一种基于可控硅的阵列式高压大电流脉冲开关制造技术

本实用新型专利技术公开了一种基于可控硅的阵列式高压大电流脉冲开关；包括第一DC‑DC升压电路，所述第一DC‑DC升压电路电性连接有脉冲信号放大，所述信号放大电性连接有灌流驱动电路，所述灌流驱动电路电性连接有大电流脉冲电流，所述大电流脉冲电流电性连接有电磁耦合驱动器和第二DC‑DC升压电路，所述电磁耦合驱动器电性连接有可控硅阵列，所述第二DC‑DC升压电路与所述第一DC‑DC升压电路电性连接；本实用新型专利技术使用插件小型可控硅，占用空间小，无需压接，可靠性高，并且采用了一对一的驱动方案，即一个SCR可控硅使用一个电磁耦合器进行驱动，驱动部分采用信号放大和灌流电流，减了对输入的电平信号能量要求，采用通用电压信号即可。

【技术实现步骤摘要】
一种基于可控硅的阵列式高压大电流脉冲开关
本技术属于脉冲开关
，具体涉及一种基于可控硅的阵列式高压大电流脉冲开关。
技术介绍
脉冲开关是指脉冲打开和关闭的快捷方式，脉冲通常是指电子技术中经常运用的一种像脉搏似的短暂起伏的电冲击(电压或电流)。主要特性有波形、幅度、宽度和重复频率。脉冲是相对于连续信号在整个信号周期内短时间发生的信号，大部分信号周期内没有信号。就像人的脉搏一样。现在一般指数字信号，它已经是一个周期内有一半时间有信号，且目前主流的高压大电流脉冲脉冲使用大功率可控硅，但大功率可控硅一般使用圆盘式结构，采用压接串联方式，考虑到压接结构的绝缘耐压，一般体积较大，不利于小型模块化，无法安装在小型仪器内，同时由于压接体积导致开关电感量增加，会导致波形上升时间加大，进而使得现有的脉冲开关存在有上述的问题。如授权公告号为CN1258263C所公开的一种多路高压大电流可控硅开关装置，其虽然实现了方便的开通、切断多路可控硅的电流，实现了可控硅的大电流通断可控输出，省去了复杂的大功率关断电路，但是并未解决现有脉冲开关存在的设备过大，可靠性本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于可控硅的阵列式高压大电流脉冲开关，包括第一DC-DC升压电路，其特征在于：所述第一DC-DC升压电路电性连接有脉冲信号放大，所述信号放大电性连接有灌流驱动电路，所述灌流驱动电路电性连接有大电流脉冲电流，所述大电流脉冲电流电性连接有电磁耦合驱动器和第二DC-DC升压电路，所述电磁耦合驱动器电性连接有可控硅阵列，所述第二DC-DC升压电路与所述第一DC-DC升压电路电性连接；/n所述脉冲信号放大模块中设有多组MC74HC04逻辑芯片，所述MC74HC04逻辑芯片的后端电性连接有IRF840MOS管，所述灌流驱动电路中电性连接有两组STC6614MOS管，所述大电流脉冲电流中采用的是IR...

【技术特征摘要】
1.一种基于可控硅的阵列式高压大电流脉冲开关，包括第一DC-DC升压电路，其特征在于：所述第一DC-DC升压电路电性连接有脉冲信号放大，所述信号放大电性连接有灌流驱动电路，所述灌流驱动电路电性连接有大电流脉冲电流，所述大电流脉冲电流电性连接有电磁耦合驱动器和第二DC-DC升压电路，所述电磁耦合驱动器电性连接有可控硅阵列，所述第二DC-DC升压电路与所述第一DC-DC升压电路电性连接；
所述脉冲信号放大模块中设有多组MC74HC04逻辑芯片，所述MC74HC04逻辑芯片的后端电性连接有IRF840MOS管，所述灌流驱动电路中电性连接有两组STC6614MOS管，所述大电流脉冲电流中采用的是IRF840MOS管，所述大电流脉冲电流通过电阻与所述灌流驱动电路电性连接；
所述可控硅阵列包括有电磁耦合驱动器、阵列可控硅和均压模块，所述电磁耦合驱动器是由磁环和绕组构成，所述阵列可控硅是由可控硅采用串并联电性连接，所述均压模块采用高压直流均压以及阻容脉冲均压相并联模式。


2.根据权利要求1所述的一种基于可控硅的阵列式高压大电流脉冲开关，其特征在于：所述脉冲信号放大、所述灌流驱动电路、所述大电流脉冲电流、所述第一DC-DC升压电路和所述第二DC-DC升压电路组成驱动模块，所述驱动模块电性连接外部输入的TTL电平信号和供电电压。


3.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵涛宁，杨阳，
申请(专利权)人：苏州峰极电磁科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32