一种可控硅驱动电路及可控硅芯片制造技术

本实用新型专利技术属于半导体器件技术领域，提供了一种可控硅驱动电路及可控硅芯片中，通过可控硅器件的控制极可控硅驱动电路的控制端，可控硅器件的第一电极作为可控硅驱动电路的输出端，可控硅器件的第二电极与齐纳二极管的阴极共接作为可控硅驱动电路的电源输入端，齐纳二极管的阳极与二极管的阴极共接作为可控硅驱动电路的补偿信号端，二极管的阳极作为可控硅驱动电路的接地端，从而提供一种自带直流功能的可控硅驱动电路，解决当前的可控硅器件功能单一的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种可控硅驱动电路及可控硅芯片
本技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种可控硅驱动电路及可控硅芯片。
技术介绍
可控硅(SiliconControlledRectifier，SCR)是一种大功率电器元件，也称晶闸管，具有体积小、效率高、寿命长等优点。目前的可控硅结构主要有全平面、单凸台、双凸台等，其优化方向主要在于降低高温漏电，提升电压变动率以及调节关断时的动态电流等。然而，当前的可控硅器件整体上依然属于单一可控硅，其等效电路可由8个晶体管构成，存在功能单一的问题。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种可控硅驱动电路及可控硅芯片，旨在解决当前的可控硅器件功能单一的问题。本技术提供的一种可控硅驱动电路，包括：可控硅器件、齐纳二极管以及二极管；所述可控硅器件的控制极所述可控硅驱动电路的控制端，所述可控硅器件的第一电极作为所述可控硅驱动电路的输出端，所述可控硅器件的第二电极与所述齐纳二极管的阴极共接作为可控硅驱动电路的电源输入端，所述齐纳二极管的阳极与所述二极管的阴极共接作为所述可控硅驱动电路的补偿信号端，所述二极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种可控硅驱动电路，其特征在于，包括：可控硅器件、齐纳二极管以及二极管；/n所述可控硅器件的控制极所述可控硅驱动电路的控制端，所述可控硅器件的第一电极作为所述可控硅驱动电路的输出端，所述可控硅器件的第二电极与所述齐纳二极管的阴极共接作为所述可控硅驱动电路的电源输入端，所述齐纳二极管的阳极与所述二极管的阴极共接作为所述可控硅驱动电路的补偿信号端，所述二极管的阳极作为所述可控硅驱动电路的接地端。/n

【技术特征摘要】
1.一种可控硅驱动电路，其特征在于，包括：可控硅器件、齐纳二极管以及二极管；
所述可控硅器件的控制极所述可控硅驱动电路的控制端，所述可控硅器件的第一电极作为所述可控硅驱动电路的输出端，所述可控硅器件的第二电极与所述齐纳二极管的阴极共接作为所述可控硅驱动电路的电源输入端，所述齐纳二极管的阳极与所述二极管的阴极共接作为所述可控硅驱动电路的补偿信号端，所述二极管的阳极作为所述可控硅驱动电路的接地端。


2.如权利要求1所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述可控硅驱动电路内还包括信号补偿电路，所述信号补偿电路设于所述补偿信号端与所述齐纳二极管的阳极之间。


3.如权利要求2所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述信号补偿电路包括第一电阻和第一电容；所述第一电容的第一端与所述齐纳二极管的阳极连接，所述第一电容的第二端与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与补偿信号端连接。


4.如权利要求1所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述可控硅器件为双向可控硅。


5.如权利要求1所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述可控硅器件的结构为全平面结构、单凸台结构以及双凸台结构中的任意一种。


6.如权利要求1所述的可控硅驱动电路，其特征在于，所述齐纳二极管包括基底，在所述基底中形成有阱区，在所述阱区中形成有掺杂类型不同的第一掺杂区和第二掺杂区...

【专利技术属性】
技术研发人员：蓝浩涛，张潘德，赖首雄，
申请(专利权)人：深圳市德芯半导体技术有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44