一种氮氧化硅PERC电池背钝化结构及包括其的PERC电池制造技术

本实用新型专利技术提供了一种氮氧化硅PERC电池背钝化结构及包括其的PERC电池，所述的氮氧化硅PERC电池背钝化结构包括由PERC电池的背面依次层叠设置的晶硅衬底、氮氧化硅层和氮化硅层。所述的PERC电池包括P型硅基体，所述的P型硅基体的背面设置有所述的氮氧化硅PERC电池背钝化结构。本实用新型专利技术采用氮氧化硅层取代了传统的PERC电池背钝化结构中的氧化铝层，氮氧化硅薄膜内也含有大量氢原子，具备优良的钝化作用，同时氮氧化硅薄膜具有减反性能，从而降低了耗材成本，提高了工艺安全稳定性，同时也保证了较高的产线效率。保证了较高的产线效率。保证了较高的产线效率。

【技术实现步骤摘要】
一种氮氧化硅PERC电池背钝化结构及包括其的PERC电池


[0001]本技术属于PERC电池钝化
，涉及一种氮氧化硅PERC电池背钝化结构及包括其的PERC电池。

技术介绍

[0002]随着高效太阳电池研发的不断推进，优质的表面钝化已成为高转换效率太阳电池不可或缺的，近年来，钝化发射区背面电池(PERC)技术得到了广泛关注，PERC即钝化发射极背面接触电池是一种发射极与背面双面钝化的太阳电池。
[0003]PERC电池一般的工艺流程有以下步骤：制绒
→
扩散
→
SE激光
→
氧化
→
刻蚀(去PSG)
→
退火
→
背膜
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正膜
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背膜激光开槽
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丝网印刷
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烧结
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光注入或电注入
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测试分拣。其中镀膜工艺是PERC电池产线工艺中及其重要的一环。电池片在生产过程中，需要在正面镀一层减反膜，降低光的反射，增强光的吸收。在背面镀一层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮氧化硅PERC电池背钝化结构，其特征在于，所述的氮氧化硅PERC电池背钝化结构包括由PERC电池的背面依次层叠设置的晶硅衬底、氮氧化硅层和氮化硅层。2.根据权利要求1所述的氮氧化硅PERC电池背钝化结构，其特征在于，所述的晶硅衬底为单晶硅衬底。3.根据权利要求1所述的氮氧化硅PERC电池背钝化结构，其特征在于，所述的氮氧化硅层的厚度为70～90nm。4.根据权利要求1所述的氮氧化硅PERC电池背钝化结构，其特征在于，所述的氮氧化硅层的折射率为1.85～1.95。5.根据权利要求1所述的氮氧化硅PERC电池背钝化结构，其特征在于，所述的氮化硅层的厚度为60～80nm。6.根据权利要求1所述的氮氧化硅PERC电池背钝化结构，其特征在于，所述的氮化硅层的折射率为2～2.3。7.一种包括权利要求1<...

【专利技术属性】
技术研发人员：任海亮，方超炎，何悦，任勇，陈德爽，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：新型
国别省市：