钝化接触结构及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种钝化接触结构，属于太阳能电池领域，它包括有衬底，所述衬底的一个表面或两个表面上依次集成有碳氧化硅钝化层和掺杂多晶硅层。本发明专利技术实施例提供了一种钝化接触结构，其采用碳氧化硅钝化层替代现有的超薄氧化层，碳氧化硅钝化层中由于碳元素的加入，会调节碳氧化硅钝化层薄膜的膨胀系数，提高其稳定性，保证其完整性；本发明专利技术实施例还提供了一种钝化接触结构的制备方法，其采用碳氧化硅钝化层替代现有的超薄氧化层，在长时间高温条件下，碳氧化硅钝化层界面处的氢不易向外释放，掺杂多晶硅中的掺杂原子不会过度扩散；本发明专利技术实施例还提供了一种钝化接触结构的应用，应用于太阳能电池，提高电池效率。提高电池效率。提高电池效率。

【技术实现步骤摘要】
钝化接触结构及其制备方法和应用


[0001]本专利技术涉及太阳能电池领域，更具体地说，涉及钝化接触结构及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]隧穿氧化硅钝化接触结构(TOPCon，Tunnel Oxide Passivated
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Contact structures)是德国Fraunhofer研究所在2014年首先提出的一种新型晶硅太阳能电池结构，旨在改善硅电池背面的钝化。具体地，以n型硅片作为衬底，首先使用热硝酸在硅片背面生长了一层厚度3nm以下的超薄氧化硅，然后制备一层磷掺杂的非晶硅，经高温退火晶化，实现了优异的钝化性能。优异的钝化性能来源于两个方面，其一：表面的超薄氧化硅对硅片表面悬挂键实现了有效的化学钝化；其二：掺杂层中的磷原子在高温退火过程中被有效的激活，变成了重掺杂层，由于能带差异形成了有效的场钝化效应。在工业上，为了生产效率和成本，金属电极的制备一般会采用丝网印刷技术，即将金属浆料印刷后，再通过高温烧结使金属与硅形成良好的欧姆接触。
[0003]一般情况下，TOPCon结构的制备需要高温处理使掺杂原子本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钝化接触结构，包括有衬底(1)，其特征在于：所述衬底(1)的一个表面或两个表面上依次集成有碳氧化硅钝化层(2)和掺杂多晶硅层(3)。2.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于：所述碳氧化硅钝化层(2)的厚度为0.5
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5nm。3.根据权利要求2所述的钝化接触结构，其特征在于：所述碳氧化硅钝化层(2)的厚度为1
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2nm。4.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于：所述碳氧化硅钝化层(2)中掺杂碳原子含量0.1at％
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20at％。5.根据权利要求1所述的钝化接触结构，其特征在于：所述碳氧化硅钝化层(2)的氧化源为CO或CO2或CH4、O2及SiH4三种组分的混合气。6.一种如权利要求1
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5任一所述的钝化接触结构的...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶继春，曾俞衡，闫宝杰，刘尊珂，廖明墩，马典，韩庆玲，程皓，郑晶茗，刘伟，
申请(专利权)人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所，
类型：发明
国别省市：