显示背板、制作方法以及显示装置制造方法及图纸

本申请实施例提供一种显示背板、制作方法以及显示装置，显示背板包括衬底、薄膜晶体管和层间介质层，在栅极远离衬底的一侧，层间介质层包括层叠设置的第一介质层和第二介质层，第二介质层相对于第一介质层远离衬底；第二介质层的致密性低于第一介质层；层间介质层上设置有过孔，过孔在第二介质层的部分为湿刻结构，在第一介质层的部分为干刻结构。本实施例中，将层间介质层制作成不同致密性的叠层结构，低致密性的介质层位于外侧，采用湿刻制作过孔，高致密性的介质层位于内侧，在外侧湿刻完成后通过干刻继续制作过孔，从而得到具有湿刻结构和干刻结构的过孔，既可以避免光刻胶变性，有可以保证高均一性，从而提高显示背板的产品良率。

【技术实现步骤摘要】
显示背板、制作方法以及显示装置
本申请实施例涉及显示装置
，尤其涉及一种显示背板、制作方法以及显示装置。
技术介绍
大尺寸、高分辨显示装置的显示背板通常采用顶栅型薄膜晶体管，相较于底栅型薄膜晶体管，顶栅型薄膜晶体管具有较高的开态电流(Ion)、更高的开口率、以及更好的稳定性。顶栅型薄膜晶体管包括有源层、栅极绝缘层、栅极、源极、漏极以及层间介质层，源极和漏极通过层间介质层上的过孔与有源层相连。在薄膜晶体管中半导体材料为金属氧化物时，例如IGZO，为实现较好的氧化物特性稳定性，层间介质层使用纯氧化硅。当氧化硅制成的层间介质层厚度较大时，通过干刻的方式在层间介质层上形成过孔需要有较大过刻量，较大过刻量会使干刻时间较长，长时间干刻易造成光刻胶变性而剥离不干净，变性的光刻胶堆积在过孔中易造成金属搭接不良形成暗点；然而采用湿刻的方式在层间介质层上形成过孔时，均一性又较差，且SiO2刻蚀液会腐蚀IGZO层造成过孔接触不良，因此采用湿刻加干刻两部刻蚀的方法。
技术实现思路
有鉴于此，本申请实施例的目的在于提出一种显示背板、制作方法以及显示装置。第一方面，本申请实施例提供了一种显示背板，包括衬底和设置于所述衬底的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极、源极、漏极和层间介质层，所述栅极设置于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述层间介质层分隔所述栅极、所述源极和所述漏极；在所述栅极远离所述衬底的一侧，所述层间介质层包括层叠设置的第一介质层和第二介质层，所述第二介质层相对于所述第一介质层远离所述衬底；所述第二介质层的致密性低于所述第一介质层；所述层间介质层上设置有过孔，所述过孔在所述第二介质层的部分为湿刻结构，在所述第一介质层的部分为干刻结构。在上述显示背板中，将层间介质层制作成不同致密性的叠层结构，低致密性的介质层位于外侧，采用湿刻制作过孔，高致密性的介质层位于内侧，在外侧湿刻完成后通过干刻继续制作过孔，从而得到具有湿刻结构和干刻结构的过孔，如此设计，既可以使用湿刻，避免光刻胶变性，减轻光刻胶干刻变性造成的金属搭接不良，也可以利用干刻的高均一性，从而提高显示背板的产品良率。在一种可能的实施方式中，所述栅极采用抗氧化金属制作。在一种可能的实施方式中，所述栅极采用易氧化金属制作，所述层间介质层还包括第三介质层，所述第三介质层相对于所述第一介质成靠近所述衬底，且所述第三介质层的致密性低于所述第一介质层；所述过孔包括在所述第三介质层的干刻结构。在一种可能的实施方式中，所述第三介质层和所述第一介质层的厚度均小于所述第二介质层的厚度。在一种可能的实施方式中，所述有源层采用金属氧化物半导体材料制作，所述层间介质层采用氧化硅制作。在一种可能的实施方式中，所述衬底设置有金属遮光层和缓冲层，所述缓冲层相对于所述金属遮光层远离所述衬底，且相对于所述有源层靠近所述衬底；所述缓冲层上设置有干刻成型的第一过孔，所述第一过孔中设置有覆盖所述金属遮光层的金属保护层，所述层间介质层设置有与所述第一过孔连通的第二过孔，所述源极通过所述第二过孔和所述第一过孔连接至所述金属保护层。在一种可能的实施方式中，所述缓冲层远离所述衬底的一侧设置有半导体层，所述半导体层包括所述有源层，所述金属保护层为所述半导体层导体化形成。在一种可能的实施方式中，所述缓冲层远离所述衬底的一侧设置有半导体层，所述半导体层包括所述有源层，所述有源层包括沟道区以及导体化的源极区和漏极区，所述金属保护层位于所述源极区。在一种可能的实施方式中，所述显示背板包括存储电容，所述存储电容包括层叠设置的第一电极、第二电极和第三电极，且所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极之间相互绝缘；在一种可能的实施方式中，所述显示背板为底发射结构，所述源极连接有像素电极，所述像素电极和所述衬底之间设置有彩膜层。在一种可能的实施方式中，所述显示背板还包括在所述源极和所述漏极远离所述衬底一侧层叠设置的钝化层和平坦层。第二方面，本申请实施例提供了一种显示背板的制作方法，包括：获取衬底；在所述衬底的一侧制作有源层、栅极绝缘层与栅极；在所述栅极远离所述衬底一侧依次沉积第一介质层和第二介质层，所述第二介质层的致密性低于所述第一介质层；湿刻所述第二介质层，干刻所述第一介质层，形成过孔。在一种可能的实施方式中，所述在所述衬底的一侧制作有源层、栅极绝缘层与栅极，包括：在所述衬底一侧沉积金属遮光层和覆盖所述金属遮光层的缓冲层；刻蚀所述缓冲层形成露出所述金属遮光层的第一过孔；在所述缓冲层远离所述衬底一侧，制作与所述金属遮光层相对的有源层，制作覆盖所述第一过孔的金属保护层。在一种可能的实施方式中，所述制作与所述金属遮光层相对的有源层，制作覆盖所述第二过孔的金属保护层，包括：采用金属氧化物半导体材料沉积半导体层；通过构图工艺形成沟道区图形和与第一过孔对应的第一图形；对所述第一图形进行导体化处理形成所述有源层沟道与源漏极金属电连接层。在一种可能的实施方式中，所述湿刻所述第二介质层，干刻所述第一介质层，形成过孔，包括：制作第二过孔和第三过孔，所述第二过孔与所述第一过孔连通；所述制作方法还包括：通过构图工艺制作源极和漏极，所述漏极通过所述第三过孔与所述有源层连接，所述源极通过所述第二过孔与所述第一过孔与所述金属保护层。第三方面，本申请实施例同时提供了一种显示装置，包括第一方面实施例中任一项所述的显示背板。在一种可能的实施方式中，所述显示装置为有机发光半导体显示装置，所述显示装置还包括有机发光半导体发光器件，所述有机发光半导体发光器件包括依次层叠设置的阳极、有机材料功能层和阴极；所述阳极与所述源极相连。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或相关技术中的技术方案，下面将对实施例或相关技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请一个或多个实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种显示背板的结构示意图；图2为本申请实施例的一种显示背板的制作方法流程图；图3为本申请实施例的一种显示背板在制作过程的结构示意图一；图4为本申请实施例的一种显示背板在制作过程的结构示意图二；图5为本申请实施例的一种显示背板在制作过程的结构示意图三。附图标记说明：1-衬底、2-缓冲层、3-金属遮光层、4-栅极绝缘层、5-栅极、6-有源层、7-第二介质层、8-钝化层、9-平坦层、10-漏极、11-源极、12-像素电极、13-彩膜层、14-第一电极、15-第一介质层、16-第三介质层、17-第三电极、18-第二电极。具体实施方式大尺寸、高分辨的显示装置，例如如8k产品，88英寸/95英寸等超大尺寸产品，其显示背板通常采用顶栅型薄膜晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示背板，其特征在于：包括衬底和设置于所述衬底的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极、源极、漏极和层间介质层，所述栅极设置于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述层间介质层分隔所述栅极、所述源极和所述漏极；/n在所述栅极远离所述衬底的一侧，所述层间介质层包括层叠设置的第一介质层和第二介质层，所述第二介质层相对于所述第一介质层远离所述衬底；所述第二介质层的致密性低于所述第一介质层；所述层间介质层上设置有过孔，所述过孔在所述第二介质层的部分为湿刻结构，在所述第一介质层的部分为干刻结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示背板，其特征在于：包括衬底和设置于所述衬底的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、栅极、源极、漏极和层间介质层，所述栅极设置于所述有源层远离所述衬底的一侧，所述层间介质层分隔所述栅极、所述源极和所述漏极；
在所述栅极远离所述衬底的一侧，所述层间介质层包括层叠设置的第一介质层和第二介质层，所述第二介质层相对于所述第一介质层远离所述衬底；所述第二介质层的致密性低于所述第一介质层；所述层间介质层上设置有过孔，所述过孔在所述第二介质层的部分为湿刻结构，在所述第一介质层的部分为干刻结构。


2.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于：所述栅极采用抗氧化金属制作。


3.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于：所述栅极采用易氧化金属制作，所述层间介质层还包括第三介质层，所述第三介质层相对于所述第一介质成靠近所述衬底，且所述第三介质层的致密性低于所述第一介质层；所述过孔包括在所述第三介质层的干刻结构。


4.根据权利要求3所述的显示背板，其特征在于：所述第三介质层和所述第一介质层的厚度均小于所述第二介质层的厚度。


5.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于：所述有源层采用金属氧化物半导体材料制作，所述层间介质层采用氧化硅制作。


6.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于：所述衬底设置有金属遮光层和缓冲层，所述缓冲层相对于所述金属遮光层远离所述衬底，且相对于所述有源层靠近所述衬底；
所述缓冲层上设置有干刻成型的第一过孔，所述第一过孔中设置有覆盖所述金属遮光层的金属保护层，所述层间介质层设置有与所述第一过孔连通的第二过孔，所述源极通过所述第二过孔和所述第一过孔连接至所述金属保护层。


7.根据权利要求6所述的显示背板，其特征在于：所述缓冲层远离所述衬底的一侧设置有半导体层，所述半导体层包括所述有源层，所述金属保护层为所述半导体层导体化形成。


8.根据权利要求6所述的显示背板，其特征在于：所述缓冲层远离所述衬底的一侧设置有半导体层，所述半导体层包括所述有源层，所述有源层包括沟道区以及导体化的源极区和漏极区，所述金属保护层位于所述源极区。


9.根据权利要求1所述的显示背板，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：方金钢，王庆贺，丁录科，胡迎宾，张扬，成军，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34