一种电压比较器电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种电压比较器电路，属于电源电路领域，包含PMOS管M1、PMOS管M2、NOMS管M3、NMOS管M4、PMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M9、NOMS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12、NMOS管M13、NMOS管M14、NMOS管M15、PMOS管M16、NOMS管M17、PMOS管M18、PMOS管M19、NMOS管M20、电容C1，在电压比较运放电路中加入了电源隔离管M11、M17，在正常工作中，电源隔离管关断，这样可实现即使在高频电路中，也能够将电流偏置电路的上电位和输入电压的电源隔离，使其两端的噪声互不干扰，显著提高其电源抑制比，减少高频下的输出纹波，增大其稳定性。增大其稳定性。增大其稳定性。

【技术实现步骤摘要】
一种电压比较器电路


[0001]本专利技术属于电源电路领域，涉及一种电压比较器电路。

技术介绍

[0002]如今，随着集成电路产业的迅速发展，芯片集成度也越来越高，同时为其供电的电源管理芯片的设计也越来越复杂。目前主流上有许多电源管理方案，而对于应用在降压场合，且输入电压与输出电压较为接近时，LDO稳压器则成为了首要选择。LDO稳压器之所以有大量且持久的需求，是由于LDO芯片可以为后续电路提供稳定低噪的电压，并且只占据少量的PCB板面积和消耗极低的功耗。此外，LDO的电路构架还十分的适合作为IP集成到片上系统中（SoC）。随着市场的变化和技术的进步，对LDO稳压器的性能要求也在不断的提高。更高的转换效率、更低的功耗、更少的外围器件已逐渐成为LDO稳压器的研究热点和发展趋势。

技术实现思路

[0003]本技术所要解决的技术问题是在不使用电容的情况下，使用传统的运算放大器，其稳定性非常差，相位裕度会在40
°
以下，甚至为负，以致产生较大的尖峰，其输出电压Vout会在一定范围内规律震荡。所以在传统运算放大器的基础上，专利技术了一种电压比较器电路。
[0004]本技术为解决上述技术问题采用以下技术方案：
[0005]一种电压比较器电路，包含PMOS管M1、PMOS管M2、NOMS管M3、NMOS管M4、PMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M9、NOMS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12、NMOS管M13、NMOS管M14、NMOS管M15、PMOS管M16、NOMS管M17、PMOS管M18、PMOS管M19、NMOS管M20、电容C1；
[0006]其中，PMOS管M1的栅极连接Vref,PMOS管M2的栅极连接Vb,PMOS管M1的源极连接PMOS管M2的源极，PMOS管M1的漏极连接NOMS管M3的漏极，PMOS管M2的漏极连接NOMS管M4的漏极，NOMS管M3的栅极回连至NOMS管M3的漏极，NOMS管M4的栅极回连至NOMS管M4的漏极，NOMS管M3的源极连接NMOS管M6的源极并接地，NOMS管M4的源极连接NMOS管M7的源极并接地，NOMS管M3的栅极连接NMOS管M6的栅极，NOMS管M4的栅极连接NMOS管M7的栅极，NMOS管M6的漏极连接NMOS管M20的源极，NMOS管M20的漏极连接PMOS管M8的漏极，并回连至NMOS管M20的源极，PMOS管M8的栅极连接PMOS管M9的栅极，PMOS管M9的漏极分别连接NMOS管M7的漏极、NOMS管M10的源极、NOMS管M10的漏极、PMOS管M9的栅极、电容C1的一端，电容C1的另一端分别连接PMOS管M19的源极、PMOS管M18的漏极、电压输出端Vop，PMOS管M18的源极分别连接PMOS管M11的漏极、PMOS管M5的源极、PMOS管M8的源极、PMOS管M9的源极、电压输入端Vin，PMOS管M5的漏极分别连接PMOS管M1的源极、PMOS管M2的源极，PMOS管M19的漏极接地，PMOS管M18的栅极分别连接PMOS管M12的漏极、PMOS管M13的漏极，PMOS管M12的栅极分别连接PMOS管M5的栅极、PMOS管M11的栅极，PMOS管M12的源极分别连接PMOS管M11的源极、PMOS管M16的源极，PMOS管M16的栅极连接输入端Iref,PMOS管M16的漏极连接NMOS管M15的源极，NMOS管M15的栅极分别连接NMOS管M20的栅极、NOMS管M10的栅极并回连至NMOS管M15的源
极，NMOS管M15的漏极连接NMOS管M14的源极，NMOS管M14的栅极分别连接NMOS管M17的栅极、NMOS管M13的栅极并回连至NMOS管M14的源极，NMOS管M14的漏极连接NMOS管M17的源极，NMOS管M17的漏极分别连接NMOS管M13的源极、NMOS管M16的源极并接地。
[0007]本技术采用以上技术方案与现有技术相比，具有以下技术效果：
[0008]本技术在不使用电容的情况下，使用传统的运算放大器，其稳定性非常差，相位裕度会在40
°
以下，甚至为负，以致产生较大的尖峰，其输出电压Vout会在一定范围内规律震荡。所以在传统运算放大器的基础上，专利技术了一种电压比较器电路，在电压比较运放电路中加入了电源隔离管M11、M17，在正常工作中，电源隔离管关断，这样可实现即使在高频电路中，也能够将电流偏置电路的上电位和输入电压的电源隔离，使其两端的噪声互不干扰，显著提高其电源抑制比，减少高频下的输出纹波，增大其稳定性。
附图说明
[0009]图1是电压比较器电路电路图。
具体实施方式
[0010]下面结合附图对本专利技术的技术方案做进一步的详细说明：
[0011]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0012]如图1所示，一种电压比较器电路，包含PMOS管M1、PMOS管M2、NOMS管M3、NMOS管M4、PMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M9、NOMS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12、NMOS管M13、NMOS管M14、NMOS管M15、PMOS管M16、NOMS管M17、PMOS管M18、PMOS管M19、NMOS管M20、电容C1；
[0013]其中，PMOS管M1的栅极连接Vref,PMOS管M2的栅极连接Vb,PMOS管M1的源极连接PMOS管M2的源极，PMOS管M1的漏极连接NOMS管M3的漏极，PMOS管M2的漏极连接NOMS管M4的漏极，NOMS管M3的栅极回连至NOMS管M3的漏极，NOMS管M4的栅极回连至NOMS管M4的漏极，NOMS管M3的源极连接NMOS管M6的源极并接地，NOMS管M4的源极连接NMOS管M7的源极并接地，NOMS管M3的栅极连接NMOS管M6的栅极，NOMS管M4的栅极连接NMOS管M7的栅极，NMOS管M6的漏极连接NMOS管M20的源极，NMOS管M20的漏极连接PMOS管M8的漏极，并回连至NMOS管M20的源极，PMOS管M8的栅极连接PMOS管M9的栅极，PMOS管M9的漏极分别连接NMOS管M7的漏极、NOMS管M10的源极、NOMS管M10的漏极、PMOS管M9的栅极、电容C1的一端，电容C1的另一端分别连接PMOS管M19的源极、PMOS管M18的漏极、电压输出端Vop，PMOS管M18的源极分别连接PMOS管M11的漏极、PMOS管M5的源极、PMOS管M8的源极、PMOS管M9的源极、电压输入端Vin，PMOS管M5的漏极分别连接PMOS管M1的源极、PMOS管M2的源极，PMOS管M19的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电压比较器电路，其特征在于：包含PMOS管M1、PMOS管M2、NOMS管M3、NMOS管M4、PMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7、PMOS管M8、PMOS管M9、NOMS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12、NMOS管M13、NMOS管M14、NMOS管M15、PMOS管M16、NOMS管M17、PMOS管M18、PMOS管M19、NMOS管M20、电容C1；其中，PMOS管M1的栅极连接Vref,PMOS管M2的栅极连接Vb,PMOS管M1的源极连接PMOS管M2的源极，PMOS管M1的漏极连接NOMS管M3的漏极，PMOS管M2的漏极连接NOMS管M4的漏极，NOMS管M3的栅极回连至NOMS管M3的漏极，NOMS管M4的栅极回连至NOMS管M4的漏极，NOMS管M3的源极连接NMOS管M6的源极并接地，NOMS管M4的源极连接NMOS管M7的源极并接地，NOMS管M3的栅极连接NMOS管M6的栅极，NOMS管M4的栅极连接NMOS管M7的栅极，NMOS管M6的漏极连接NMOS管M20的源极，NMOS管M20的漏极连接PMOS管M8的漏极，并回连至NMOS管M20的源极，PMOS管M8的栅极连接PMOS管M9的栅极，PMOS管M9的漏极分别连接NMOS管M7的漏极、NOMS管M10的...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘秀利，黄思如，
申请(专利权)人：广州优米网络科技有限公司，
类型：新型
国别省市：