【技术实现步骤摘要】
硅控整流电路及装置
本技术涉及可控硅
,尤其涉及一种硅控整流电路及装置。
技术介绍
一般有两种可控硅驱动方案,软件方案:使用MCU等处理器,检测电网电压后,进行判断、发波以及功率放大后直接驱动可控硅;纯硬件方案:不使用MCU等处理器,只使用硬件电路检测电网相关电压后,进行判断、发波以及功率放大后直接驱动可控硅。其中,使用MCU等处理器控制可控硅发波、不使用上电缓电阻的可控硅驱动方案,一般都将驱动电路的地设置在二次侧接地上。若通过高阻隔离的方式检测电网电压进行控制,则需要考虑一次侧和二次侧之间进行打耐压时的漏电流,此时高阻隔离通路流过的漏电流较大;同时,驱动电路的地与三相上管可控硅的驱动极需要隔离,增加成本与延时。上述内容仅用于辅助理解本技术的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。
技术实现思路
本技术的主要目的在于提供一种硅控整流电路及装置,旨在解决现有可控硅驱动电路的地设置在二次侧,在可控硅驱动时存在需要隔离造成成本高、延时和漏电流的技术问题。为实现上述目的,本技术提供了一种硅控整流电路,所述硅控整流电路包括:整流模块、控制模块以及驱动模块,所述控制模块分别与所述整流模块和所述驱动模块连接,所述整流模块和所述控制模块均与电网输入端连接,所述整流模块包括至少一个硅控整流管,各个所述硅控整流管的第一端与所述驱动模块连接,各个所述硅控整流管的第二端与所述电网输入端连接,各个所述硅控整流管的第三端与母线连接,且所述控制模块和所述驱动模块的接地端与所述母线连接,其中,所述控制 ...
【技术保护点】
1.一种硅控整流电路,其特征在于,所述硅控整流电路包括:整流模块、控制模块以及驱动模块,所述控制模块分别与所述整流模块和所述驱动模块连接,所述整流模块和所述控制模块均与电网输入端连接,所述整流模块包括至少一个硅控整流管,各个所述硅控整流管的第一端与所述驱动模块连接,各个所述硅控整流管的第二端与所述电网输入端连接,各个所述硅控整流管的第三端与母线连接,且所述控制模块和所述驱动模块的接地端与所述母线连接,其中,/n所述控制模块,用于采集所述整流模块中各个硅控整流管第二端与第三端之间的电压,并根据所述各个硅控整流管第二端与第三端之间的电压生成驱动信号;和/或,所述控制模块,用于采集所述电网输入端电压,并根据所述电网输入端电压生成驱动信号;/n所述控制模块,还用于将所述驱动信号传输至所述驱动模块;/n所述驱动模块,用于接收所述驱动信号,并根据所述驱动信号控制各个所述硅控整流管。/n
【技术特征摘要】
1.一种硅控整流电路,其特征在于,所述硅控整流电路包括:整流模块、控制模块以及驱动模块,所述控制模块分别与所述整流模块和所述驱动模块连接,所述整流模块和所述控制模块均与电网输入端连接,所述整流模块包括至少一个硅控整流管,各个所述硅控整流管的第一端与所述驱动模块连接,各个所述硅控整流管的第二端与所述电网输入端连接,各个所述硅控整流管的第三端与母线连接,且所述控制模块和所述驱动模块的接地端与所述母线连接,其中,
所述控制模块,用于采集所述整流模块中各个硅控整流管第二端与第三端之间的电压,并根据所述各个硅控整流管第二端与第三端之间的电压生成驱动信号;和/或,所述控制模块,用于采集所述电网输入端电压,并根据所述电网输入端电压生成驱动信号;
所述控制模块,还用于将所述驱动信号传输至所述驱动模块;
所述驱动模块,用于接收所述驱动信号,并根据所述驱动信号控制各个所述硅控整流管。
2.如权利要求1所述的硅控整流电路,其特征在于,各个所述硅控整流管的第一端为控制端,各个所述硅控整流管的第二端为阳极,各个所述硅控整流管的第三端为阴极。
3.如权利要求1所述的硅控整流电路,其特征在于,所述控制模块,还用于采集所述整流模块中各个硅控整流管第二端与所述母线之间的电压,并根据所述各个硅控整流管第二端与所述母线之间的电压生成驱动信号;
和/或,所述控制模块,用于采集所述电网输入端中第一相、第二相与第三相之间的电压,并根据所述电网输入端中第一相、第二相与第三相之间的电压生成驱动信号。
4.如权利要求1所述的硅控整流电路,其特征在于,所述整流模块包括硅控整流桥电路,所述硅控整流桥电路与电网输入端连接;其中,
所述硅控整流桥电路,用于接收所述电网输入端输入的三相交流电,并对所述三相交流电进行整流,以输出直流电;
所述硅控整流桥电路,还用于接收所述驱动模块的驱动信号,并根据所述驱动信号控制所述直流电输出。
5.如权利要求4所述的硅控整流电路,其特征在于,所述整流模块还包括直流总线电路,所述直流总线电路的输入端与所述硅控整流桥电...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴岩松,
申请(专利权)人:苏州汇川技术有限公司,
类型:新型
国别省市:江苏;32
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