一种半导体制造设备部件表面痕量污染的测试方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体制造设备部件表面痕量元素污染的非破坏性检测方法,该方法基于无尘棉签擦拭的间接取样方式，将制造设备部件表面痕量元素通过棉签擦拭出来，继而用酸浸泡棉签一段时间，最后取出棉签，利用ICP‑MS测试溶液中元素含量,对零部件表面痕量污染元素的定量测试有助于开发合理有效的清洗再生工艺，提高其再利用的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体制造设备部件表面痕量污染的测试方法
本专利技术涉及一种设备零部件表面痕量元素污染的测试方法，尤其涉及半导体制造工业中的精密设备部件的表面污染。
技术介绍
随着半导体行业的快速发展，对先进半导体制程的研究愈发迫切。由于其制造过程中极易引入污染(金属离子、颗粒等)，因此零部件的清洗环节愈发重要。D.Burkman等人在“Microcontamination”一文(D.Burkman,C.Peterson,L.Zazzera,andR.KOPP,Microcontamination,Nov1988,p57-62)中介绍了无机杂质元素污染对半导体行业带来的危害，如碱金属与碱土金属(Li,Na,K,Ca,Mg,Ba等)污染可造成元器件漏电，造成低击穿；过渡金属与重金属(Fe,Cr,Ni,Cu,Au,Mn,Pb等)污染可使元器件寿命缩短或元器件工作时暗电流增大；掺杂元素(B,P,S,As,Sb等)污染有扩散作用，会影响电子和空穴的数量等，因此有效清洗半导体制造设备对于半导体行业极其关键。为了确保控制制造环境中的微污染，提高产品良率，对制造本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体制造设备部件表面痕量污染的测试方法，其特征在于：具体步骤如下：/n步骤S01：在洁净室内取出事先准备的一根洁净棉签，放置于一个洁净的全氟烷氧基树脂空瓶内，用稀硝酸溶液浸泡5-10分钟后，用电感耦合等离子质谱测试溶液中元素含量；/n步骤S02：取出事先准备的另一根洁净棉签在待测部件表面轻轻擦拭并计算出擦拭区域面积，之后放置于一个洁净的全氟烷氧基树脂空瓶内，用与步骤S01相同浓度相同体积的稀硝酸溶液浸泡与步骤S01相同的时间后，取出棉签，最后用电感耦合等离子质谱测试溶液中元素含量；/n步骤S03：取两次测试结果的差值，通过表面污染物浓度的计算公式计算最终得到待测半导体制造设备部件表面...

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造设备部件表面痕量污染的测试方法，其特征在于：具体步骤如下：
步骤S01：在洁净室内取出事先准备的一根洁净棉签，放置于一个洁净的全氟烷氧基树脂空瓶内，用稀硝酸溶液浸泡5-10分钟后，用电感耦合等离子质谱测试溶液中元素含量；
步骤S02：取出事先准备的另一根洁净棉签在待测部件表面轻轻擦拭并计算出擦拭区域面积，之后放置于一个洁净的全氟烷氧基树脂空瓶内，用与步骤S01相同浓度相同体积的稀硝酸溶液浸泡与步骤S01相同的时间后，取出棉签，最后用电感耦合等离子质谱测试溶液中元素含量；
步骤S03：取两次测试结果的差值，通过表面污染物浓度的计算公式计算最终得到待测半导体制造设备部件表面痕量元素污染含量，单位E10atoms/cm2；
所述表面污染物浓度的计算公式为：



其中：Cp为测试部件的浓度，单位ppt，记为后值；
CB为空白对照的浓度，单位ppt，记为前值；
V为浸泡待测棉签的稀硝酸体积，单位mL；
D为浸泡溶液的密度，单位g/cm3；
NA为阿伏伽德罗常数：6.022×1023；
Aw为原子序数；
S为擦拭面积，单位cm2。


2.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：管方方，贺贤汉，金奇梅，幸仁华，张正伟，蒋立峰，
申请(专利权)人：上海富乐德智能科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31