一种多晶金免疫传感器及其在新型冠状病毒核衣壳蛋白检测中的应用制造技术

本发明专利技术公开了一种多晶金免疫传感器及其在新型冠状病毒核衣壳蛋白检测中的应用。所述多晶金免疫电化学阻抗传感器由多晶金叉指电极与特异性生物识别材料经共价偶联形成，多晶金叉指电极包括晶型为<111>晶向、<200>晶向和<220>晶向的金电极。本发明专利技术多晶金免疫电化学阻抗传感器是一种具有生物活性稳定、电化学阻抗信号响应灵敏、可特异性识别并捕获人血清中的COVID

【技术实现步骤摘要】
一种多晶金免疫传感器及其在新型冠状病毒核衣壳蛋白检测中的应用


[0001]本专利技术涉及一种多晶金免疫传感器及其在新型冠状病毒核衣壳蛋白检测中的应用，属于有害物检测


技术介绍

[0002]微纳米金结构材料广泛应用于纳米材料学、微电子学、生物传感器系统等领域，电化学沉积技术是一项普遍应用于金薄膜形成和纳米微结构构造的技术手段。通过调整脉冲电镀的峰值电流密度、脉冲频率及占空比可以实现对微纳米结构的金的调控生长，从而制备出晶粒结构微小、尺寸分布均匀、低孔隙率的金镀层。相比于对比直流电镀方法，脉冲电镀的总体电流总量一定，其峰值电流密度比直流电镀的电流密度高几倍至十几倍。从而使电化学沉积期间吸附的金原子数量远髙于直流沉积时间内的金吸附数量，导致金晶体的成核速率快于生长速率，从而形成细小的微晶粒结构。此外，断电期间金离子会富集到扩散层中，可直接提高下一个电化学沉积周期中的极限电流密度，更利于形成致密的电镀层。通过小电流作用可在沉积处形成单晶向的金晶粒，使金晶粒生长为多晶取向且表面粗造的结构，达到提高金电极对生物识别材料的有效偶联数量的目的。...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多晶金免疫电化学阻抗传感器，由多晶金叉指电极与特异性生物识别材料经共价偶联形成。2.根据权利要求1所述的多晶金免疫电化学阻抗传感器，其特征在于：所述多晶金叉指电极包括晶型为<111>晶向、<200>晶向和<220>晶向的金电极。3.根据权利要求1或2所述的多晶金免疫电化学阻抗传感器，其特征在于：所述多晶金叉指电极的尺寸为(2500μm～3000μm)
×
(5.0μm～10.0μm)
×
(100nm～150nm)；叉指间隔为5.0～15.0μm。4.根据权利要求1或2所述的多晶金免疫电化学阻抗传感器，其特征在于：所述特异性生物识别材料为单克隆抗体、多克隆抗体、基因工程抗体或核酸适配体。5.权利要求1
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4中任一项所述多晶金免疫电化学阻抗传感器的制备方法，包括如下步骤：S1、在二氧化硅晶圆上依次制备Cr金属层和Au金属层；S2、在所述Au金属层上旋涂负性光刻胶，经曝光得到工作电极图形，经显影得到凹槽形状的叉指阵列微电极区域；S3、将经步骤S2处理后的所述二氧化硅晶圆置于电镀池内，采用不同强度的脉冲电流对所述叉指阵列微电极区域的凹槽进行填充，经清洗后去除残留的所述Cr金属层和所述Au金属层，即得所述多晶金叉指电极；S4、将所述特异性生物识别材料滴加于所述多晶金叉指电极的表面，静置即得到所述多晶金免疫电化学阻抗传感器。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于：步骤S1中，采用蒸镀的方法制备所述Cr金属层和所述Au金属层；所述Cr金属层的厚度为3.0～5.0nm；所述Au金属层的厚度为5.0～10.0nm；步骤S2中，所述负性光刻胶的厚度为1.0～1.5μm。7.根据权利要求5或6所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：江海洋，沈建忠，何志巍，王嗣涵，熊进城，徐宇良，王梓乐，张会霞，
申请(专利权)人：中国农业大学，
类型：发明
国别省市：