【技术实现步骤摘要】
电压比较器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年10月24日提交的法国专利申请No.1911934的权益，该申请通过引用由此并入本文。
[0003]本公开大体上涉及一种电子系统和方法，并且在具体实施例中，涉及一种电压比较器。
技术介绍
[0004]许多电子电路中都提供了电压比较器。在包括电压比较器的电子电路中，电子电路的二值输出信号的状态可以调节步骤或控制的实现。
[0005]例如，在开关模式电压转换器中通常设置电压比较器，其中通过开关的切换来切断用于对转换器供电的电压，以实现电感或电感元件中的电力存储阶段，以及将储存在电感中的电力传递到连接至转换器输出的负载的阶段。然后，通过比较器输出信号的二值状态来调节转换器开关中的至少一个切换的实现。
[0006]已知的电压比较器具有各种缺点，这些缺点特别地可能导致包括这种已知的电压比较器的电压转换器的故障。
技术实现思路
[0007]一些实施例涉及电压比较器，该电压比较器被配置为传递二值信号，该二值信号具有...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电压比较器，包括：输出端子；第一开关，具有耦合到内部节点的导电端子，所述内部节点耦合到所述输出端子；电流源；电容器；以及第二开关，与所述电容器并联耦合，其中所述电流源、所述电容器和所述第一开关被串联连接。2.根据权利要求1所述的比较器，其中所述电流源包括：耦合到所述电容器的第一端子，以及耦合到第一节点的第二端子，所述第一节点被配置为接收第一电压。3.根据权利要求2所述的比较器，其中所述第一节点被连接至地。4.根据权利要求2所述的比较器，其中当所述内部节点的内部电压朝向所述第一电压的变化，导致所述输出端子的输出电压的切换时，所述第一开关被配置为导通，并且所述第二开关被配置为在所述第一开关的所述导通之后而关断。5.根据权利要求4所述的比较器，还包括第一反相器，所述第一反相器具有耦合到所述内部节点的输入、以及被配置为控制所述第一开关的输出。6.根据权利要求5所述的比较器，其中所述第一反相器被配置为在所述内部电压朝向所述第一电压的所述变化之后，控制所述第一开关的导通。7.根据权利要求5所述的比较器，还包括第二反相器，所述第二反相器具有耦合到所述内部节点的输入、以及耦合到所述输出端子的输出，其中所述第二反相器的所述输出被配置为控制所述第二开关。8.根据权利要求7所述的比较器，其中所述第二反相器被配置为在所述内部电压朝向所述第一电压的所述变化之后，控制所述第二开关的关断。9.根据权利要求5所述的比较器，包括多个反相器，所述多个反相器串联耦合在所述第一反相器的所述输出与所述输出端子之间。10.根据权利要求2所述的比较器，还包括串联在所述第一节点与第二节点之间的第一晶体管和第二晶体管，所述第二节点被配置为接收第二电压。11.根据权利要求10所述的比较器，其中所述比较器被配置为接收在所述第一节点与所述第二节点之间的电源电压，并且其中所述第一晶体管和所述第二晶体管在所述内部节点处被彼此耦合。12.根据权利要求10所述的比较器，其中所述第二电压高于所述第一电压。13.根据权利要求2所述的比较器，其中所述第一电压是地电压，并且其中所述第一开关和所述第二开关是N型的金属氧化物半导体(MOS)晶体管。14.根据权利要求2所述的比较器，其中所述第一电压是电源电压，并且其中所述第一开关和所述第二开关是P型的金属氧化物半导体(MOS)晶体管。15.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：H，
申请(专利权)人：意法半导体格勒诺布尔二公司，
类型：发明
国别省市：
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