阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种阵列基板及显示装置。该阵列基板包括：衬底，包括显示区和围绕所述显示区的周边区；负极电源线，位于所述衬底的一侧且位于所述周边区，所述负极电源线围绕所述显示区；平坦化层，位于所述负极电源线远离所述衬底的一侧；第一过孔，位于所述周边区且贯穿所述平坦化层；极，位于所述平坦化层远离所述衬底的一侧，所述阴极通过所述第一过孔与所述负极电源线电连接；第一搭接辅助结构，位于所述平坦化层与所述阴极之间，且位于所述第一过孔的侧壁上，以降低所述第一过孔的坡度角。本实施例提供的阵列基板能够降低阴极的爬坡难度，从而防止阴极发生断裂，以保证阴极信号的正常传输。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及显示装置
本申请涉及显示
，具体而言，本申请涉及一种阵列基板及显示装置。
技术介绍
对于OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)显示装置来说，为了实现阴极与位于平坦化层下方的负极电源线负极电源线(VSS)的搭接，需要将周边区的平坦化层去除。但高精度的OLED显示装置的平坦层厚度较大，在对平坦化层进行干法刻蚀时，形成的过孔的深度较深，坡度角较大，增加了阴极制作过程中的爬坡难度，容易造成阴极在爬坡处厚度较薄，从而引起该区域的阴极的电阻过大，严重时甚至会出现阴极断裂的情况，无法实现阴极与负极电源线的搭接。
技术实现思路
本申请针对现有方式的缺点，提出一种阵列基板及显示装置，用以解决现有技术存在周边区的平坦化层的过孔深度较深、坡度角较大引起的阴极爬坡难度较大的技术问题。第一个方面，本申请实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：衬底，包括显示区和围绕所述显示区的周边区；负极电源线，位于所述衬底的一侧且位于所述周边区，所述负极电源线围绕所述显示区；平坦化层，位于所述负极电源线远离所述衬底的一侧；第一过孔，位于所述周边区且贯穿所述平坦化层；阴极，位于所述平坦化层远离所述衬底的一侧，所述阴极通过所述第一过孔与所述负极电源线电连接；第一搭接辅助结构，位于所述平坦化层与所述阴极之间，且位于所述第一过孔的侧壁上，以降低所述第一过孔的坡度角。可选地，所述第一搭接辅助结构包括位于所述平坦化层远离所述衬底的第一部分和位于所述第一过孔侧壁上的第二部分，所述第一部分和所述第二部分连续设置；所述第二部分的坡度角小于所述第一过孔的坡度角。可选地，所述阵列基板还包括：位于所述负极电源线和所述平坦化层之间的绝缘层、以及贯穿所述绝缘层的第二过孔，所述第二过孔在所述衬底上的正投影位于所述第一过孔在所述衬底上的正投影内。可选地，所述阵列基板还包括：位于所述负极电源线和所述平坦化层之间的绝缘层、以及贯穿所述绝缘层的第二过孔，所述第二过孔在所述衬底上的正投影与所述第一过孔在所述衬底上的正投影不重叠。可选地，所述阵列基板还包括：第二搭接辅助结构，位于所述绝缘层和所述平坦化层之间，且覆盖所述第二过孔，所述阴极通过所述第二搭接辅助结构与所述负极电源线电连接。可选地，所述第二部分同时位于所述第一过孔和所述第二过孔的侧壁上。可选地，所述阵列基板还包括：多个子像素，位于所述显示区；像素定义层，位于所述多个子像素之间；所述第一搭接辅助结构与所述像素定义层材料相同。可选地，所述多个子像素中的至少一个包括：发光元件，包括依次层叠的阳极、发光功能层和所述阴极，所述阳极位于所述阴极靠近所述衬底的一侧；所述第二搭接辅助结构与所述阳极材料相同。可选地，所述周边区包括第一边界、第二边界、第三边界和第四边界，所述阵列基板还包括位于所述第一边界的电路板，所述电路板与所述负极电源线电连接，被配置为所述负极电源线提供电源信号；所述第一过孔位于所述第二边界、所述第三边界和/或所述第四边界。第二个方面，本申请实施例提供了一种显示装置，该显示装置包括上述的阵列基板。本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果是：本实施例提供的阵列基板及显示装置，通过在第一过孔的侧壁上设置第一搭接辅助结构，能够降低第一过孔的坡度角，从而降低阴极在第一过孔处的爬坡难度，从而保证阴极在第一过孔处的厚度及连续性，进而保证阴极信号的正常传输。本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。附图说明本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：图1为相关技术中的一种阵列基板的俯视示意图；图2为相关技术中的一种阵列基板的截面示意图；图3为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图4为本申请实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图5为本申请实施例提供的又一种阵列基板的结构示意图；图6为本申请实施例提供的再一种阵列基板的结构示意图；图7为本申请实施例提供的另又一种阵列基板的结构示意图；图8为本申请实施例提供的另再一种阵列基板的结构示意图；图9为本申请实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；图10为本申请实施例提供的一种显示装置的框架结构示意图；图11为本申请实施例提供的一种阵列基板的制作方法的流程示意图。附图标记：1-衬底；2-源漏极金属层；VSS-负极电源线；S-源电极；D-漏电极，VDD-正极电源线；3-绝缘层；4-阳极层；401-阳极；5-平坦化层；6-像素定义层；7-有机发光层；8-阴极；10-周边区；10a-第一边界；10b-第二边界；10c-第三边界；10d-第四边界；20-显示区；30-电路板；H1-第一过孔；H2-第二过孔；H3-第三过孔；M1-第一搭接辅助结构；M2-第二搭接辅助结构；M3-第三搭接辅助结构。具体实施方式下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。本
技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。本
技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。本申请的专利技术人考虑到，对于OLED显示装置来说，如图1和图2所示，为了实现阴极8与位于平坦化层下方的负极电源线VSS的搭接，需要在周边区10的平坦化层5上形成第一过孔H1。但高精度的OLED显示装置的平坦化层5的厚度较大，平坦化层5的整个上表面较为平坦，因此，平坦化层5的下方的膜层总厚度越小的位置，平坦化层5的厚度越大，例如，阴极8与负极电源线VSS的搭接处的平坦化层5的厚度就较大。且平坦化层5的材料多为有机硅材料，只能采用干法刻蚀。因此，周边区10的用于实现阴极8与负极电源线VSS搭接的贯穿平坦化层5的第一过孔H1的坡度角也较大。这增本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n衬底，包括显示区和围绕所述显示区的周边区；/n负极电源线，位于所述衬底的一侧且位于所述周边区，所述负极电源线围绕所述显示区；/n平坦化层，位于所述负极电源线远离所述衬底的一侧；/n第一过孔，位于所述周边区且贯穿所述平坦化层；/n阴极，位于所述平坦化层远离所述衬底的一侧，所述阴极通过所述第一过孔与所述负极电源线电连接；/n第一搭接辅助结构，位于所述平坦化层与所述阴极之间，且位于所述第一过孔的侧壁上，以降低所述第一过孔的坡度角。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底，包括显示区和围绕所述显示区的周边区；
负极电源线，位于所述衬底的一侧且位于所述周边区，所述负极电源线围绕所述显示区；
平坦化层，位于所述负极电源线远离所述衬底的一侧；
第一过孔，位于所述周边区且贯穿所述平坦化层；
阴极，位于所述平坦化层远离所述衬底的一侧，所述阴极通过所述第一过孔与所述负极电源线电连接；
第一搭接辅助结构，位于所述平坦化层与所述阴极之间，且位于所述第一过孔的侧壁上，以降低所述第一过孔的坡度角。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一搭接辅助结构包括位于所述平坦化层远离所述衬底的第一部分和位于所述第一过孔侧壁上的第二部分，所述第一部分和所述第二部分连续设置；
所述第二部分的坡度角小于所述第一过孔的坡度角。


3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
位于所述负极电源线和所述平坦化层之间的绝缘层、以及贯穿所述绝缘层的第二过孔，所述第二过孔在所述衬底上的正投影位于所述第一过孔在所述衬底上的正投影内。


4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
位于所述负极电源线和所述平坦化层之间的绝缘层、以及贯穿所述绝缘层的第二过孔，所述第二过孔在所述衬底上的正投影与所述第一过孔在所述衬底上的正投影不重叠。


5.根据权利要求3或4所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
第二搭接辅助结构，位于所述绝缘层和所述平坦化层之间，且覆盖所述第二过孔，所述阴极通过所述第二搭接辅助结构与所述负极电源线电连接。

【专利技术属性】
技术研发人员：程磊磊，李永谦，张大成，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34