半导体结构的覆盖层剥除方法及半导体结构失效分析方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体结构的覆盖层剥除方法及半导体结构失效分析方法，涉及半导体结构失效分析技术领域，半导体结构的覆盖层剥除方法包括如下步骤：提供承载基板，将多个半导体结构固定连接在所述承载基板的上表面，且半导体结构的覆盖层位于主体的上方；对承载基板上的半导体结构的衬底进行离子注入，然后对离子注入后的衬底进行加热；去除破裂残渣；对剩余在主体上的衬底进行研磨，以去除衬底。本方案可以同时对多个半导体结构进行集中处理，离子注入与加热操作配合，使衬底开裂，达到去除衬底的绝大部分的效果，减少了对半导体结构的机械研磨时间，能够提高获取的主体的良品率。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的覆盖层剥除方法及半导体结构失效分析方法
本专利技术涉及半导体结构失效分析
，尤其是涉及一种半导体结构的覆盖层剥除方法及半导体结构失效分析方法。
技术介绍
半导体结构包括衬底以及位于衬底上方的半导体材料，在研发过程中，需要对半导体结构进行失效分析，而寻找缺陷位置又是找到失效原因的关键步骤。对于失效的半导体结构而言，在持续的工作电流的作用下，外延层部分已经发生烧毁熔融等问题，且烧毁的起始位置一般对应外延材料的缺陷位置。在表征的过程中，需要先自衬底一侧，将半导体结构中衬底及依次设置的其他无关检测的层结构（衬底及依次设置的其他无关检测的层结构简称为覆盖层）逐渐磨掉，使半导体材料的待检测层露出来，然后对待检测层进行失效分析。因为半导体结构体积较小，现有的失效分析过程中，均是采用单独研磨的方式对一个半导体结构进行长时间的研磨，从而去除覆盖层，造成覆盖层去除效率低的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体结构的覆盖层剥除方法及半导体结构失效分析方法，以缓解现有的半导体结构的衬底去除效率低的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体结构的覆盖层剥除方法，所述半导体结构包括覆盖层（320）以及覆盖层（320）上方的主体（310），所述主体（310）与所述覆盖层（320）的连接面为失效检测面，其特征在于，所述半导体结构的覆盖层剥除方法包括如下步骤：/nS1.提供承载基板（100）；/nS2.将多个半导体结构固定连接在所述承载基板（100）的上表面，且半导体结构的覆盖层（320）位于主体（310）的上方；/nS3.自上而下，对承载基板（100）上的半导体结构的覆盖层（320）进行离子注入，然后对离子注入后的覆盖层（320）进行加热，以使覆盖层（320）上的离子注入区域（330）破裂；去除破裂残渣；/nS4.对剩余...

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的覆盖层剥除方法，所述半导体结构包括覆盖层（320）以及覆盖层（320）上方的主体（310），所述主体（310）与所述覆盖层（320）的连接面为失效检测面，其特征在于，所述半导体结构的覆盖层剥除方法包括如下步骤：
S1.提供承载基板（100）；
S2.将多个半导体结构固定连接在所述承载基板（100）的上表面，且半导体结构的覆盖层（320）位于主体（310）的上方；
S3.自上而下，对承载基板（100）上的半导体结构的覆盖层（320）进行离子注入，然后对离子注入后的覆盖层（320）进行加热，以使覆盖层（320）上的离子注入区域（330）破裂；去除破裂残渣；
S4.对剩余在主体（310）上的部分覆盖层（320）进行研磨，以完全去除覆盖层（320）。


2.根据权利要求1所述的半导体结构的覆盖层剥除方法，其特征在于，所述承载基板（100）的上表面上设置有多个定位凹槽（110），所述定位凹槽（110）用于容纳所述半导体结构的主体（310），且所述定位凹槽（110）的深度小于或者等于所述主体（310）的高度。


3.根据权利要求2所述的半导体结构的覆盖层剥除方法，其特征在于，所述定位凹槽（110）的侧方设置有辅助结构（120），所述辅助结构（120）位于所述承载基板（100）的上表面，所述辅助结构（120）的最高点平齐于或者低于所述半导体结构的覆盖层（320）与主体（310）的连接面；
沿所述承载基板（100）的上表面，所述辅助结构（120）与所述定位凹槽（110）的侧壁之间间隔设置，所述辅助结构（120）和主体（310）之间通过粘结剂（200）连接。

【专利技术属性】
技术研发人员：杨国文，王希敏，惠利省，
申请(专利权)人：度亘激光技术苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32