封装基板及包括其的半导体装置制造方法及图纸

本实施方式涉及封装基板和半导体装置，上述半导体装置包括具备半导体元件的元件部，及与上述元件部电连接的封装基板；通过将玻璃基板适用作为上述封装基板的芯，以使半导体元件和母板更紧密地连接，从而以尽可能短的距离传输电信号。为此，提供一种封装基板，显著改善信号传输速度等电特性，实质上防止寄生元件的产生，从而能够进一步简化绝缘膜处理工序，且可适用于高速电路。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】封装基板及包括其的半导体装置
本实施方式涉及一种封装基板及包括其的半导体装置。与关联申请的相互参照本申请要求于2019年3月12日提交的美国临时申请专利申请号62/816,984的优先权的权益，上述优先权的基础申请全文通过引用包含于本申请中。
技术介绍
在制造电子部件时，在半导体晶片上实现电路被称为前段(FE：Front-End)工序，并且以能够在实际产品中使用的状态组装晶片被称为后段(BE：Back-End)工序，在该后段工序中包括封装工序。作为最近实现电子产品快速发展的半导体行业的四项核心技术，存在半导体技术、半导体封装技术、制造工艺技术和软件技术。半导体技术正在以各种形式发展，例如，微米以下的纳米单位的线宽、一千万个以上单元(Cell)、高速运行以及释放大量热量等，但是还得不到相对完整封装上述半导体的技术支持。因此，半导体的电性能有时取决于封装技术和相应的电连接，而不是取决于半导体技术本身的性能。陶瓷或树脂用作封装基板的材料。陶瓷基板由于其高电阻值或高介电常数而难以搭载高性能高频半导体元件。树脂基板可以搭载本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装基板，其特征在于，包括芯层和上部层，/n上述芯层包括：/n支撑体基板，包含玻璃基板和芯通孔，上述玻璃基板具有相向的第一表面和第二表面，上述芯通孔贯穿上述第一表面和上述第二表面，及/n芯分配层，包括分别位于上述第一表面和第二表面的至少一部分上的导电层和通过上述芯通孔使位于上述第一表面和第二表面的至少一部分上的上述导电层电连接的导电层；/n上述上部层包括位于上述第一表面上且使上述芯分配层和上述元件部电连接的导电层；/n形成在上述玻璃基板上的芯通孔中具有最小内径的部分的平均内径为50μm至95μm，且满足下述式1的条件：/n[式1]/n0.83×D

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20190312 US 62/816,9841.一种封装基板，其特征在于，包括芯层和上部层，
上述芯层包括：
支撑体基板，包含玻璃基板和芯通孔，上述玻璃基板具有相向的第一表面和第二表面，上述芯通孔贯穿上述第一表面和上述第二表面，及
芯分配层，包括分别位于上述第一表面和第二表面的至少一部分上的导电层和通过上述芯通孔使位于上述第一表面和第二表面的至少一部分上的上述导电层电连接的导电层；
上述上部层包括位于上述第一表面上且使上述芯分配层和上述元件部电连接的导电层；
形成在上述玻璃基板上的芯通孔中具有最小内径的部分的平均内径为50μm至95μm，且满足下述式1的条件：
[式1]
0.83×D90≤D50≤1.25×D10
在上述式1中，D50为相当于在最小内径的直径分布中50％的值，D90为相当于在最小内径的直径分布中90％的值，D10为相当于在最小内径的直径分布中10％的值。


2.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，
上述芯通孔满足下述式1-1的条件：
[式1-1]
0.88×D90≤D50≤1.18×D10
在上述式1中，D50为相当于在最小内径的直径分布中50％的值，D90为相当于在最小内径的直径分布中90％的值，D10为相当于在最小内径的直径分布中10％的值。


3.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，
上述芯通孔包括作为与上述第一表面相接的开口部的直径的第一表面开口部直径和作为与第二表面相接的开口部的直径的第二表面开口部直径，
上述第一表面开口部直径和上述第二表面开口部直径中大的开口部即对象开口部的平均直径为70μm至120μm，且满足下述式2：
[式2]
0.9×D90≤D50≤1.1×D10
在上述式2中，D50为相当于在对象开口部的直径分布中50％的值，...

【专利技术属性】
技术研发人员：金性振，卢荣镐，金镇哲，张炳圭，
申请(专利权)人：SKC株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR