本发明专利技术提供一种发光装置、光学装置以及信息处理装置，发光装置包括：导热率为10W/m·K以上的绝缘性的基材；发光元件，具有阴极电极及阳极电极，且被设在所述基材的表面侧；电容元件，设于所述基材，对所述发光元件供给电流；以及基准电位配线，设在所述基材的背面侧，连接于外部的基准电位，所述基准电位配线连接于所述电容元件，且与所述阴极电极及所述阳极电极绝缘。
【技术实现步骤摘要】
发光装置、光学装置以及信息处理装置
本公开涉及一种发光装置、光学装置以及信息处理装置。
技术介绍
日本专利特开2008-252129号公报中记载了一种发光装置，其具有：陶瓷基板，具有透光性；发光元件，搭载于所述陶瓷基板的表面；配线图案，用于对所述发光元件供给电力；以及金属化层(metalizationlayer)，包含具有反光性的金属，所述金属化层以对从所述发光元件出射的光进行反射的方式而形成在所述陶瓷基板的内部。
技术实现思路
提供一种发光装置等，在发光元件被设在散热基材表面侧的发光装置中，与将对发光元件供给电流的电容元件设在散热基材外部的结构相比较，在对发光元件进行低侧(lowside)驱动的情况下，实现了电路电感(inductance)的降低与散热性的提高。根据本公开的第一方案，提供一种发光装置，包括：导热率为10W/m·K以上的绝缘性的基材；发光元件，具有阴极电极及阳极电极，且被设在所述基材的表面侧；电容元件，设于所述基材，对所述发光元件供给电流；以及基准电位配线，设在所述基材的背面侧，连接于外部的基准电位，所述基准电位配线连接于所述电容元件，且与所述阴极电极及所述阳极电极绝缘。根据本公开的第二方案，所述发光装置具有：第一表面配线，设在所述基材的表面侧，且连接于所述阴极电极与所述阳极电极的其中一者，所述发光元件设在所述第一表面配线上，所述基准电位配线在俯视时与所述第一表面配线的至少一部分重合。根据本公开的第三方案，所述发光装置具有：第一表面配线，设在所述基材的表面侧，且连接于所述阴极电极与所述阳极电极的其中一者；以及第二表面配线，设在所述基材的表面侧，且连接于所述阴极电极与所述阳极电极的另一者，所述基准电位配线在俯视时与所述第一表面配线或所述第二表面配线的至少一部分重合。根据本公开的第四方案，所述基准电位配线在俯视时与所述第一表面配线及所述第二表面配线各自的至少一部分重合。根据本公开的第五方案，所述基准电位配线在俯视时与所述发光元件的至少一部分重合。根据本公开的第六方案，所述发光装置具有：第一背面配线，设在所述基材的背面侧，与所述第一表面配线连接；以及第二背面配线，设在所述基材的背面侧，与所述第二表面配线连接，所述基准电位配线的面积大于所述第一背面配线的面积及所述第二背面配线的面积的至少一者。根据本公开的第七方案，所述发光装置具有：第一背面配线，设在所述基材的背面侧，与所述第一表面配线连接；以及第二背面配线，设在所述基材的背面侧，与所述第二表面配线连接，所述基准电位配线的面积分别大于所述第一背面配线的面积及所述第二背面配线的面积。根据本公开的第八方案，所述电容元件设在所述基材的表面侧，所述基准电位配线具有在俯视时包含所述电容元件的面积。根据本公开的第九方案，所述基材整体包含陶瓷材料。根据本公开的第十方案，所述发光元件为垂直腔面发射激光器元件。根据本公开的第十一方案，所述发光元件是具有多个发光元件的发光元件阵列。根据本公开的第十二方案，所述发光装置具有扩散构件，所述扩散构件使从所述发光元件出射的光扩散而照射至外部。根据本公开的第十三方案，所述发光装置具有驱动部，所述驱动部与所述发光元件连接，对所述发光元件进行低侧驱动。根据本公开的第十四方案，提供一种光学装置，包括：所述发光装置；以及受光部，接收从所述发光装置所包括的发光元件出射并由被测定物予以反射的反射光，所述受光部输出一信号，所述信号相当于从光自所述发光元件出射开始直至被所述受光部接收为止的时间。根据本公开的第十五方案，提供一种信息处理装置，包括：所述光学装置；以及形状确定部，基于从所述光学装置所包括的光源出射并由被测定物予以反射而被所述光学装置所包括的受光部接收的反射光，来确定所述被测定物的三维形状。根据本公开的第十六方案，所述信息处理装置包括认证处理部，所述认证处理部基于所述形状确定部中的确定结果，进行与自身装置的使用相关的认证处理。根据本公开的第十七方案，提供一种发光装置，包括：绝缘性的第一基材；发光元件，具有阴极电极及阳极电极，且设在所述第一基材的表面侧；电容元件，设于所述第一基材，对所述发光元件供给电流；背面配线，设在所述第一基材的背面侧，连接于所述电容元件，并且与所述阴极电极及所述阳极电极绝缘；以及配线基板，包含导热率比所述第一基材的导热率小的绝缘性的第二基材，且搭载所述第一基材，所述背面配线连接于所述配线基板中所含的彼此绝缘的多个配线中的面积最大的配线。(效果)根据所述第一方案或第十七方案，与将对发光元件供给电流的电容元件设在基材外部的结构相比较，在对发光元件进行低侧驱动的情况下，电路电感降低，散热性提高。根据所述第二方案，与基准电位配线不跟第一表面配线的至少一部分重合的情况相比较，容易使发光元件的热从基材的背面侧散发至外部。根据所述第三方案，与基准电位配线跟第一表面配线及第二表面配线均不重合的情况相比较，能够加大基准电位配线的面积。根据所述第四方案，与基准电位配线仅跟第一表面配线及第二表面配线的其中任一个重合的情况相比较，能够加大基准电位配线的面积。根据所述第五方案，与基准电位配线在俯视时不跟发光元件重合的情况相比较，容易使发光元件的热从基材的背面侧进一步散发至外部。根据所述第六方案，与基准电位配线的面积分别比第一背面配线的面积及第二背面配线的面积小的情况相比较，容易使发光元件的热从基材的背面侧散发至外部。根据所述第七方案，与仅第一背面配线的面积及第二背面配线的面积的其中一者比基准电位配线的面积大的情况相比较，容易使发光元件的热从基材的背面侧散发至外部。根据所述第八方案，与具有不包含电容元件的面积的情况相比较，容易使发光元件的热从基材的背面侧散发至外部。根据所述第九方案，与使用导热率比整体包含陶瓷材料的基材低的基材的情况相比较，容易使发光元件的热从基材的背面侧散发至外部。根据所述第十方案，与发光元件为发光二极管(LightEmittingDiode，LED)元件的情况相比较，可出射扩展角窄的光。根据所述第十一方案，与仅为单个发光元件的情况相比较，容易加大出射光量。根据所述第十二方案，与不具有光扩散构件的情况相比较，能够将从光源出射的光照射至更广的范围。根据所述第十三方案，与对发光元件进行高侧驱动的情况相比较，容易驱动发光元件。根据所述第十四方案，可提供能进行三维测定的光学装置。根据所述第十五方案，可提供能够测定三维形状的信息处理装置。根据所述第十六方案，可提供搭载有基于三维形状的认证处理的信息处理装置。附图说明图1是表示信息处理装置的一例的图。图2是说明信息处理装置的结构的框图。图3是光源的平面图。图4是说明光源中的一个垂直腔面发射激光器元件(VerticalCavitySurfaceEmittingLaser，VCSEL)的剖面结构的图。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种发光装置，包括：/n导热率为10W/m·K以上的绝缘性的基材；/n发光元件，具有阴极电极及阳极电极，且被设在所述基材的表面侧；/n电容元件，设于所述基材，对所述发光元件供给电流；以及/n基准电位配线，设在所述基材的背面侧，连接于外部的基准电位，/n所述基准电位配线连接于所述电容元件，且与所述阴极电极及所述阳极电极绝缘。/n
【技术特征摘要】
20200226 JP 2020-0305941.一种发光装置，包括：
导热率为10W/m·K以上的绝缘性的基材；
发光元件，具有阴极电极及阳极电极，且被设在所述基材的表面侧；
电容元件，设于所述基材，对所述发光元件供给电流；以及
基准电位配线，设在所述基材的背面侧，连接于外部的基准电位，
所述基准电位配线连接于所述电容元件，且与所述阴极电极及所述阳极电极绝缘。
2.根据权利要求1所述的发光装置，具有：
第一表面配线，设在所述基材的表面侧，且连接于所述阴极电极与所述阳极电极的其中一者，
所述发光元件设在所述第一表面配线上，
所述基准电位配线在俯视时与所述第一表面配线的至少一部分重合。
3.根据权利要求1所述的发光装置，具有：
第一表面配线，设在所述基材的表面侧，且连接于所述阴极电极与所述阳极电极的其中一者；以及
第二表面配线，设在所述基材的表面侧，且连接于所述阴极电极与所述阳极电极的另一者，
所述基准电位配线在俯视时与所述第一表面配线或所述第二表面配线的至少一部分重合。
4.根据权利要求3所述的发光装置，其中
所述基准电位配线在俯视时与所述第一表面配线及所述第二表面配线各自的至少一部分重合。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光装置，其中
所述基准电位配线在俯视时与所述发光元件的至少一部分重合。
6.根据权利要求3至5中任一项所述的发光装置，具有：
第一背面配线，设在所述基材的背面侧，与所述第一表面配线连接；以及
第二背面配线，设在所述基材的背面侧，与所述第二表面配线连接，
所述基准电位配线的面积大于所述第一背面配线的面积及所述第二背面配线的面积的至少一者。
7.根据权利要求3至5中任一项所述的发光装置，具有：
第一背面配线，设在所述基材的背面侧，与所述第一表面配线连接；以及
第二背面配线，设在所述基材的背面侧，与所述第二表面配线连接，
所述基准电位配线的面积分别大于所述第一背面配线的面积及所述第二背面配线的面积。
【专利技术属性】
技术研发人员：井口大介，
申请(专利权)人：富士胶片商业创新有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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