【技术实现步骤摘要】
一种基于浅刻蚀的微结构金属图形剥离制备方法
本专利技术是在半导体器件表面制备微结构金属图形时的一种新的工艺技术,具体涉及制作超构表面结构时利用浅刻蚀技术实现微结构薄金属图形的无损剥离,属于半导体光电器件微细加工
技术介绍
随着光电子器件的飞速发展,将超表面结构应用于光电子器件表面,实现对器件光电特性的调控已经成为研究的热点。基于超表面结构的光电子器件以其调控灵活多样,器件结构简单、体积小、重量轻、便于集成化、阵列化等优点,已成为新的发展方向。目前,用于制作超表面金属微结构的工艺方法一般为光刻-腐蚀工艺或者光刻-溅射/蒸发-剥离工艺。由于超表面金属微结构的图形非常小,光刻后的胶图形也非常小,显影中的侧向曝光引起的光刻胶图形形变很严重,在对金属腐蚀时的侧向钻蚀会进一步加剧图形的形变,因此光刻-腐蚀工艺在进行微结构薄金属图形制备时,图形畸变严重,成品率不高。采用光刻-溅射/蒸发-剥离工艺时,光刻图形与前述方法正好相反,微小的图形容易导致曝光不足,显影后图形中残留光刻胶底膜,导致在最后的剥离工艺中,金属微结构图形被剥离掉。
技术实现思路
针对制备金属微结构图形中光刻-溅射/蒸发-剥离工艺的缺点,本专利技术提出光刻-浅刻蚀-溅射/蒸发-剥离工艺,实现高质量金属微结构图形制备。具体包括以下步骤:(1)通过基片(利用MBE或MOCVD在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs量子阱对而成的基片)清洗程序,将基片放入装有丙酮的烧杯煮沸两遍、无水乙醇煮沸两遍、去离子水冲洗35次,去除基片表 ...
【技术保护点】
1.一种基于浅刻蚀的微结构金属图形剥离制备方法,其特征在于,(1)通过基片清洗程序,将基片放入装有丙酮的烧杯煮沸两遍、无水乙醇煮沸两遍、去离子水冲洗,去除基片表面吸附的灰尘和油脂;/n(2)在烘台静置烘干基片,蒸发掉基片表面可能引入的水分和易挥发物质;/n(3)通过对甩胶机转速以及光刻胶性质的控制在基片上旋涂一层厚度仅为1055nm的AZ5214反转光刻胶,目的是在光刻精度为1um的MJB 3光刻机下,光刻出1um的图形;/n(4)烘台前烘50s后,进行15s泛曝、40s曝光以及30s显影得到基片上带有微结构图形的光刻胶;/n(5)利用ICP干法刻蚀工艺,在ICP中通入SiCl
【技术特征摘要】
1.一种基于浅刻蚀的微结构金属图形剥离制备方法,其特征在于,(1)通过基片清洗程序,将基片放入装有丙酮的烧杯煮沸两遍、无水乙醇煮沸两遍、去离子水冲洗,去除基片表面吸附的灰尘和油脂;
(2)在烘台静置烘干基片,蒸发掉基片表面可能引入的水分和易挥发物质;
(3)通过对甩胶机转速以及光刻胶性质的控制在基片上旋涂一层厚度仅为1055nm的AZ5214反转光刻胶,目的是在光刻精度为1um的MJB3光刻机下,光刻出1um的图形;
(4)烘台前烘50s后,进行15s泛曝、40s曝光以及30s显影得到基片上带有微结构图形的光刻胶;
(5)利用ICP干法刻蚀工艺,在ICP中通入SiCl4气体30sccm,通过光刻胶作掩模对基片上的预成型的光刻胶微结构图形进行浅刻蚀5s,会将微结构图形转移到基片上,基片上的图形深度大概为75nm~100nm左右,图形边沿区别于湿法腐蚀,比...
【专利技术属性】
技术研发人员:何磊磊,邓军,冯媛媛,许晓芳,
申请(专利权)人:北京工业大学,
类型:发明
国别省市:北京;11
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