磁盘装置以及头的调整方法制造方法及图纸

实施方式提供能提高可靠性的磁盘装置及头的调整方法。磁盘装置具备：第1盘，具有第1面；第2盘，具有与第1面不同的第2面；第1头，具有第1写入头和第1辅助元件，第1写入头以第1记录密度向第1面写入数据，第1辅助元件使得朝向第1面产生提高第1写入头的写入性能的第1能量；第2头，具有第2写入头和第2辅助元件，第2写入头以第2记录密度向第2面写入数据，第2辅助元件使得朝向第2面产生提高第2写入头的写入性能的第2能量；及控制器，根据能够用第1头向第1盘写入的第1记录容量和能够用第2头向第2盘写入的第2记录容量来对第1记录密度和第2记录密度中的至少一方进行变更。

【技术实现步骤摘要】
磁盘装置以及头的调整方法本申请享受以日本专利申请2020－26019号(申请日：2020年2月19日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及磁盘装置以及头的调整方法。
技术介绍
为了实现磁盘装置的高记录密度化以及高记录容量化，开发了高频(微波)辅助磁记录型式(MicrowaveAssistedMagneticRecording:MAMR)、热辅助磁记录(ThermallyAssistedMagneticRecording:TAMR)型式等。高频辅助记录型式是如下技术：使用具有记录磁极(主磁极)和高频振荡器的磁头，向盘施加通过对高频振荡器进行通电来产生的高频磁场，由此使施加了高频磁场的盘的部分的顽磁力降低，所述记录磁极通过被施加记录电流而励磁来产生记录磁场。热辅助磁记录型式是如下技术：使用具有将照射光向盘照射的光照射元件的磁头，从光照射元件的前端将照射光照射到盘来对盘进行局部的加热，由此使被加热了的盘的部分的顽磁力降低。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供能提高可靠性的磁盘装置以及头的调整方法。本实施方式涉及的磁盘装置具备：第1盘，其具有第1面；第2盘，其具有与所述第1面不同的第2面；第1头，其具有第1写入头和第1辅助元件，所述第1写入头以第1记录密度向所述第1面写入数据，所述第1辅助元件使得朝向所述第1面产生提高所述第1写入头的写入性能的第1能量；第2头，其具有第2写入头和第2辅助元件，所述第2写入头以第2记录密度向所述第2面写入数据，所述第2辅助元件使得朝向所述第2面产生提高所述第2写入头的写入性能的第2能量；以及控制器，其根据能够用所述第1头向所述第1盘写入的第1记录容量和能够用所述第2头向所述第2盘写入的第2记录容量来对所述第1记录密度和所述第2记录密度中的至少一方进行变更。附图说明图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置的构成的框图。图2是表示第1实施方式涉及的盘和头的一个例子的放大剖视图。图3是表示第1实施方式涉及的头相对于盘的配置的一个例子的示意图。图4是表示各头的记录密度的表的一个例子的图。图5是表示各盘的记录面的记录容量的表的一个例子的图。图6是表示从各头的辅助元件产生的能量的辅助量的表的一个例子的图。图7是表示供给至各头的辅助元件的元件能量的元件能量量(Amountofenergy)的表的一个例子的图。图8是表示第1实施方式涉及的元件能量量和元件能量决定值的关系的一个例子的图。图9是表示第1实施方式涉及的头的调整方法的一个例子的流程图。图10是表示变形例1涉及的头的调整方法的一个例子的流程图。图11是表示第2实施方式涉及的头的调整方法的一个例子的流程图。图12是表示第3实施方式涉及的头的一个例子的放大剖视图。具体实施方式以下，参照附图对实施方式进行说明。此外，附图是一个例子，并不限定专利技术的范围。(第1实施方式)图1是表示第1实施方式涉及的磁盘装置1的构成的框图。磁盘装置1具备后述的头盘组件(HDA)、驱动器IC20、头放大器集成电路(以下记载为头放大器IC或者预放大器)30、易失性存储器70、非易失性存储器80、缓冲存储器(缓存)90、和作为单芯片的集成电路的系统控制器130。另外，磁盘装置1与主机系统(以下简称为主机)100连接。HDA具有磁盘(以下称为盘)10、主轴马达(以下称为SPM)12、搭载头15的臂13以及音圈马达(以下称为VCM)14。盘10安装于SPM12，通过SPM12的驱动进行旋转。盘10包括至少一个盘10。例如，盘10具有多个盘10。臂13和VCM14构成致动器16。臂13包括至少一个臂13。例如，臂13具有多个臂13。头15包括至少一个头15。例如，头15具有多个头15。致动器16通过VCM14的驱动，将搭载于臂13的头15移动控制到盘10的预定位置。此外，致动器16也可以设置有两个以上。盘10对其能写入数据的区域分配有能够由用户利用的用户数据区域UA、和写入系统管理所需要的信息的系统区SA。盘10具有表侧的记录面(以下有时也简称为表面)、和与表侧的记录面相反侧的背侧的记录面(以下有时也称为背面)。盘10的记录面和背面分别分配有用户数据区域UA和系统区SA。此外，除了用户数据区域UA和系统区SA之外，盘10还分配有介质高速缓存(mediacache)区域。以下，将从盘10的内周朝向外周的方向、或者从盘10的外周朝向内周的方向称为半径方向。在半径方向上，将从内周朝向外周的方向称为外方向(外侧)，将从外周朝向内周的方向称为内方向(内侧)。将与盘10的半径方向正交的方向称为圆周方向。圆周方向相当于沿着盘10的圆周的方向。另外，有时也将盘10的半径方向上的预定位置称为半径位置，将盘10的圆周方向上的预定位置称为圆周位置。有时也将半径位置和圆周位置一并简称为位置。盘10(例如用户数据区域UA)在半径方向上以预定范围被区分为多个区域。有时也将以半径方向上的预定范围进行区分而得到的盘10的区域称为分区(zone)。分区包含多个磁道。磁道包含多个扇区。此外，“磁道”以盘10的在半径方向上区分而得到的多个区域中的一个区域、预定的半径位置处的头15的路径、在盘10的圆周方向上延伸的数据、在预定的半径位置的磁道所写入的一周量(一圈量)的数据、在磁道所写入的数据、其他各种含义来使用。“扇区”以在圆周方向上将磁道区分而得到的多个区域中的一个区域、在盘10的预定位置所写入的数据、在扇区所写入的数据、其他各种含义来使用。有时也将“对盘10进行了写入的磁道”称为“写入磁道”、将“从盘10进行读取的磁道”称为“读取磁道”。既有时将“写入磁道”简称为“磁道”，也有时将“读取磁道”简称为“磁道”，还有时将“写入磁道”和“读取磁道”一并称为“磁道”。有时也将“磁道的半径方向上的宽度”称为“磁道宽度”。有时也将“写入磁道的半径方向上的宽度”称为“写入磁道宽度”、将“读取磁道的半径方向上的宽度”称为“读取磁道宽度”。有时也将“写入磁道宽度和读取磁道宽度”一并简称为“磁道宽度”。将“通过预定磁道的磁道宽度的中心位置的路径”称为“磁道中央”。有时也将“通过预定的写入磁道的写入磁道宽度的中心位置的路径”称为“写入磁道中央”、将“通过读取磁道的读取磁道宽度的中心位置的路径”称为“读取磁道中央”。有时也将“写入磁道中央”和“读取磁道中央”一并简称为“磁道中央”。头15与盘10相对向。例如，一个头15与盘10的一个面相对向。头15将滑块作为主体，具备安装于该滑块的写入头15W和读取头15R。写入头15W向盘10写入数据。读取头15R对写入在盘10的数据进行读取。此外，既有时将“写入头15W”简称为“头15”，也有时将“读取头15R”简称为“头15”，还有时将“写入头15W和读取头15R”一并称为“头15”。有时也将“头15的中心部”称为“头15”、将“写入头15W的中心部”称为“写入头15W”、将本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁盘装置，具备：/n第1盘，其具有第1面；/n第2盘，其具有与所述第1面不同的第2面；/n第1头，其具有第1写入头和第1辅助元件，所述第1写入头以第1记录密度向所述第1面写入数据，所述第1辅助元件使得朝向所述第1面产生提高所述第1写入头的写入性能的第1能量；/n第2头，其具有第2写入头和第2辅助元件，所述第2写入头以第2记录密度向所述第2面写入数据，所述第2辅助元件使得朝向所述第2面产生提高所述第2写入头的写入性能的第2能量；以及/n控制器，其根据能够用所述第1头向所述第1盘写入的第1记录容量和能够用所述第2头向所述第2盘写入的第2记录容量来对所述第1记录密度和所述第2记录密度中的至少一方进行变更。/n

【技术特征摘要】
20200219 JP 2020-0260191.一种磁盘装置，具备：
第1盘，其具有第1面；
第2盘，其具有与所述第1面不同的第2面；
第1头，其具有第1写入头和第1辅助元件，所述第1写入头以第1记录密度向所述第1面写入数据，所述第1辅助元件使得朝向所述第1面产生提高所述第1写入头的写入性能的第1能量；
第2头，其具有第2写入头和第2辅助元件，所述第2写入头以第2记录密度向所述第2面写入数据，所述第2辅助元件使得朝向所述第2面产生提高所述第2写入头的写入性能的第2能量；以及
控制器，其根据能够用所述第1头向所述第1盘写入的第1记录容量和能够用所述第2头向所述第2盘写入的第2记录容量来对所述第1记录密度和所述第2记录密度中的至少一方进行变更。


2.根据权利要求1所述的磁盘装置，
所述控制器根据所述第1记录容量和所述第2记录容量来对向所述第1辅助元件供给的第3能量和向所述第2辅助元件供给的第4能量中的至少一方进行变更。


3.根据权利要求2所述的磁盘装置，
所述控制器在所述第1记录容量和所述第2记录容量的合计容量比向所述第1面写入的数据容量的第1目标值和向所述第2面写入的数据容量的第2目标值的合计目标值大的情况下，使所述第1记录密度和所述第2记录密度中的至少一方减少，使所述第3能量和所述第4能量中的至少一方减少。


4.根据权利要求3所述的磁盘装置，
所述控制器在对所述第3能量进行了变更的情况下的所述第1辅助元件的寿命的第1变化量比对所述第4能量进行了变更的情况下的所述第2辅助元件的寿命的第2变化量大的情况下，使所述第1记录密度减少，使所述第3能量减少。


5.根据权利要求3所述的磁盘装置，
所述控制器在能够向所述第1辅助元件供给的第1上限能量相对于所述第3能量的第1比率比能够向所述第2辅助元件供给的第2上限能量相对于所述第4能量的第2比率大的情况下，使所述第1记录密度减少，使所述第3能量减少。


6.根据权利要求4或者5所述的磁盘装置，
所述第1记录密度是线记录密度。


7.根据权利要求6所述的磁盘装置，
所述控制器使以所述第1头向所述第1面写入数据时的磁道密度增加。


8.根据权利要求2所述的磁盘装置，
所述控制器在所述第1记录容量和所述第2记录容量的合计容量比向所述第1面写入的数据容量的第1目标值和向所述第2面写入的数据容量的第2目标值的合计目标值小的情况下，使所述第1记录密度和所述第2记录密度中的至少一方增大，使所述第3能量和所述第4能量中的至少一方增大。


9.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：大竹雅哉，竹尾昭彦，
申请(专利权)人：株式会社东芝，东芝电子元件及存储装置株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP