稠环化合物和包括其的有机发光装置制造方法及图纸

提供了稠环化合物和包括其的有机发光装置。该稠环化合物由式1表示：<式1>

【技术实现步骤摘要】
稠环化合物和包括其的有机发光装置
实施方式涉及稠环化合物和包括其的有机发光装置。
技术介绍
有机发光装置是产生全色图像的自发射装置，并且与现有技术的装置相比，还具有宽视角、高对比度、短响应时间以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异特性。有机发光装置可包括设置在基板上的第一电极，以及顺序设置在第一电极上的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴可通过空穴传输区朝向发射层移动，并且从第二电极提供的电子可通过电子传输区朝向发射层移动。载流子(比如空穴和电子)在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁到基态，从而产生光。
技术实现思路
实施方式包括稠环化合物和包括其的有机发光装置。另外的实施方式将在下面的描述中部分阐述，并且部分地将从描述中显而易见，或者可以通过实践本公开的实施方式来获知。在实施方式中，稠环化合物由式1表示：<式1>其中在式1中，环A1至环A4可各自独立地为C5-C60碳环基，环B1可选自C5-C60碳环基和C1-本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机发光装置，包括：/n第一电极；/n面向所述第一电极的第二电极；以及/n设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的有机层；并且/n所述有机发光装置包括由式1表示的稠环化合物：/n<式1>/n

【技术特征摘要】
20200214 KR 10-2020-00185681.一种有机发光装置，包括：
第一电极；
面向所述第一电极的第二电极；以及
设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括发射层的有机层；并且
所述有机发光装置包括由式1表示的稠环化合物：
<式1>



其中，在式1中，
环A1至环A4各自独立地为C5-C60碳环基，
环B1选自C5-C60碳环基和C1-C60杂环基，
Y1和Y2各自独立地选自B和P(＝O)，
X1为O、N(R1)、S或Se，
X2为O、N(R2)、S或Se，
X3为O、N(R3)、S或Se，
X4为O、N(R4)、S或Se，
L1至L5各自独立地选自取代的或未取代的C5-C60碳环基和取代的或未取代的C1-C60杂环基，
a1至a5各自独立地为选自0至3的整数，其中，当a1为0时，*-(L1)a1-*'指示单键，当a2为0时，*-(L2)a2-*'指示单键，当a3为0时，*-(L3)a3-*'指示单键，当a4为0时，*-(L4)a4-*'指示单键，并且当a5为0时，*-(L5)a5-*'指示单键，
Ar1至Ar5各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代的或未取代的C1-C60烷基、取代的或未取代的C2-C60烯基、取代的或未取代的C2-C60炔基、取代的或未取代的C1-C60烷氧基、取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的C1-C60杂芳氧基、取代的或未取代的C1-C60杂芳硫基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)(Q2)、-C(＝O)(Q1)、-S(＝O)2(Q1)和-P(＝O)(Q1)(Q2)，
b1至b5各自独立地为选自0至3的整数，
c1至c5各自独立地为选自0至10的整数，
R1至R4各自独立地为取代的或未取代的C5-C60碳环基或取代的或未取代的C1-C60杂环基，
R1至R4任选地经单键、-C(Q4)(Q5)-、-Si(Q4)(Q5)-、-O-、-S-、-N(Q4)-、-B(Q4)-、-C(＝O)-、-S(＝O)2-、-S(＝O)(Q4)(Q5)-或-P(＝O)(Q4)-与相邻基团连接以形成杂环，
Z1和Z2各自独立地选自吸电子基团和被至少一个吸电子基团取代的C1-C60烷基，
t1和t2各自独立地为选自1至10的整数，
所述取代的C5-C60碳环基、所述取代的C1-C60杂环基、所述取代的C1-C60烷基、所述取代的C2-C60烯基、所述取代的C2-C60炔基、所述取代的C1-C60烷氧基、所述取代的C3-C10环烷基、所述取代的C1-C10杂环烷基、所述取代的C3-C10环烯基、所述取代的C1-C10杂环烯基、所述取代的C6-C60芳基、所述取代的C6-C60芳氧基、所述取代的C6-C60芳硫基、所述取代的C1-C60杂芳基、所述取代的C1-C60杂芳氧基、所述取代的C1-C60杂芳硫基、所述取代的单价非芳族稠合多环基团和所述取代的单价非芳族稠合杂多环基团的至少一个取代基选自：
氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基，
各自被选自下述中的至少一个取代的C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基和C1-C60烷氧基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q11)(Q12)(Q13)、-N(Q11)(Q12)、-B(Q11)(Q12)、-C(＝O)(Q11)、-S(＝O)2(Q11)和-P(＝O)(Q11)(Q12)，
C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基，
各自被选自下述中的至少一个取代的C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基：氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、C6-C60芳氧基、C6-C60芳硫基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基、三联苯基、-Si(Q21)(Q22)(Q23)、-N(Q21)(Q22)、-B(Q21)(Q22)、-C(＝O)(Q21)、-S(＝O)2(Q21)和-P(＝O)(Q21)(Q22)；以及
-Si(Q31)(Q32)(Q33)、-N(Q31)(Q32)、-B(Q31)(Q32)、-C(＝O)(Q31)、-S(＝O)2(Q31)和-P(＝O)(Q31)(Q32)，
Q1至Q5、Q11至Q13、Q21至Q23和Q31至Q33各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、C1-C60烷基、C2-C60烯基、C2-C60炔基、C1-C60烷氧基、C3-C10环烷基、C1-C10杂环烷基、C3-C10环烯基、C1-C10杂环烯基、C6-C60芳基、被C1-C60烷基取代的C6-C60芳基、C1-C60杂芳基、单价非芳族稠合多环基团、单价非芳族稠合杂多环基团、联苯基和三联苯基，并且
*和*'各自指示与相邻基团的结合位点。


2.如权利要求1所述的有机发光装置，其中：
所述第一电极为阳极，
所述第二电极为阴极，
所述有机层包括：
所述稠环化合物；
在所述第一电极和所述发射层之间的空穴传输区；以及
在所述发射层和所述第二电极之间的电子传输区，其中：
所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任何组合，并且
所述电子传输区包括缓冲层、空穴阻挡层、电子控制层、电子传输层、电子注入层或其任何组合。


3.如权利要求1所述的有机发光装置，其中所述发射层包括所述稠环化合物。


4.一种由式1表示的稠环化合物：
<式1>



其中，在式1中，
环A1至环A4各自独立地为C5-C60碳环基，
环B1选自C5-C60碳环基和C1-C60杂环基，
Y1和Y2各自独立地为B和P(＝O)，
X1为O、N(R1)、S或Se，
X2为O、N(R2)、S或Se，
X3为O、N(R3)、S或Se，
X4为O、N(R4)、S或Se，
L1至L5各自独立地选自取代的或未取代的C5-C60碳环基和取代的或未取代的C1-C60杂环基，
a1至a5各自独立地为选自0至3的整数，其中，当a1为0时，*-(L1)a1-*'指示单键，当a2为0时，*-(L2)a2-*'指示单键，当a3为0时，*-(L3)a3-*'指示单键，当a4为0时，*-(L4)a4-*'指示单键，并且当a5为0时，*-(L5)a5-*'指示单键，
Ar1至Ar5各自独立地选自氢、氘、-F、-Cl、-Br、-I、羟基、氰基、硝基、脒基、肼基、腙基、取代的或未取代的C1-C60烷基、取代的或未取代的C2-C60烯基、取代的或未取代的C2-C60炔基、取代的或未取代的C1-C60烷氧基、取代的或未取代的C3-C10环烷基、取代的或未取代的C1-C10杂环烷基、取代的或未取代的C3-C10环烯基、取代的或未取代的C1-C10杂环烯基、取代的或未取代的C6-C60芳基、取代的或未取代的C6-C60芳氧基、取代的或未取代的C6-C60芳硫基、取代的或未取代的C1-C60杂芳基、取代的或未取代的C1-C60杂芳氧基、取代的或未取代的C1-C60杂芳硫基、取代的或未取代的单价非芳族稠合多环基团、取代的或未取代的单价非芳族稠合杂多环基团、-Si(Q1)(Q2)(Q3)、-N(Q1)(Q2)、-B(Q1)...

【专利技术属性】
技术研发人员：金洗栾，尹玺娜，全翔镐，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR