半导体装置以及该半导体装置的制造方法制造方法及图纸

半导体装置以及该半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：层叠结构，其包括交替地层叠的多个绝缘层和多个导电层；沟道结构，其穿透层叠结构；多个数据存储图案，其分别插置在导电层和沟道结构之间；多个阻挡图案，其分别插置在导电层和数据存储图案之间；多个绝缘图案，其分别插置在绝缘层和沟道结构之间；以及多个绝缘衬垫，其插置在绝缘层和绝缘图案之间，多个绝缘衬垫分别围绕绝缘图案。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置以及该半导体装置的制造方法
本公开总体上涉及电子装置，更具体地，涉及一种半导体装置以及该半导体装置的制造方法。
技术介绍
非易失性存储器装置是即使当供电中断时也维持所存储的数据的存储器装置。随着存储器单元以单层形式形成在半导体基板上方的二维非易失性存储器装置的集成度的改进已达到其极限，已提出了存储器单元在垂直方向上形成在半导体基板上方的三维非易失性存储器装置。三维存储器装置包括交替地层叠的层间绝缘层和栅电极以及穿透层间绝缘层和栅电极的沟道层，并且存储器单元沿着沟道层层叠。已开发了各种结构和制造方法以改进三维非易失性存储器装置的操作可靠性。
技术实现思路
根据本公开的一方面，提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：层叠结构，其包括交替地层叠的多个绝缘层和多个导电层；沟道结构，其穿透层叠结构；多个数据存储图案，其分别插置在导电层和沟道结构之间；多个阻挡图案，其分别插置在导电层和数据存储图案之间；多个绝缘图案，其分别插置在绝缘层和沟道结构之间；以及多个绝缘衬垫，其插置在绝缘层和绝缘图案之间，多个绝缘衬垫分别围绕绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：/n层叠结构，该层叠结构包括交替地层叠的多个绝缘层和多个导电层；/n沟道结构，该沟道结构穿透所述层叠结构；/n多个数据存储图案，多个所述数据存储图案分别插置在所述导电层和所述沟道结构之间；/n多个阻挡图案，多个所述阻挡图案分别插置在所述导电层和所述数据存储图案之间；/n多个绝缘图案，多个所述绝缘图案分别插置在所述绝缘层和所述沟道结构之间；以及/n多个绝缘衬垫，多个所述绝缘衬垫插置在所述绝缘层和所述绝缘图案之间，多个所述绝缘衬垫分别围绕所述绝缘图案。/n

【技术特征摘要】
20200220 KR 10-2020-00212751.一种半导体装置，该半导体装置包括：
层叠结构，该层叠结构包括交替地层叠的多个绝缘层和多个导电层；
沟道结构，该沟道结构穿透所述层叠结构；
多个数据存储图案，多个所述数据存储图案分别插置在所述导电层和所述沟道结构之间；
多个阻挡图案，多个所述阻挡图案分别插置在所述导电层和所述数据存储图案之间；
多个绝缘图案，多个所述绝缘图案分别插置在所述绝缘层和所述沟道结构之间；以及
多个绝缘衬垫，多个所述绝缘衬垫插置在所述绝缘层和所述绝缘图案之间，多个所述绝缘衬垫分别围绕所述绝缘图案。


2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，各个所述绝缘衬垫在所述导电层和所述绝缘图案之间、在所述阻挡图案和所述绝缘图案之间以及在所述数据存储图案和所述绝缘图案之间扩展。


3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，各个所述绝缘衬垫包括氧化物层和包括在所述氧化物层中的电荷捕获材料。


4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述数据存储图案和所述阻挡图案之间限定凹部，其中，所述凹部被填充有所述绝缘衬垫。


5.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括围绕所述沟道结构的隧道绝缘层，该隧道绝缘层与所述绝缘图案和所述数据存储图案接触。


6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，所述隧道绝缘层与所述绝缘衬垫接触。


7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，对于各个所述数据存储图案，端部的厚度不同于中央部分的厚度。


8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘图案的侧壁比所述导电层的侧壁朝着所述沟道结构突出更远。


9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘衬垫的侧壁比所述导电层的侧壁朝着所述沟道结构突出更远。


10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述数据存储图案的侧壁比所述绝缘图案的侧壁和所述绝缘衬垫的侧壁朝着所述沟道结构突出更远。


11.一种半导体装置，该半导体装置包括：
层叠结构，该层叠结构包括交替地层叠的多个绝缘层和多个导电层；
沟道结构，该沟道结构穿透所述层叠结构；
多个绝缘图案，多个所述绝缘图案分别插置在所述绝缘层和所述沟道结构之间，所述绝缘图案比所述导电层朝着所述沟道结构突出更远；
多个数据存储图案，多个所述数据存储图案分别插置在所述导电层和所述沟道结构之间，所述数据存储图案比所述绝缘图案朝着所述沟道结构突出更远；以及
多个阻挡图案，多个所述阻挡图案分别插置在所述导电层和所述数据存储图案之间。


12.根据权利要求11所述的半导体装置，该半导体装置还包括分别插置在所述绝缘层和所述绝缘图案之间的多个绝缘衬垫，多个所述绝缘衬垫分别围绕所述绝缘图案。


13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，各个所述绝缘衬垫在所述导电层和所述绝缘图案之间、在所述阻挡图案和所述绝缘图案之间以及在所述数据存储图案和所述绝缘图案之间扩展。


14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，各个所述绝缘衬垫包括氧化物层和包括在所述氧化物层中的电荷捕获材料。


15.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，在所述数据存储图案和所述阻挡图案之间限定凹部，其中，所述凹部被填充有所述绝缘衬垫。


16.根据权利要求11所述的半导体装置，该半导体装置还包括围绕所述沟道结构的隧道绝缘层，该隧道绝缘层与所述绝缘图案和所述数据存储图案接触。


17.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，对于各个所述数据存储图案，端部的厚度不同于中央部分的厚度。


18.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：
形成包括交替地层叠的多个第一牺牲层和多个绝缘层的层叠结构；
形成穿透所述层叠结构的第一开口；
通过蚀刻所述绝缘层来形成第二开口；
在所述第一牺牲层上形成保护图案；
在所述第一开口和所述第二开口中形成数据存储层；
在所述第二开口中形成绝缘图案；...

【专利技术属性】
技术研发人员：李起洪，金活杓，韩承佑，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR