端，比较器1的反相输入端连接于三极管Q21与第一电流镜3的公共连接端。
[0025]其中，所述比较器1的内部电路包括电流源I22、MOS管P26、MOS管P27、第二电流镜4、第三电流镜5、第四电流镜6；所述电流源I22的一端分别与MOS管P26的源极、MOS管P27的源极连接，MOS管P26的漏极和MOS管P27的漏极分别与第二电流镜4、第三电流镜5连接，MOS管P26的栅极和MOS管P27的栅极分别用作比较器1的反相输入端、同相输入端；所述第二电流镜4和第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种过温保护电路，其特征在于，包括电阻R23、电阻R21、三极管Q21、具有回滞功能的比较器、电压反馈环路模块，以及与电压反馈环路模块连接的第一电流镜；所述电阻R23的一端与电压反馈环路模块连接，电阻R23的另一端接地；所述电阻R21的一端和三极管Q21的发射极均与第一电流镜连接，电阻R21的另一端和三极管Q21的集电极均与电阻R23连接后接地，且三极管Q21的基极还与三极管Q21的集电极连接；所述比较器的同相输入端连接于电阻R21与第一电流镜的公共连接端，比较器的反相输入端连接于三极管Q21与第一电流镜的公共连接端。2.根据权利要求1所述的过温保护电路，其特征在于，所述比较器的内部电路包括电流源I22、MOS管P26、MOS管P27、第二电流镜、第三电流镜、第四电流镜；所述电流源I22的一端分别与MOS管P26的源极、MOS管P27的源极连接，MOS管P26的漏极和MOS管P27的漏极分别与第二电流镜、第三电流镜连接，MOS管P26的栅极和MOS管P27的栅极分别用作比较器的反相输入端、同相输入端；所述第二电流镜和第三电流镜还均与第四电流镜连接，且第四电流镜还与电流源I22的另一端连接；所述第三电流镜与第四电流镜的公共连接端用作比较器的输出端。3.根据权利要求2所述的过温保护电路，其特征在于，所述第三电流镜包括MOS管N25、MOS管N26、MOS管N27、MOS管N28；所述MOS管N25的源极与MOS管N26的源极和MOS管N27的源极连接，MOS管N25的漏极与MOS管P27的漏极连接，MOS管N25的栅极与MOS管N26的栅极和MOS管N27的栅极连接；所述MOS管N28的栅极与MOS管N27的漏极连接后接入第四电流镜，MOS管N28的源极与MOS管N26的漏极连接，MOS管N28的漏极分别与MOS管N25的栅极，和MOS管N25的漏极连接；所述MOS管N25的源极还与第二电流镜连接。4.根据权利要求3所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙金星，
申请(专利权)人：深圳市微源半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：