一种硅基MicroOLED微显示器件像素定义层制备方法技术

本发明专利技术提供一种应用于Micro OLED技术领域的硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法的步骤为：对完成阳极工艺的硅片(1)进行清洗、烘烤作业；对完成清洗、烘烤作业的硅片(1)进行像素定义层(2)成膜作业；对完成像素定义层(2)成膜的硅片(1)进行光刻作业；对完成光刻作业的硅片(1)进行退光阻及干法刻蚀作业，作业时，首先进行像素定义层(2)主刻蚀作业；对完成干法刻蚀的硅片(1)进行去胶作业，得到目标结构，本发明专利技术所述的硅基M i cro OLED微显示器件像素定义层制备方法，刻蚀过程中在主刻蚀前通过前通氧气的方式控制光刻胶后退，后刻蚀作业，循环此过程，最终形成阶梯状形貌，利于阴极爬坡，避免阴极在此处断裂，改善像素暗点异常。常。常。

【技术实现步骤摘要】
一种硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法


[0001]本专利技术属于Micro OLED
，更具体地说，是涉及一种硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法。

技术介绍

[0002]硅基微显，作为最适用于近眼显示行业的微显示技术，被称为下一代微显示技术，被越来越多的人所关注，其技术更迭较快。在制备硅基micro OLED微显示器件时，为定义像素，改善串扰，需要在硅片完成阳极工艺后，制备像素定义层。像素定义层如采用无机材料，当前工艺下，制备后的角度过大，易造成阴极的断裂。像素定义层如采用SiO及SiN，因追求高分辨率，受光刻及干法刻蚀工艺制约，其阳极上方PDL角度无法做小，导致后续阴极在此位置出现断裂异常。

技术实现思路

[0003]本专利技术所要解决的技术问题是：针对现有技术的不足，提供一种步骤简单，通过退光阻工艺，刻蚀过程中在主刻蚀前通过前通氧气的方式控制光刻胶后退，后刻蚀作业，循环此过程，最终形成阶梯状形貌，利于阴极爬坡，避免阴极在此处断裂，改善像素暗点异常，提高产品整体性能的硅基Micro 本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法，其特征在于：所述的硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法的步骤为：S1.对完成阳极工艺的硅片(1)进行清洗、烘烤作业；S2.对完成清洗、烘烤作业的硅片(1)进行像素定义层(2)成膜作业；S3.对完成像素定义层(2)成膜的硅片(1)进行光刻作业；S4.对完成光刻作业的硅片(1)进行退光阻及干法刻蚀作业，作业时，首先进行像素定义层(2)主刻蚀作业，主刻蚀气体选择CHF3及N2，流量选择15sccm
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20sccm，source power选择30W
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35W，Bias选择5W
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10W，刻蚀时间选择15s
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20s，在完成首次主刻蚀后，进行退光阻作业，退光阻气体选择O2,流量8sccm
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10sccm，source power选择20W
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30W，Bias选择0W，退光阻时间选择5s
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7s，以上工序完成一次退光阻及主刻蚀作业，重复上述过程多次，最后一次退光阻取消；S5.对完成干法刻蚀的硅片(1)进行去胶作业，得到目标结构。2.根据权利要求1所述的硅基Micro OLED微显示器件像素定义层制备方法，其特征在于：进行清洗、烘烤作业时，对完成阳极工艺的硅片(1)进行清洗，采用纯水清洗，冲洗时间选择80s
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100s，清洗时硅片(1)转速选择150rpm
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200rpm；烘烤温度选择80℃
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100℃，烘烤时间选择60s
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90s。3.根据权利要求1所述的硅基Micro O...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹贺，刘晓佳，吕迅，刘胜芳，赵铮涛，潘倩倩，
申请(专利权)人：安徽熙泰智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：