【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】基板处理装置以及基板处理方法
本专利技术涉及半导体晶片等基板处理装置以及基板处理方法。
技术介绍
通常，在半导体的晶片工艺中，作为用于形成器件结构的蚀刻或离子注入等的掩模，广泛使用感光性树脂即抗蚀膜(resistfilm)。即，将在基板的处理面上形成的抗蚀膜作为掩模进行蚀刻或离子注入等之后，从基板的处理面去除抗蚀膜。作为去除抗蚀膜的方法，广泛采用使用硫酸和双氧水的混合液(硫酸双氧水混合液)的方法。另外，提出了使用对环境影响小的臭氧(O3)水的方法(参照专利文献1)。进而，已知有利用臭氧或等离子体去除抗蚀膜的方法，或者在利用等离子体去除抗蚀膜表面的牢固变质层之后，利用化学溶液去除剩余的抗蚀膜，然后利用纯水等对处理面进行冲洗的方法(参照专利文献2)。在用臭氧气体或等离子体去除抗蚀膜时，将基板搬入处理装置内，对使处理面朝上放置的基板从上方吹臭氧气体，或者照射等离子体进行抗蚀膜的灰化后，将基板从处理装置移送到化学处理装置，在化学处理装置中利用化学溶液进行处理并利用纯水进行清洗。现有技术文献专利文献专利...
【技术保护点】
1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：/n转台，围绕竖直轴转动自如地配置，在对基板的处理面进行处理时使转台旋转；/n基板保持部，设置在所述转台上，使所述处理面朝下且处于与所述转台的上表面分离的状态使所述基板保持为水平，所述基板保持部与所述转台一体地旋转；/n喷出部，固定在相比于保持在所述转台上的所述基板的所述处理面靠下侧，并配置在所述转台的中央部，且具有用于将所供给的流体喷出并供给于所述处理面的一个或多个喷嘴；以及/n臭氧气体供给部，在所述转台的旋转中，对所述喷出部供给臭氧气体作为所述流体。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190124 JP 2019-0103441.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
转台，围绕竖直轴转动自如地配置，在对基板的处理面进行处理时使转台旋转；
基板保持部，设置在所述转台上，使所述处理面朝下且处于与所述转台的上表面分离的状态使所述基板保持为水平，所述基板保持部与所述转台一体地旋转；
喷出部，固定在相比于保持在所述转台上的所述基板的所述处理面靠下侧，并配置在所述转台的中央部，且具有用于将所供给的流体喷出并供给于所述处理面的一个或多个喷嘴；以及
臭氧气体供给部，在所述转台的旋转中，对所述喷出部供给臭氧气体作为所述流体。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，包括：
加热器，在从所述臭氧气体供给部向所述喷出部供给臭氧气体时，从上方对保持于所述基板保持部的所述基板进行加热。
3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，具有：
干燥模式，从所述臭氧气体供给部向所述喷出部供给臭氧气体，用臭氧气体对所述处理面进行处理；以及
湿式模式，在所述干燥模式后转移至所述湿式模式，用处理液对与所述转台一体旋转的所述基板的所述处理面进行处理，
所述基板处理装置包括处理液供给部，所述处理液供给部用于在所述湿式模式下向所述喷出部供给所述处理液作为所述流体。
4.如权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给部对所述喷出部作为所述处理液供给用于去除微粒的化学溶液后供给纯水。
5.如权利要求3或4所述的基板处理装置，其特征在于，包括：
冷却用气体供给部，在转移至所述湿式模式之前，代替臭氧气体向所述喷出部供给冷却用气体，对与所述转台一体旋转的所述基板进行冷却。
6.如权利要求1～5中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述喷出部具有多个喷嘴，各喷嘴所喷...
【专利技术属性】
技术研发人员：舟桥伦正，房野正幸，小见山昌彦，户田贵大，河合勇治，
申请(专利权)人：株式会社JET，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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