本实用新型专利技术涉及一种太阳能电池片及太阳能电池，太阳能电池片包括硅片基板，包括沿第一方向相背设置的第一表面和第二表面，在所述第一表面和所述第二表面分别掺杂形成至少一个P型掺杂区域和至少一个N型掺杂区域，其中沿所述第一表面的第二方向和所述第二表面的第二方向，所述P型掺杂区域和所述N型掺杂区域交替设置，沿所述第一方向，设置在所述第一表面的所述P型掺杂区域与设置在所述第二表面的所述N型掺杂区域相对设置，所述第一方向与所述第二方向垂直。本实用新型专利技术提高了太阳能电池片中载流子的分离和收集能力，提高了太阳能电池片的光电转换效率。片的光电转换效率。片的光电转换效率。
【技术实现步骤摘要】
太阳能电池片及太阳能电池
[0001]本技术涉及太阳能电池领域，更具体地，本技术涉及一种太阳能电池片及太阳能电池。
技术介绍
[0002]太阳能电池主要是以半导体材料为基础，并加以电极而形成电导通的器件。
[0003]参照图1所示，目前大多数太阳能电池的制造基于硅衬底材料，其制备工艺流程包括：去除硅片表面损伤层、制绒面、形成p型层和n型层，但是现有技术往往是在硅衬底的正面形成p型层，在硅衬底的背面形成n 型层，载流子迁移方向箭头L所示方向，载流子迁移率低，太阳能电池分离和收集载流子的能力弱，光电转换效率不高。
技术实现思路
[0004]本技术的一个目的是提供一种太阳能电池片及太阳能电池，以解决现有技术中太阳能电池的光电转换效率不高的问题。
[0005]根据本技术的第一方面，提供一种太阳能电池片，包括：
[0006]硅片基板，包括沿第一方向相背设置的第一表面和第二表面，
[0007]在所述第一表面和所述第二表面分别掺杂形成至少一个P型掺杂区域和至少一个N型掺杂区域，
[0008]其中沿所述第一表面的第二方向和所述第二表面的第二方向，所述P 型掺杂区域和所述N型掺杂区域交替设置，
[0009]沿所述第一方向，设置在所述第一表面的所述P型掺杂区域与设置在所述第二表面的所述N型掺杂区域相对设置，所述第一方向与所述第二方向垂直。
[0010]可选地，设置在所述第一表面的所述P型掺杂区域和与其相对设置的所述N型掺杂区域构成第一P
‑
N结，设置在所述第一表面的所述P型掺杂区域和与其相邻设置的所述N型掺杂区域构成第二P
‑
N结。
[0011]可选地，沿所述第二方向，相邻设置的所述P型掺杂区域和所述N型掺杂区域之间存在预设间距，所述预设间距的距离范围为100nm～15μm。
[0012]可选地，在所述第一表面和所述第二表面上均设置多个P型掺杂区域、多个N型掺杂区域，位于同一表面多个P型掺杂区域电连接，位于同一表面的多个N型掺杂区域电连接。
[0013]可选地，所述第一表面和所述第二表面均被划分为M个区域，每一所述区域沿所述第二方向的长度一致、每一所述区域沿第三方向的长度一致，所述第三方向与所述第二方向垂直；
[0014]每一所述区域被掺杂形成所述P型掺杂区域或者N型掺杂区域，M 为大于或者等于2的偶数。
[0015]可选地，在所述第一表面和所述第二表面分别形成减反射层，所述减反射层呈块状结构，每一块所述减反射层覆盖所述P型掺杂区域或所述N 型掺杂区域，每一块所述减反
射层的形状与所述P型掺杂区域的形状或者所述N型掺杂区域的形状一致。
[0016]可选地，所述硅片基板为单晶硅基板或者多晶硅基板。
[0017]可选地，所述硅片基板为P型硅片基板或者为N型硅片基板。
[0018]根据本技术第二方面，提供一种太阳能电池，包括背板和设置在所述背板上的多个太阳能电池片，多个所述太阳能电池片电连接，多个所述太阳能电池片为第一方面所述的太阳能电池片。
[0019]可选地，多个所述太阳能电池片包括相邻设置的第一太阳能电池片和第二太阳能电池片，所述第一太阳能电池片中位于边缘的所述P型掺杂区域，与所述第二太阳能电池片中位于边缘的所述N型掺杂区域电连接。
[0020]本技术的一个技术效果在于，硅片基板的第一表面和第二表面分别掺杂形成至少一个P型掺杂区域和至少一个N型掺杂区域；沿第一表面的第二方向和第二表面的第二方向，所述P型掺杂区域和所述N型掺杂区域交替设置，沿所述第一方向，设置在所述第一表面的所述P型掺杂区域与设置在所述第二表面的所述N型掺杂区域相对设置。本技术太阳能电池片中载流子能够沿第一方向或者第二方向迁移，提高了载流子的分离和收集能力，进而提高了太阳能电池片的光电转换效率。
[0021]通过以下参照附图对本技术的示例性实施例的详细描述，本技术的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
[0022]构成说明书的一部分的附图描述了本技术的实施例，并且连同说明书一起用于解释本技术的原理。
[0023]图1所示为现有技术的太阳能电池中载流子迁移示意图。
[0024]图2所示为本技术太阳能电池片的结构示意图。
[0025]图3所示为本技术太阳能电池片中载流子迁移示意图。
[0026]图4所示为本技术多个太阳能电池片连接的第一视角的结构示意图。
[0027]图5所示为本技术多个太阳能电池片连接的第二视角的结构示意图。
具体实施方式
[0028]现在将参照附图来详细描述本技术的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本技术的范围。
[0029]以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本技术及其应用或使用的任何限制。
[0030]对于相关领域普通技术人员已知的技术和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术和设备应当被视为说明书的一部分。
[0031]在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
[0032]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
[0033]根据本技术实施例，提供了一种太阳能电池片。参照图2
‑
图3所示，所述太阳能电池片包括：
[0034]硅片基板，包括沿第一方向X相背设置的第一表面1和第二表面2，
[0035]在所述第一表面1和所述第二表面2分别掺杂形成至少一个P型掺杂区域10和至少一个N型掺杂区域11，
[0036]其中沿所述第一表面1的第二方向Y和所述第二表面2的第二方向Y，所述P型掺杂区域10和所述N型掺杂区域11交替设置，
[0037]沿所述第一方向X，设置在所述第一表面1的所述P型掺杂区域10 与设置在所述第二表面2的所述N型掺杂区域11相对设置，所述第一方向 X与所述第二方向Y垂直。
[0038]参照图2
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图3所示，太阳能电池片包括第一表面1和第二表面2，其中第一表面1和第二表面2沿第一方向X相背设置，其中第一方向为硅片基板的厚度方向。例如第一表面1可以为硅片基板的正面，第二表面2可以为硅片基板2的背面。
[0039]在第一表面1所在区域掺杂硼等形成至少一个P型掺杂区域10，在第一表面1的所在区域掺杂磷等形成至少一个N型掺杂区域11，沿第一表面1的第二方向Y，P型掺杂区域10和N型掺杂区域11交替设置，即P 型掺杂区域10和N型掺杂区域11相邻设置；
[0040]入射光照射到太阳能电池片上，光能将硅片基板的硅原子本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池片，其特征在于，包括：硅片基板，包括沿第一方向相背设置的第一表面(1)和第二表面(2)，在所述第一表面(1)和所述第二表面(2)分别掺杂形成至少一个P型掺杂区域(10)和至少一个N型掺杂区域(11)，其中沿所述第一表面(1)的第二方向和所述第二表面(2)的第二方向，所述P型掺杂区域(10)和所述N型掺杂区域(11)交替设置，沿所述第一方向，设置在所述第一表面(1)的所述P型掺杂区域(10)与设置在所述第二表面(2)的所述N型掺杂区域(11)相对设置，所述第一方向与所述第二方向垂直。2.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，设置在所述第一表面(1)的所述P型掺杂区域(10)和与其相对设置的所述N型掺杂区域(11)构成第一P
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N结，设置在所述第一表面(1)的所述P型掺杂区域(10)和与其相邻设置的所述N型掺杂区域(11)构成第二P
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N结。3.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，沿所述第二方向，相邻设置的所述P型掺杂区域(10)和所述N型掺杂区域(11)之间存在预设间距(12)，所述预设间距(12)的距离范围为100nm～15μm。4.根据权利要求1所述的太阳能电池片，其特征在于，在所述第一表面(1)和所述第二表面(2)上均设置多个P型掺杂区域(10)、多个N型掺杂区域(11)，位于同一表面的多个P型掺杂区域(10)电连接，位...
【专利技术属性】
技术研发人员：邓瑞，孙翔，
申请(专利权)人：比亚迪股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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