一种交叉耦合比较器控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种交叉耦合比较器控制电路，涉及比较器电路技术领域，包含第一电阻R1、第二电阻R2、第一NMOS管N6、第二NMOS管N7、第三NMOS管N8、第四NMOS管N9、第五NMOS管N10、第六NMOS管N11、第一PMOS管P13、第二PMOS管P14、第三PMOS管P15、第四PMOS管P16、电流源I1，将输出电压与参考电压进行比较，若输出电压高于参考电压，则比较产生低电平，从而屏蔽时钟信号，进而使泵电路中的开关管停止工作，使用反馈调制本身会使电压纹波变大"为了减小加入反馈调制带来的影响，可提高反馈调制电路中比较器的增益，使输出电压较小范围的波动就能引起比较器的翻转。能引起比较器的翻转。能引起比较器的翻转。

【技术实现步骤摘要】
一种交叉耦合比较器控制电路


[0001]本技术涉及比较器电路
，尤其涉及一种交叉耦合比较器控制电路。

技术介绍

[0002]当前，比较器是一种芯片，以模拟电压信号和参考电压信号作为输入，以只有高低电平
[0003]的二值数字信号作为输出，可用作模拟电路和数字电路的接口电路。比较器有若干的性能指标是在使用中需要特别注意的，比如工作电压，输入输出的延时时间，输出信号的上升下降时间，输入与输出电压的特点，以及对于比较器输出稳定性有决定作用的工作迟滞区间。
[0004]在有些比较器中，是没有工作迟滞区间的定义的，因为这种比较器是用于输入信号差别比较大的应用场景，这就不存在输出稳定性的问题，例如“1”与“0”的比较。还有一些比较应用场景则要求比较器具有工作迟滞区间，比较器的工作迟滞区间有助于输入信号的比较后输出，但是，因为输入信号往往伴随着噪声，若噪声幅度超过比较器的工作迟滞区间，将会引起比较器的误判误输出。

技术实现思路

[0005]本技术所要解决的技术问题是针对
技术介绍
的不足提供一种交叉耦合比较器控制电路，采用交叉耦合结构比较器来提高比较器的精度。
[0006]本技术为解决上述技术问题采用以下技术方案：
[0007]一种交叉耦合比较器控制电路，包含第一电阻R1、第二电阻R2、第一NMOS管N6、第二NMOS管N7、第三NMOS管N8、第四NMOS管N9、第五NMOS管N10、第六NMOS管N11、第一PMOS管P13、第二PMOS管P14、第三PMOS管P15、第四PMOS管P16、电流源I1；
[0008]其中，第一电阻R1的一端与VGL端连接，第一电阻R1的另一端分别与第二电阻R2的一端、第三PMOS管P15的栅极，第二电阻R2的另一端分别与第一NMOS管N6的源极、第二NMOS管N7的源极、第三NMOS管N8的源极、第四NMOS管N9的源极、第五NMOS管N10的源极、第六NMOS管N11的源极连接，第一NMOS管N6的漏极分别与第一PMOS管P13的漏极、第一PMOS管P13的栅极、第二PMOS管P14的栅极连接，第一PMOS管P13的源极分别与电流源I1的一端、第二PMOS管P14的源极连接，电流源I1的另一端分别与第三PMOS管P15的源极、第四PMOS管P16的源极连接，第三PMOS管P15的漏极分别与第一NMOS管N6的栅极、N第二NMOS管N7、第二NMOS管N7漏极、第三NMOS管N8的漏极、第四NMOS管N9的栅极，第四PMOS管P16的漏极分别与第二NMOS管N8的栅极、第四NMOS管N9的漏极、第五NMOS管N10的漏极、第五NMOS管N10的栅极、第六NMOS管N11的栅极连接，第二PMOS管P14的漏极分别与第六NMOS管N11的漏极、端连接，第四PMOS管P16的栅极与连接。
[0009]本技术采用以上技术方案与现有技术相比，具有以下技术效果：
[0010]1.本技术一种交叉耦合比较器控制电路，将输出电压与参考电压进行比较，
若输出电压高于参考电压，则比较产生低电平，从而屏蔽时钟信号，进而使泵电路中的开关管停止工作， 使用反馈调制本身会使电压纹波变大"为了减小加入反馈调制带来的影响，可提高反馈调制电路中比较器的增益，使输出电压较小范围的波动就能引起比较器的翻转。
附图说明
[0011]图1是本技术的交叉耦合比较器电路图。
具体实施方式
[0012]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0013]一种交叉耦合比较器控制电路，如图1所示，包含第一电阻R1、第二电阻R2、第一NMOS管N6、第二NMOS管N7、第三NMOS管N8、第四NMOS管N9、第五NMOS管N10、第六NMOS管N11、第一PMOS管P13、第二PMOS管P14、第三PMOS管P15、第四PMOS管P16、电流源I1；
[0014]其中，第一电阻R1的一端与VGL端连接，第一电阻R1的另一端分别与第二电阻R2的一端、第三PMOS管P15的栅极，第二电阻R2的另一端分别与第一NMOS管N6的源极、第二NMOS管N7的源极、第三NMOS管N8的源极、第四NMOS管N9的源极、第五NMOS管N10的源极、第六NMOS管N11的源极连接，第一NMOS管N6的漏极分别与第一PMOS管P13的漏极、第一PMOS管P13的栅极、第二PMOS管P14的栅极连接，第一PMOS管P13的源极分别与电流源I1的一端、第二PMOS管P14的源极连接，电流源I1的另一端分别与第三PMOS管P15的源极、第四PMOS管P16的源极连接，第三PMOS管P15的漏极分别与第一NMOS管N6的栅极、N第二NMOS管N7、第二NMOS管N7漏极、第三NMOS管N8的漏极、第四NMOS管N9的栅极，第四PMOS管P16的漏极分别与第二NMOS管N8的栅极、第四NMOS管N9的漏极、第五NMOS管N10的漏极、第五NMOS管N10的栅极、第六NMOS管N11的栅极连接，第二PMOS管P14的漏极分别与第六NMOS管N11的漏极、端连接，第四PMOS管P16的栅极与连接。
[0015]本技术一种交叉耦合比较器控制电路，将输出电压与参考电压进行比较，若输出电压高于参考电压，则比较产生低电平，从而屏蔽时钟信号，进而是泵电路中的开关管停止工作。使用反馈调制本身会使电压波纹变大，为了减小加入反馈调制带来的影响，可提高反馈调制电路中比较器的增益，是输出电压较小范围的波动就能引起比较器的翻转。
[0016]在本技术中，采用交叉耦合结构比较器来提高比较器的精度。
[0017]最后应说明的几点是：首先，在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通，可以是直接相连，“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变，则相对位置关系可能发生改变；
[0018]其次：本技术公开实施例附图中，只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计，在不冲突情况下，本技术同一实施例及不同实施例可以相互组合；
[0019]最后：以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种交叉耦合比较器控制电路，其特征在于：包含第一电阻R1、第二电阻R2、第一NMOS管N6、第二NMOS管N7、第三NMOS管N8、第四NMOS管N9、第五NMOS管N10、第六NMOS管N11、第一PMOS管P13、第二PMOS管P14、第三PMOS管P15、第四PMOS管P16、电流源I1；其中，第一电阻R1的一端与VGL端连接，第一电阻R1的另一端分别与第二电阻R2的一端、第三PMOS管P15的栅极，第二电阻R2的另一端分别与第一NMOS管N6的源极、第二NMOS管N7的源极、第三NMOS管N8的源极、第四NMOS管N9的源极、第五NMOS管N10的源极、第六NMOS管N11的源极连接，第一NMOS管N6的漏极分别与第一PMOS管P13的漏极、第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：付芳芳，
申请(专利权)人：新疆万福智控自动化科技有限公司，
类型：新型
国别省市：