发光装置、光学装置以及信息处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光装置、光学装置以及信息处理装置，发光装置包括：导热率为10W/m·K以上的绝缘性的基材；发光元件，具有阴极电极及阳极电极，且被设在所述基材的表面侧；电容元件，设于所述基材，对所述发光元件供给电流；以及基准电位配线，设在所述基材的背面侧，连接于外部的基准电位，所述基准电位配线连接于所述电容元件，且与所述阴极电极及所述阳极电极绝缘。

【技术实现步骤摘要】
发光装置、光学装置以及信息处理装置
本公开涉及一种发光装置、光学装置以及信息处理装置。
技术介绍
日本专利特开2008-252129号公报中记载了一种发光装置，其具有：陶瓷基板，具有透光性；发光元件，搭载于所述陶瓷基板的表面；配线图案，用于对所述发光元件供给电力；以及金属化层(metalizationlayer)，包含具有反光性的金属，所述金属化层以对从所述发光元件出射的光进行反射的方式而形成在所述陶瓷基板的内部。
技术实现思路
提供一种发光装置等，在发光元件被设在散热基材表面侧的发光装置中，与将对发光元件供给电流的电容元件设在散热基材外部的结构相比较，在对发光元件进行低侧(lowside)驱动的情况下，实现了电路电感(inductance)的降低与散热性的提高。根据本公开的第一方案，提供一种发光装置，包括：导热率为10W/m·K以上的绝缘性的基材；发光元件，具有阴极电极及阳极电极，且被设在所述基材的表面侧；电容元件，设于所述基材，对所述发光元件供给电流；以及基准电位配线，设在所述基材的背面侧，连接于外部的基准电位，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，包括：/n导热率为10W/m·K以上的绝缘性的基材；/n发光元件，具有阴极电极及阳极电极，且被设在所述基材的表面侧；/n电容元件，设于所述基材，对所述发光元件供给电流；以及/n基准电位配线，设在所述基材的背面侧，连接于外部的基准电位，/n所述基准电位配线连接于所述电容元件，且与所述阴极电极及所述阳极电极绝缘。/n

【技术特征摘要】
20200226 JP 2020-0305941.一种发光装置，包括：
导热率为10W/m·K以上的绝缘性的基材；
发光元件，具有阴极电极及阳极电极，且被设在所述基材的表面侧；
电容元件，设于所述基材，对所述发光元件供给电流；以及
基准电位配线，设在所述基材的背面侧，连接于外部的基准电位，
所述基准电位配线连接于所述电容元件，且与所述阴极电极及所述阳极电极绝缘。


2.根据权利要求1所述的发光装置，具有：
第一表面配线，设在所述基材的表面侧，且连接于所述阴极电极与所述阳极电极的其中一者，
所述发光元件设在所述第一表面配线上，
所述基准电位配线在俯视时与所述第一表面配线的至少一部分重合。


3.根据权利要求1所述的发光装置，具有：
第一表面配线，设在所述基材的表面侧，且连接于所述阴极电极与所述阳极电极的其中一者；以及
第二表面配线，设在所述基材的表面侧，且连接于所述阴极电极与所述阳极电极的另一者，
所述基准电位配线在俯视时与所述第一表面配线或所述第二表面配线的至少一部分重合。


4.根据权利要求3所述的发光装置，其中
所述基准电位配线在俯视时与所述第一表面配线及所述第二表面配线各自的至少一部分重合。


5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光装置，其中
所述基准电位配线在俯视时与所述发光元件的至少一部分重合。


6.根据权利要求3至5中任一项所述的发光装置，具有：
第一背面配线，设在所述基材的背面侧，与所述第一表面配线连接；以及
第二背面配线，设在所述基材的背面侧，与所述第二表面配线连接，
所述基准电位配线的面积大于所述第一背面配线的面积及所述第二背面配线的面积的至少一者。


7.根据权利要求3至5中任一项所述的发光装置，具有：
第一背面配线，设在所述基材的背面侧，与所述第一表面配线连接；以及
第二背面配线，设在所述基材的背面侧，与所述第二表面配线连接，
所述基准电位配线的面积分别大于所述第一背面配线的面积及所述第二背面配线的面积。

【专利技术属性】
技术研发人员：井口大介，
申请(专利权)人：富士胶片商业创新有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP