一种待刻蚀基板的蚀刻方法和蚀刻机台技术

本申请公开了一种待刻蚀基板的蚀刻方法和蚀刻机台，所示待刻蚀基板的蚀刻方法，包括步骤：设定蚀刻液的初始温度；对多个待刻蚀基板依次进行刻蚀；记录完成刻蚀的基板数量；根据所述基板数量得到所述蚀刻液的补偿温度参数；根据所述补偿温度参数，本申请通过以上方式调节所述蚀刻液的刻蚀温度使得先后制程的基板的金属走线的宽度一致。

【技术实现步骤摘要】
一种待刻蚀基板的蚀刻方法和蚀刻机台
本申请涉及显示
，尤其涉及一种待刻蚀基板的蚀刻方法和蚀刻机台。
技术介绍
由于半导体和显示面板等行业的迅猛发展，对显示面板的质量要求也越来越高。其中，蚀刻技术作为半导体、显示面板等必不可少的工艺环节，也在不断地发展进步。显示面板中的金属走线，薄膜晶体管中的金属层等都离不开金属铝，金属铝具有优异的电导性，成本较低而被广泛使用。通过在形成金属走线的过程中，是在硅衬底或玻璃基板上形成一层金属层之后，选择蚀刻掉部分金属，留下的金属形成金属走线。蚀刻也分为干法蚀刻蚀和湿法蚀刻蚀；湿法刻蚀通过是通过液体与金属产生化学反应来去除金属层。但是，由于湿法刻蚀中，蚀刻液的使用周期、浓度、粘粘度会随着时间发生改变，进而造成先后制程的显示面板的金属走线的宽度不一致；成了本领域亟需解决的问题。
技术实现思路
本申请的目的是提供一种待刻蚀基板的蚀刻方法和蚀刻机台，使得先后制程的基板的金属走线的宽度一致。本申请公开了一种待刻蚀基板的蚀刻方法，包括步骤：设定蚀刻液的初始温度；对多个待刻蚀基板依次进行刻蚀；记录完成刻蚀的基板数量；根据所述基板数量得到所述蚀刻液的补偿温度参数；根据所述补偿温度参数，调节所述蚀刻液的刻蚀温度。本申请的一实施方式，所述记录完成刻蚀的基板数量；根据所述基板数量得到待刻蚀的基板的补偿温度的步骤中包括：所述补偿温度参数随所述基板数量线性增大。本申请的一实施方式，所述根据所述补偿温度参数，调节所述蚀刻液的刻蚀温度的步骤中包括：根据所述补偿温度参数，实时调节所述蚀刻液的刻蚀温度。本申请的一实施方式，所述记录完成刻蚀的基板数量；根据所述基板数量得到所述蚀刻液的补偿温度参数的步骤中包括：当所述基板数量达到n片时；输出一预设补偿温度；并重新开始计数；当所述基板数量未达到n片时，继续对完成刻蚀的基板进行计数；所述根据所述补偿温度参数，调节所述蚀刻液的刻蚀温度的步骤中包括：根据所述预设补偿温度，调节所述蚀刻液的刻蚀温度；其中n为不为零的自然数。本申请的一实施方式，所述对多个基板依次进行刻蚀的步骤中包括：将待刻蚀基板送至蚀刻机台中；打开蚀刻液供给箱开关，使得蚀刻液喷洒在所述待刻蚀基板上；刻蚀预设时间后，取出完成刻蚀的基板；继续执行将待刻蚀基板送至蚀刻机台中的步骤。本申请的一实施方式，所述打开蚀刻液开关，使得蚀刻液喷洒在所述待刻蚀基板上的步骤之后还包括：收集喷洒在所述待刻蚀基板的蚀刻液；将所述蚀刻液回流至所述蚀刻液供给箱。本申请的一实施方式，所述预设补偿温度为0.1至0.2度，所述基板数量n为500至1000片。本申请的一实施方式，所述蚀刻液中水的质量分数在16-22％；磷酸的质量分数在67-73％；醋酸的质量分数在8-12％；硝酸的质量分数在1.7-2.2％；所述蚀刻液用于刻蚀玻璃基板上的金属层；所述金属层采用铝、钼材料的一种或多种。本申请还公开了一种蚀刻机台，使用上述待刻蚀基板的蚀刻方法，包括：蚀刻液供给模组、基板放置模组、计数模组和控制模组；蚀刻液供给模组，用于提供蚀刻液，对基板进行刻蚀；基板放置模组，用于承载所述基板；计数模组，用于记录完成刻蚀的基板数量；以及控制模组，用于调节所述蚀刻液的温度。本申请的一实施方式，所述蚀刻液供给模组包括：蚀刻液供给箱、蚀刻液供给管路和回流器；蚀刻液供给箱用于存储蚀刻液；蚀刻液供给管路用于将蚀刻液喷洒至所述基板放置模组上的待刻蚀基板上；回流器用于回收基板放置模组上使用后的蚀刻液；所述控制模组包括：加热模块、循环泵和冷却水模块；加热模块用于对所述蚀刻液供给箱的蚀刻液进行加热；循环泵用于使用所述蚀刻液供给箱的蚀刻液循环流动；冷却水模块用于保持所述蚀刻液供给箱的蚀刻液的温度。本申请中，蚀刻液一般而言是重复使用的，具有一使用周期，即从新液开始，使用一个周期的时间，蚀刻液不再使用，需要换液。例如本申请下文提及蚀刻液供给箱(TANK)大概可以存储3000升的蚀刻液，足够刻蚀10000片待刻蚀基板，时间为6天左右。当10000片待刻蚀基板完成后，对蚀刻液进行换液处理。在蚀刻液使用周期中，但是越到使用后期，溶解在蚀刻液中的金属离子越多，蚀刻液的的粘度增加，使得蚀刻液在玻璃基板的流动性变差，导致刻蚀速率降低。从而使得先刻蚀的玻璃基板与后刻蚀的玻璃基板存在制程上的差异。蚀刻速率与蚀刻液温度有关，温度越高，对应的刻蚀速率越大。而同一蚀刻液的蚀刻速率又与完成刻蚀的基板数量有关，对应的基板数量越多，蚀刻液的使用时间越长，对应的蚀刻速率越慢。本申请通过将后期的蚀刻液的温度进行调节，使得蚀刻液使用周期的后期，对应改善蚀刻液的温度，进而改善后期蚀刻液的粘度，使得蚀刻速率在蚀刻液的使用周期中，尽可能保持相同的刻蚀速率。进而使得先刻蚀的玻璃基板与后刻蚀的玻璃基板更趋近于一致。附图说明所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：图1是本申请的一实施例的一种刻蚀基板的蚀刻方法的步骤示意图；图2是本申请的一实施例的对应蚀刻速率与基板数量和温度的关系曲线的示意图；图3是本申请的一实施例的一种蚀刻机台的示意图；图4是本申请的另一实施例的一种刻蚀基板的蚀刻方法的步骤的示意图；图5是本申请的未补偿温度和补偿温度的情况下对完成刻蚀基板的金属走线的线宽的示意图。其中，100、基板；200、蚀刻机台；210、蚀刻液供给模组；211、蚀刻液供给箱；212、蚀刻液供给管路；213、回流器；220、基板放置模组；230、计数模组；240、控制模组；241、加热模块；242、循环泵；243、冷却水模块。具体实施方式需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本申请可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对重要性，或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，除非另有说明，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形，意为不排他的包含，可能存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。另外，“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系的术语，是基于附图所示的方位或相对位置关系描述的，仅是为了便于描述本申本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种待刻蚀基板的蚀刻方法，其特征在于，包括步骤：/n设定蚀刻液的初始温度；/n对多个待刻蚀基板依次进行刻蚀；/n记录完成刻蚀的基板数量；根据所述基板数量得到所述蚀刻液的补偿温度参数；/n根据所述补偿温度参数，调节所述蚀刻液的刻蚀温度。/n

【技术特征摘要】
1.一种待刻蚀基板的蚀刻方法，其特征在于，包括步骤：
设定蚀刻液的初始温度；
对多个待刻蚀基板依次进行刻蚀；
记录完成刻蚀的基板数量；根据所述基板数量得到所述蚀刻液的补偿温度参数；
根据所述补偿温度参数，调节所述蚀刻液的刻蚀温度。


2.根据权利要求1所述的待刻蚀基板的蚀刻方法，其特征在于，所述记录完成刻蚀的基板数量；根据所述基板数量得到待刻蚀的基板的补偿温度的步骤中包括：
所述补偿温度参数随所述基板数量线性增大。


3.根据权利要求2所述的待刻蚀基板的蚀刻方法，其特征在于，所述根据所述补偿温度参数，调节所述蚀刻液的刻蚀温度的步骤中包括：
根据所述补偿温度参数，实时调节所述蚀刻液的刻蚀温度。


4.根据权利要求1所述的待刻蚀基板的蚀刻方法，其特征在于，
所述记录完成刻蚀的基板数量；根据所述基板数量得到所述蚀刻液的补偿温度参数的步骤中包括：
当所述基板数量达到n片时；输出一预设补偿温度；并重新开始计数；
当所述基板数量未达到n片时，继续对完成刻蚀的基板进行计数；
所述根据所述补偿温度参数，调节所述蚀刻液的刻蚀温度的步骤中包括：
根据所述预设补偿温度，调节所述蚀刻液的刻蚀温度；
其中n为不为零的自然数。


5.根据权利要求1所述的待刻蚀基板的蚀刻方法，其特征在于，所述对多个基板依次进行刻蚀的步骤中包括：
将待刻蚀基板送至蚀刻机台中；
打开蚀刻液供给箱开关，使得蚀刻液喷洒在所述待刻蚀基板上；
刻蚀预设时间后，取出完成刻蚀的基板；
继续执行将待刻蚀基板送至蚀刻机台中的步骤。

【专利技术属性】
技术研发人员：刘重阳，康报虹，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44