一种西瓜幼苗壮根的培育方法技术

技术编号:29739795 阅读:28 留言:0更新日期:2021-08-20 20:52
本发明专利技术公开了一种西瓜幼苗壮根的培育方法,属于植物栽培技术领域。本发明专利技术公开的一种西瓜幼苗壮根的培育方法,分2段进行光周期管理,催芽时期在黑暗条件下,增加昼夜温差,控制了出芽速度,保证了出芽的整齐度;在育苗阶段调整为16h光照,8h黑暗,降低昼夜温差,保证了西瓜苗稳定生根发育。本发明专利技术在播种时加入2.8‑3.2g草根8号草炭型生物有机肥,有一定促进生根作用。本发明专利技术方法显著强壮了西瓜幼苗的根系,提高了西瓜壮苗率,对西瓜生产有一定促进作用。

【技术实现步骤摘要】
一种西瓜幼苗壮根的培育方法
本专利技术涉及植物栽培
,更具体的说是涉及一种西瓜幼苗壮根的培育方法。
技术介绍
西瓜(CitrulluslanatusL.)是我国一种重要的水果型经济作物,尤其在夏季水果中占有十分突出的地位。西瓜种植面积大、年消费量高,被评为世界第五大水果。其汁多甘甜、消暑止渴,是夏季消费量最大的水果之一。我国是西瓜最大的生产和消费国。因此,西瓜作为我国重要的瓜类作物之一,在农业结构产业调整和农村经济发展中发挥着重要的作用。西瓜的苗期生长易受到气候环境的影响,在实际生产中影响到早期生长,植株不易存活,增加了不必要的工作量。因此,提供一种西瓜幼苗壮根的培育方法是本领域技术人员亟需解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供了一种西瓜幼苗壮根的培育方法,有效强壮了西瓜幼苗的根系,提高了西瓜壮苗率,对西瓜生产有一定促进作用。为了实现上述目的,本专利技术采用如下技术方案:一种西瓜幼苗壮根的培育方法,具体步骤如下:(1)将西瓜种子放在种子袋中用60-70℃的水浸泡6-8个小时,取出种子袋,并用湿布包裹住,放入培养箱中暗培养;设置培养箱温度周期为:28-30℃18h,16-18℃6h,循环2次;期间用镊子将出芽种子挑出置于垫好滤纸的培养皿中,并将培养皿放入4℃冰箱;得到整齐出芽的西瓜种子;(2)将基质用清水拌匀,使其湿度达到80%-85%,装于穴盘中,并将穴盘置于不锈钢铁盘中;(3)将步骤(1)得到的整齐出芽的西瓜种子用镊子芽尖向下播于步骤(2)中盛有基质的穴盘中,每穴1粒,放入培养箱中;设置培养箱光周期为:16h光照,8h黑暗,光照条件下的温度为23-25℃,黑暗条件下的温度为19-21℃;光照强度为28000-32000LUX;培养5~7天后,待子叶展平得到待培养的西瓜小苗;(4)将基质用清水拌匀,使其湿度达到80%-85%,混入草根8号,装入营养钵中;每个营养钵混入2.8-3.2g草根8号;(5)将步骤(3)得到的西瓜小苗移栽入步骤(4)中的营养钵,每个营养钵移栽一株西瓜小苗;将营养钵置于不锈钢铁盘中,放入培养箱;设置培养箱光周期为16h光照,8h黑暗,光照条件下的温度为23-25℃,黑暗条件下的温度为19-21℃;光照强度为28000-32000LUX;培养10-15天得到西瓜壮苗。进一步,步骤(1)所述种子袋为普通纱网袋。进一步,步骤(1)设置培养箱温度周期为:30℃18h,16℃6h,循环2次;相对湿度为70~80%。进一步,步骤(3)所述穴盘中基质的深度为穴盘口下0.5-1cm。进一步,步骤(3)在培养过程中根据西瓜小苗的生长情况进行补水,具体方法为:将清水浇于穴盘中。进一步,步骤(4)所述营养钵长*宽*高规格为7*7*7.8cm。进一步,步骤(4)所述营养钵中基质的深度为营养钵口下2-3cm。进一步,步骤(2)和步骤(4)中所述基质均为市售普通蔬菜育苗基质,包含珍珠岩、蛭石、草炭和腐熟的农家肥。进一步,步骤(4)所述草根8号是一种市售生物有机肥。进一步,步骤(3)和步骤(5)中所述光照条件下的温度为25℃,黑暗条件下的温度为20℃。进一步,步骤(5)在培养过程中根据西瓜小苗的生长情况进行补水,具体方法为:将清水浇于不锈钢铁盘中,清水由营养钵底部孔洞浸湿基质对西瓜小苗进行补水。经由上述的技术方案可知,与现有技术相比,本专利技术公开提供了一种西瓜幼苗壮根的培育方法,本专利技术方法经济、简单、方便、快速;采用市售普通蔬菜育苗基质为基质,只需正常管理,显著强壮了西瓜幼苗的根系。本专利技术分2段进行光周期管理,催芽时期在黑暗条件下,增加昼夜温差,控制了出芽速度,保证了出芽的整齐度;在育苗阶段调整为16h光照,8h黑暗,降低昼夜温差,保证了西瓜苗稳定生根发育。本专利技术在播种时加入2.8-3.2g草根8号草炭型生物有机肥,有一定促进生根作用。本专利技术方法显著强壮了西瓜幼苗的根系,提高了西瓜壮苗率,对西瓜生产有一定促进作用。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1附图为本专利技术实施例1-3和对比例1-2的培育方法培养15天的苗期对比图;其中,1,实施例1;2,实施例2;3,实施例3;4,对比例1;5,对比例2;图2附图为本专利技术对比例3的培育方法培养西瓜苗的生长过程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。基质为莘县鲁源育苗基质有限公司所售育苗基质,包含珍珠岩、蛭石、草炭和腐熟的农家肥。草根8号为张家口草根农业科技有限公司生产的生物有机肥。实施例1一种西瓜幼苗壮根的培育方法,具体步骤如下:(1)将西瓜种子放在种子袋中用60-70℃的水浸泡6个小时,取出种子袋,并用湿布包裹住,放入培养箱中暗培养;设置培养箱温度周期为:30℃18h,16℃6h,循环2次;相对湿度均为75%;期间用镊子将出芽种子挑出置于垫好滤纸的培养皿中,并将培养皿放入4℃冰箱;得到整齐出芽的西瓜种子;(2)将基质用清水拌匀,使其湿度达到80%-85%,装于穴盘中,穴盘中基质的深度为穴盘口下0.5-1cm;并将穴盘置于不锈钢铁盘中;(3)将步骤(1)得到的整齐出芽的西瓜种子用镊子芽尖向下播于步骤(2)中盛有基质的穴盘中,每穴1粒,放入培养箱中;设置培养箱光周期为:16h光照,8h黑暗,光照条件下的温度为25℃,黑暗条件下的温度为20℃;光照强度为30000LUX;在培养过程中根据西瓜小苗的生长情况进行补水,将清水浇于穴盘中;培养5~7天后,待子叶展平得到待培养的西瓜小苗;(4)将基质用清水拌匀,使其湿度达到80%-85%,混入草根8号,装入营养钵(长*宽*高规格为7*7*7.8cm)中,营养钵中基质的深度为营养钵口下2-3cm;每个营养钵混入3g草根8号;(5)将步骤(3)得到的西瓜小苗移栽入步骤(4)中的营养钵,每个营养钵移栽一株西瓜小苗;将营养钵置于不锈钢铁盘中,放入培养箱;设置培养箱光周期为16h光照,8h黑暗,光照条件下的温度为25℃,黑暗条件下的温度为20℃;光照强度为30000LUX;在培养过程中根据西瓜小苗的生长情况进行补水,将清水浇于不锈钢铁盘中,清水由营养钵底部孔洞浸湿基质对西瓜小苗进行补水;培养10-15天得到西瓜壮苗。实施例2一种西瓜幼苗壮根的培育方法,具体步骤如下:(1)将西瓜种子放在种子袋中用60-本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种西瓜幼苗壮根的培育方法,其特征在于,具体步骤如下:/n(1)将西瓜种子放在种子袋中用60-70℃的水浸泡6-8个小时,取出种子袋,并用湿布包裹住,放入培养箱中暗培养;设置培养箱温度周期为:28-30℃18h,16-18℃6h,循环2次;期间用镊子将出芽种子挑出置于垫好滤纸的培养皿中,并将培养皿放入4℃冰箱;得到整齐出芽的西瓜种子;/n(2)将基质用清水拌匀,使其湿度达到80%-85%,装于穴盘中,并将穴盘置于不锈钢铁盘中;/n(3)将步骤(1)得到的整齐出芽的西瓜种子用镊子芽尖向下播于步骤(2)中盛有基质的穴盘中,每穴1粒,放入培养箱中;设置培养箱光周期为:16h光照,8h黑暗,光照条件下的温度为23-25℃,黑暗条件下的温度为19-21℃;光照强度为28000-32000LUX;培养5~7天后,待子叶展平得到待培养的西瓜小苗;/n(4)将基质用清水拌匀,使其湿度达到80%-85%,混入草根8号,装入营养钵中;每个营养钵混入2.8-3.2g草根8号;/n(5)将步骤(3)得到的西瓜小苗移栽入步骤(4)中的营养钵,每个营养钵移栽一株西瓜小苗;将营养钵置于不锈钢铁盘中,放入培养箱;设置培养箱光周期为16h光照,8h黑暗,光照条件下的温度为23-25℃,黑暗条件下的温度为19-21℃;光照强度为28000-32000LUX;培养10-15天得到西瓜壮苗。/n...

【技术特征摘要】
1.一种西瓜幼苗壮根的培育方法,其特征在于,具体步骤如下:
(1)将西瓜种子放在种子袋中用60-70℃的水浸泡6-8个小时,取出种子袋,并用湿布包裹住,放入培养箱中暗培养;设置培养箱温度周期为:28-30℃18h,16-18℃6h,循环2次;期间用镊子将出芽种子挑出置于垫好滤纸的培养皿中,并将培养皿放入4℃冰箱;得到整齐出芽的西瓜种子;
(2)将基质用清水拌匀,使其湿度达到80%-85%,装于穴盘中,并将穴盘置于不锈钢铁盘中;
(3)将步骤(1)得到的整齐出芽的西瓜种子用镊子芽尖向下播于步骤(2)中盛有基质的穴盘中,每穴1粒,放入培养箱中;设置培养箱光周期为:16h光照,8h黑暗,光照条件下的温度为23-25℃,黑暗条件下的温度为19-21℃;光照强度为28000-32000LUX;培养5~7天后,待子叶展平得到待培养的西瓜小苗;
(4)将基质用清水拌匀,使其湿度达到80%-85%,混入草根8号,装入营养钵中;每个营养钵混入2.8-3.2g草根8号;
(5)将步骤(3)得到的西瓜小苗移栽入步骤(4)中的营养钵,每个营养钵移栽一株西瓜小苗;将营养钵置于不锈钢铁盘中,放入培养箱;设置培养箱光周期为16h光照,8h黑暗,光照条件下的温度为23-25℃,黑暗条件下的温度为19-21℃;光照强度为28000-32000LUX;培养10-15天得到西瓜壮苗。


2.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员:张显曾郅隆王中元程登虎
申请(专利权)人:西北农林科技大学
类型:发明
国别省市:陕西;61

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