【技术实现步骤摘要】
多射束描绘方法以及多射束描绘装置
[0001]本专利技术涉及多射束描绘方法以及多射束描绘装置，例如涉及使用了带电粒子射束的多射束描绘中的不同的多个条件下的描绘顺序的制作方法。
技术介绍
[0002]担负着半导体器件的微细化的进展的平版印刷技术在半导体制造工序之中也是唯一生成图案的极其重要的工序。近年来，伴随着LSI的高集成化，对半导体器件要求的电路线宽度年年不断微细化。在此，电子线(电子束)描绘技术具有本质上优异的分辨率，使用电子线对晶片等进行描绘。
[0003]例如，有使用多射束的描绘装置。与利用1根电子束进行描绘的情况相比，通过使用多射束能够一次照射大量的射束，因此能够大幅提高生产率。在该多射束方式的描绘装置中，例如，使从电子枪射出的电子束通过具有多个孔的掩模而形成多射束，分别被消隐控制，未被遮蔽的各射束被光学系统缩小，并被偏转器偏转后向试样上的期望的位置照射。
[0004]在此，在多射束描绘装置中，当一边使工作台连续移动一边进行描绘的情况下，需要追随工作台的移动的跟踪控制。并且，在多射束描绘装置中进行了...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种多射束描绘方法，其特征在于，取得可变的像素尺寸和对曝光所使用的射束阵列进行定义的射束阵列信息，基于所述像素尺寸和所述射束阵列信息，取得用于使担当射束向多个射束间间距区域的各射束间间距区域内的多个像素偏转的多个偏转坐标、在为了使多射束的各射束一起追随工作台的移动而进行的各跟踪控制期间中担当射束对各射束间间距区域内进行曝光的像素数、以及在跟踪控制期间经过后进行跟踪复位的情况下的所述多射束的偏转移动量，所述多个射束间间距区域是试样上的描绘区域被多射束的射束间间距尺寸分割而成的，所述跟踪复位将跟踪开始位置复位，制作偏转次序，该偏转次序是使用所述多个偏转坐标、在所述各跟踪控制期间中进行曝光的所述像素数以及进行所述跟踪复位的情况下的所述多射束的偏转移动量而定义的，一边根据所述偏转次序使所述多射束偏转，一边对所述试样描绘图案。2.根据权利要求1所述的多射束描绘方法，其特征在于，作为所述多个偏转坐标，存在处于矩形区域内的矩形区域内像素数的偏转坐标，所述矩形区域是X方向的射束间距以及Y方向的射束间距的大小的矩形区域，在所述偏转次序中，所述多个偏转坐标的偏转顺序被设定为以所述矩形区域内像素数的所述多个偏转坐标不重复的方式来偏转射束，将1个循环的所述矩形区域内像素数的量的曝光分为多次的跟踪控制期间来进行，将通过向所述多个偏转坐标的各偏转坐标的一系列的射束偏转而进行的多次曝光作为所述1个循环，以每所述1个循环的所述各跟踪控制期间中曝光的所述像素数的合计与所述矩形区域内像素数一致的方式，设定各跟踪控制期间中曝光的所述像素数，以进行每所述1个循环的所述跟踪复位的情况下的所述多射束的偏转移动量的合计与对所述工作台的移动方向上的所述多射束的射束根数乘以射束间间距尺寸而得到的值一致的方式，设定进行所述跟踪复位的情况下的所述多射束的偏转移动量。3.根据权利要求1所述的多射束描绘方法，其特征在于，在所述偏转次序中，进行所述跟踪复位的情况下的所述多射束的偏转移动量使用k值来定义，所述k值表示所述射束间间距尺寸的k倍。4.根据权利要求1所述的多射束描绘方法，其特征在于，从多个描绘模式之中选择一个描绘模式，所述多个描绘模式利用指定值、像素尺寸以及识别信息被分别定义，所述指定值是在各跟踪控制期间中曝光的所述像素数的指定值，所述识别信息对至少在描绘区域的描绘中所述射束间间距尺寸固定的所述多射束中的曝光所使用的射束阵列进行识别，参照对所述多个描绘模式分别可变地定义而成的相关表，对多个像素区域设定所述多个偏转坐标，所述多个像素区域利用对所选择的所述描绘模式定义的像素尺寸分割了描绘区域而成，参照所述相关表，使用对所选择的描绘模式定义的所述像素数的指定值，来运算在所述各跟踪控制期间中曝光的所述像素数，参照所述相关表，使用对所选择的描绘模式定义的对所述多射束中的曝光所使用的射束群进行识别的识别信息，来运算进行所述跟踪复位的情况下的所述多射束的偏转移动
量。5.一种多射束描绘装置，其特征在于，具备：参数取得电路，取得可变的像素尺寸和对曝光所使用的射束阵列进行定义的射束阵列信息；取得电路，基于所述像素尺寸和所述射束阵列信息...
【专利技术属性】
技术研发人员：松本裕史，
申请(专利权)人：纽富来科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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