【技术实现步骤摘要】
电子束抗蚀剂组合物
[0001]本申请是申请日为2015年07月30日，申请号为201580054449.9， 专利技术名称为“电子束抗蚀剂组合物”的申请的分案申请。
[0002]引言
[0003]本专利技术涉及一种电子束(eBeam)抗蚀剂组合物(resist composition)，特别 是用于制造集成电路的(eBeam)抗蚀剂组合物。本专利技术还涉及eBeam抗蚀 剂涂覆的材料/基底及其制备方法、图案化基底及其制备方法、成像方法、 进行电子束平版印刷的方法和由所述方法形成的成像基底、选择性地改性 基底表面的方法、平印掩模(lithographic mask)及其制备方法、使用所述平 印掩模进行平版印刷的方法和由所述方法形成的成像基底、多层基底及其 制备方法、集成电路管芯(integrated circuit die)或包含多个集成电路管芯的 集成电路晶圆(integrated circuit wafer)及它们的制备方法、集成电路封装及 其制备方法、电路板及其制备方法、电子设备或电子系统及其制备的方法， 以及eBeam抗蚀剂组合物用于...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种进行电子束平版印刷的方法，所述方法包括：i)提供(eBeam)抗蚀剂涂覆的基底或将(eBeam)抗蚀剂涂层施加到基底；ii)将所述(eBeam)抗蚀剂涂层的一部分暴露于(电子束)辐射以提供暴露的(eBeam)抗蚀剂涂层；iii)显影所述暴露的(eBeam)抗蚀剂涂层以产生(eBeam)抗蚀剂图案层，所述(eBeam)抗蚀剂图案层包括：所述(eBeam)抗蚀剂涂层的显影剂不溶性涂层部分；以及延伸穿过所述(eBeam)抗蚀剂图案层的凹槽阵列；iv)任选地改性在所述(eBeam)抗蚀剂图案层下面的所述基底、基底表面或其部分；v)任选地除去所述(eBeam)抗蚀剂图案层以提供改性的基底；vi)在所述改性的基底上，任选地重复一次或更多次步骤iv)和/或步骤i)
‑
v)(任选地用可选择的抗蚀剂涂层诸如光致抗蚀剂而不是所述eBeam抗蚀剂涂层；以及任选地在暴露期间使用可选择的辐射诸如可见光或紫外光而不是电子束辐射)；其中所述eBeam抗蚀剂涂覆的基底是涂覆有eBeam抗蚀剂涂层的基底；其中所述eBeam抗蚀剂涂层包含任选地干燥的和/或固化的eBeam抗蚀剂组合物；其中所述eBeam抗蚀剂组合物包含抗散射化合物；其中所述抗散射化合物具有小于或等于1.3g/cm3的密度和大于或等于2000g/mol的分子量。2.如权利要求1所述的方法，其中所述抗散射化合物具有小于或等于0.85g/cm3的密度和大于或等于10,000g/mol的分子量。3.如任一前述权利要求所述的方法，其中所述抗散射化合物包括初级金属络合物(PMC)，其中所述初级金属络合物是多金属笼。4.如权利要求3所述的方法，其中所述抗散射化合物包括连接体组分，所述连接体组分与式B的杂化络合物中的一个或更多个初级金属络合物缔合：(PMC)
p
(LINK)
l
其中：PMC是初级金属络合物，并且p是1和30之间的值并且是每摩尔式B的杂化络合物的PMC的摩尔数；并且其中LINK是连接体组分，并且l是1和10之间的值并且是每摩尔式B的杂化络合物的LINK的摩尔数；其中任选地杂化络合物内的所述初级金属络合物和/或连接体组分中的任一者或两者各自独立地与抗衡离子中的任一种缔合，和/或所述抗衡离子可以与所述杂化络合物缔合作为整体；其中所述抗散射化合物任选地包含与所述杂化络合物缔合的一种或更多种抗衡离子，作为杂化络合物盐的一部分，其中所述杂化络合物盐由式C定义：(C
1i1
C
2i2
…
C
cic
)(PMC)
p
(LINK)
l
其中C1是第一抗衡离子，C2是第二抗衡离子，并且C
c
是第c抗衡离子，其中i1、i2和ic是每摩尔式C的杂化络合物盐的C1、C2、...和C
c
中的每一种的各自的摩尔数。5.如任一前述权利要求所述的方法，其中所述抗散射化合物在己烷中具有至少10mg/g的溶解度。6.如权利要求3或从属于权利要求3的任一前述权利要求所述的方法，其中所述初级金
属络合物由式I定义或包含由式I定义的单元：[M
1x
M
2y
…
M
nzn
(monoLIG1)
m1
(monoLIG2)
m2
…
(monoLIG
q
)
mq
(biLIG1)
b1
(biLIG2)
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