一种磁隔离宽范围输入稳压电路制造技术

本实用新型专利技术提出一种磁隔离宽范围输入稳压电路，包括第一反激同步整流模块、第二反激同步整流模块、电压电流反馈模块、PWM控制模块、隔离驱动变压器、驱动模块、输入欠压保护模块，初级辅助电源模块和次级辅助电源模块。本实用新型专利技术采用交错并联反激同步整流磁隔离拓扑，实现功率平均分配，源边副边磁隔离，减少输入输出滤波器件，提高器件可靠性，实现小型化。实现小型化。实现小型化。

【技术实现步骤摘要】
一种磁隔离宽范围输入稳压电路


[0001]本技术涉及航空电源
，尤其是一种实现磁隔离宽范围输入稳压电路。

技术介绍

[0002]开关电源拓扑是现今电子
广泛应用的拓扑结构，电子技术的进一步发展，对开关电源拓扑器件各方面性能都提出了新的要求，特别是航空电源
，对电源产品的体积、可靠性、性能都很高的要求，常规的开关电源拓扑，在实现磁隔离、宽电压输入和器件小型化方面有较大缺陷。

技术实现思路

[0003]为了解决上述问题，本技术提出一种磁隔离宽范围输入稳压电路，采用交错并联反激同步整流磁隔离拓扑，实现功率平均分配，源边和副边磁隔离，PWM控制模块位于电源副边，直接采样点压比较，无需光耦，减少输入输出滤波器件，实现器件小型化。
[0004]本技术通过以下技术方案实现的：
[0005]本技术提出一种磁隔离宽范围输入稳压电路，其特征在于，包括第一反激同步整流模块、第二反激同步整流模块、电压电流反馈模块、PWM控制模块、隔离驱动变压器、驱动模块、输入欠压保护模块，初级辅助电源模块和次级辅助电源模块，所述第一反激同步整流模块与所述第二反激同步整流模块结构相同且两者的输入端和输出端均并联连接，所述电压电流反馈模块分别连接所述第一反激同步整流模块的输出端、所述第二反激同步整流模块的输出端和所述PWM控制模块，所述PWM控制模块分别连接所述第一反激同步整流模块和所述第二反激同步整流模块副边的开关器件，并通过所述隔离驱动变压器和所述驱动模块分别连接所述第一反激同步整流模块和所述第二反激同步整流模块源边的开关器件，所述输入欠压保护模块分别连接于所述驱动模块和所述初级辅助电源模块，所述初级辅助电源模块连接于所述隔离驱动变压器，所述次级辅助电源模块分别连接于所述PWM控制模块、所述电压电流反馈模块和所述隔离驱动变压器。
[0006]进一步地，所述的一种磁隔离宽范围输入稳压电路，其特征在于，所述第一反激同步整流模块包括第一电感、第二电感、第一电容、第二电容、第三电容、第一MOS管、第二MOS管、第一变压器和第一电阻，所述第一电感第一端作为电路的正输入端，所述第一电感第二端连接所述第一电容第一端和所述第一变压器源边同名端，所述第一电容第二端接地并作为电路的负输出端，所述第一变压器源边同名端连接所述第一MOS管漏极，所述第一MOS管源极接地，所述第一MOS管栅极连接所述驱动模块，所述第一变压器副边同名端连接所述第二MOS管漏极，所述第二MOS管源极连接所述第一电阻第一端，所述第二MOS管栅极连接所述PWM控制模块，所述第一变压器副边异名端连接所述第二电感第一端和所述第二电容第一端，所述第二电感第二端连接所述第三电容第一端并作为电路的正输出端，所述第一电阻第二端连接所述第二电容第二端和所述第三电容第二端并作为电路的负输出端。
[0007]进一步地，所述的一种磁隔离宽范围输入稳压电路，其特征在于，所述第二反激同步整流模块包括第三电感、第四电感、第四电容、第五电容、第六电容、第三MOS管、第四MOS管、第二变压器和第二电阻，所述第三电感第一端连接电路的正输入端，所述第三电感第二端连接所述第四电容第一端和所述第二变压器源边同名端，所述第四电容第二端接地并连接电路的负输出端，所述第二变压器源边同名端连接所述第三MOS管漏极，所述第三MOS管源极接地，所述第三MOS管栅极连接所述驱动模块，所述第二变压器副边同名端连接所述第四MOS管漏极，所述第四MOS管源极连接所述第二电阻第一端，所述第四MOS管栅极连接所述PWM控制模块，所述第二变压器副边异名端连接所述第四电感第一端和所述第五电容第一端，所述第四电感第二端连接所述第六电容第一端和电路的正输出端，所述第二电阻第二端连接所述第五电容第二端、所述第六电容第二端并和电路的负输出端。
[0008]进一步地，所述的一种磁隔离宽范围输入稳压电路，其特征在于，所述电压电流反馈模块分别连接电路的正输出端、所述PWM控制模块、所述第一电阻第一端和所述第二电阻第一端，所述电压电流反馈模块设有均流功能端口SHARE、输出电压调节端口TRIM、正电压补偿端口+S、负电压补偿端口
‑
S。
[0009]本技术的有益效果：
[0010]本技术采用交错并联反激同步整流磁隔离拓扑结构，功率平均分配，器件小型化，减小输入输出滤波器件，适用于高功率密度条件，PWM控制模块位于电源副边，实现磁隔离，提高了可靠性。
附图说明
[0011]图1为磁隔离宽范围输入稳压电路结构示意图；
具体实施方式
[0012]为了更加清楚、完整的说明本技术的技术方案，下面结合附图对本技术作进一步说明。
[0013]请参见图1，本技术提出一种磁隔离宽范围输入稳压电路实施例，包括第一反激同步整流模块101、第二反激同步整流模块102、电压电流反馈模块103、PWM控制模块104、隔离驱动变压器105和驱动模块106、输入欠压保护模块107，初级辅助电源模块108和次级辅助电源模块109。第一反激同步整流模块101与第二反激同步整流模块102结构相同且两者的输入端和输出端均并联连接，电压电流反馈模块103分别连接第一反激同步整流模块101的输出端、第二反激同步整流模块102的输出端和PWM控制模块，用于采集电压电流信号以反馈至PWM控制模块104。PWM控制模块104分别连接第一反激同步整流模块101和第二反激同步整流模块102副边的开关器件，并通过隔离驱动变压器105和驱动模块106分别连接第一反激同步整流模块101和第二反激同步整流模块102源边的开关器件，PWM控制模块104用于输出控制信号，控制开关器件导通和关断。输入欠压保护模块107分别连接于驱动模块106和初级辅助电源模块108，用于控制电源的开启和关闭以提供输入欠压保护。初级辅助电源模块108连接于隔离驱动变压器105，用于给隔离驱动变压器105和输入欠压保护模块107供电。次级辅助电源模块109分别连接于PWM控制模块104、电压电流反馈模块103和隔离驱动变压器105，用于提供工作电源。
[0014]进一步地，请参见图1，一种磁隔离宽范围输入稳压电路，其特征在于，第一反激同步整流模块101包括第一电感L1、第二电感L2、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第一变压器T1和第一电阻R1，第一电感L1第一端作为电路的正输入端VIN+，第一电感L1第二端连接第一电容C1第一端和第一变压器T1源边同名端，第一电容C1第二端接地并作为电路的负输出端VIN
‑
，第一电感L1与第一电容C1连接用于滤波，使输入电压更平滑，第一变压器T1源边同名端连接第一MOS管Q1漏极，第一MOS管Q1源极接地，第一MOS管Q1栅极连接驱动模块接收驱动信号，驱动信号控制第一MOS管的导通和关断，进一步控制第一变压器T1源边进行励磁，第一变压器T1副边同名端连接第二MOS管Q2漏极，第二MOS管Q2源极连接第一电阻R1第一端本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁隔离宽范围输入稳压电路，其特征在于，包括第一反激同步整流模块(101)、第二反激同步整流模块(102)、电压电流反馈模块(103)、PWM控制模块(104)、隔离驱动变压器(105)、驱动模块(106)、输入欠压保护模块(107)，初级辅助电源模块(108)和次级辅助电源模块(109)，所述第一反激同步整流模块(101)与所述第二反激同步整流模块(102)结构相同且两者的输入端和输出端均并联连接，所述电压电流反馈模块(103)分别连接所述第一反激同步整流模块(101)的输出端、所述第二反激同步整流模块(102)的输出端和所述PWM控制模块，所述PWM控制模块(104)分别连接所述第一反激同步整流模块(101)和所述第二反激同步整流模块(102)副边的开关器件，并通过所述隔离驱动变压器(105)和所述驱动模块(106)分别连接所述第一反激同步整流模块(101)和所述第二反激同步整流模块(102)源边的开关器件，所述输入欠压保护模块(107)分别连接于所述驱动模块(106)和所述初级辅助电源模块(108)，所述初级辅助电源模块连接于所述隔离驱动变压器(105)，所述次级辅助电源模块(109)分别连接于所述PWM控制模块(104)、所述电压电流反馈模块(103)和所述隔离驱动变压器(105)。2.如权利要求1所述的一种磁隔离宽范围输入稳压电路，其特征在于，所述第一反激同步整流模块(101)包括第一电感(L1)、第二电感(L2)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)、第一MOS管(Q1)、第二MOS管(Q2)、第一变压器(T1)和第一电阻(R1)，所述第一电感(L1)第一端作为电路的正输入端(VIN+)，所述第一电感(L1)第二端连接所述第一电容(C1)第一端和所述第一变压器(T1)源边同名端，所述第一电容(C1)第二端接地并作为电路的负输出端(VIN
‑
)，所述第一变压器(T1)源边同名端连接所述第一MOS管(Q1)漏极，所述第一MOS管(Q1)源极接地，所述第一MOS管(Q1)栅极连接所述驱动模块，所述第一变压器(T1)副边同名端连接所述第二MOS管(Q2)漏极，所述第二MOS管(Q2)源极连接所述第一电阻(R1)第一端，所述第二MOS管(Q2)栅极连...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄国兵，张冰，徐亦祥，
申请(专利权)人：深圳市振华微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：