具熔接结构的导电端子制造技术

本实用新型专利技术主要揭示一种具熔接结构的导电端子，其包括：一主体以及一第一导电单元。所述主体包括一第一连接部，形成于所述主体的一端。并且，所述第一导电单元包括一第一连接端，连接所述第一连接部。其中，所述主体还包括形成于所述主体的另一端的一第二连接部，且一第二导线单元的一第二连接端连接于所述第二连接部。值得说明的是，所述主体还包括位于所述第一连接部与所述第二连接部之间的一端子连接件，且所述端子连接件的半径小于所述第一连接部与第二连接部的半径。

【技术实现步骤摘要】
具熔接结构的导电端子
本技术是关于导电端子连接的
，特别是指一种具熔接结构的导电端子。
技术介绍
如何有效率的将导电端子与导电线路紧密地相连接，一直是相关业者及工程师所重视与关心的项目；例如，美国专利号US4,681,393所公开的一种导电端子，由美国专利号US4,681,393的FIG.1可以得知，其透过导电端子线与导电线路互相卡合的设计以连接彼此。可想而知的是，经过数次的对接/拔除之后，导电端子与导电线路相卡合的部分将出现磨损与变形，导致导线端子与导电线路之间发生接触不良的情形。另一方面，如美国专利号US4,681,393的FIG.4所示，其导电端子的结构及制造程序复杂，因此容易产生不符合规定的缺陷品。然而，上述缺陷品亦会造成导电线路的损坏，造成导电端子与导电线路产生接触不良的情形。因此，如何提供一种高良率且高紧密度的导电端子与导电线路的结构亦成为相关业者亟欲解决的方向。由上述可以得知，现有的导电端子其有所不足而仍有所改善空间。有鉴于此，本技术的专利技术人系极力加以研究创作，而终于研发完成本技术的一种具熔接结构的导电端子。
技术实现思路
本技术的具熔接结构的导电端子包括：一主体以及一第一导电单元。所述主体包括一第一连接部，形成于所述主体的一端。并且，所述第一导电单元包括一第一连接端，连接所述第一连接部。其中，所述主体还包括形成于所述主体的另一端的一第二连接部，且一第二导线单元的一第二连接端连接于所述第二连接部。值得说明的是，所述第一连接部包括一第一熔接面，且所述第一连接端包括与所述第一熔接面相连接的一第二熔接面；如此设置，令所述第一导电单元以及所述主体具有高强度的连接关系。为了达成上述本技术的主要目的，本案专利技术人提供所述具熔接结构的导电端子的一实施例，包括：一主体，包括：形成于所述主体一端的一第一连接部；以及一第一导电单元，包括：一第一连接端连接所述第一连接部。在本技术的所述具熔接结构的导电端子的实施例中，所述主体还包括：一第二连接部，形成于所述主体的另一端；一第二导电单元的一第二连接端连接于所述第二连接部。在本技术的所述具熔接结构的导电端子的实施例中，其中，所述主体还包括一端子连接件，位于所述第一连接部与所述第二连接部之间。附图说明图1显示本技术的一种具熔接结构的导电端子的第一实施例的立体图；图2显示本技术的具熔接结构的导电端子的第一实施例的立体示意图；图3显示本技术的具熔接结构的导电端子的第二实施例的第一立体示意图；图4显示本技术的具熔接结构的导电端子的第二实施例的第二立体示意图；图5显示本技术的具熔接结构的导电端子的第三实施例的立体示意图；以及图6显示本技术的具熔接结构的导电端子的第三实施例的立体图。图中主要符号说明：1:具熔接结构的导电端子11:主体111:第一连接部111P:第一熔接面112:第二连接部112P:第三熔接面113:端子连接件114:第一凸环115:第二凸环12:第一导电单元121:第一连接端121O:凸环122:第一铜线束123:第一绝缘包覆件13:第二导电单元131:第二连接端132:第二铜线束133:第二绝缘包覆件134:第二卡合部具体实施方式为了能够更清楚地描述本技术所提出的一种具熔接结构的导电端子，以下将配合图式，详尽说明本技术的较佳实施例。第一实施例请参阅图1，显示本技术的一种具熔接结构的导电端子的第一实施例的立体图。并请同时参阅图2，显示本技术的具熔接结构的导电端子的第一实施例的立体示意图。如图1与图2所示，本技术的具熔接结构的导电端子1包括：一主体11以及一第一导电单元12。其中，所述主体11包括一第一连接部111，所述第一连接部111形成于所述主体11一端。并且，所述主体11还包括一第一凸环114，邻近所述第一连接部111。值得说明的是，所述第一连接部111包括一第一熔接面111P。并且，所述第一导电单元12包括一第一连接端121，连接所述第一连接部111。所述第一连接端121包括一第二熔接面，其中，所述第二熔接面与所述第一熔接面111P相连接。需补充说明的是，所述第一导电单元12包括一第一铜线束122以及一第一绝缘包覆件123，所述第一铜线束122连接所述第一连接端121，且所述第一绝缘包覆件123包覆于所述第一铜线束122。更具体地说明，所述第一熔接面111P与第二熔接面侧面呈下列任一者：平板状、不规则状、波浪状、及弧状。换句话说，将所述第一熔接面111P与所述第二熔接面相接触后进行一超声波熔接动作，以令本技术的第一导电单元12与所述主体11具有高强度的连接结构，同时具有更佳的温升(所述导电端子1的温度与室温的差)表现。本技术的导电端子与实验现有一般导电端子的温升数据整理于下表(1)之中。表(1)第二实施例承上述，请同时参阅图3，显示本技术的具熔接结构的导电端子的第二实施例的第一立体示意图。并请同时参阅图4，显示本技术的具熔接结构的导电端子的第二实施例的第二立体示意图。如图2至图4所示，相较于上述第一实施例，本实施例的所述主体11还包括一第二连接部112，形成于所述主体11的另一端。其中，一第二导电单元13的一第二连接端131连接于所述第二连接部112。值得说明的是，所述主体11还包括一端子连接件113，位于所述第一连接部111与所述第二连接部112之间。更具体地说明，所述端子连接件113的两端分别卡合于对应的一第一卡合部与一第二卡合部134，以令本技术的主体11、所述第一导电单元12与所述第二导电单元13之间具有可相连接与拆除的效果。并且，所述端子连接件113的半径系小于第一连接部111与所述第二连接部112的半径。承上述，所述主体11还包括一第二凸环115，设置邻近于所述第二连接部112。如图4所示，所述第二导电单元13包括一第二铜线束132以及一第二绝缘包覆件133。所述第二铜线束132由多条铜线所集束而成，而所述第二绝缘包覆件133包覆于所述第二铜线束132。在本技术中，所述第二连接部112包括一第三熔接面112P。并且，所述第二连接端131包括一第四熔接面，所述第四熔接面与所述第三熔接面112P相连接。更具体地说明，所述第三熔接面112P与所述第四熔接面的侧面呈下列任一者：平板状、不规则状、波浪状、及弧状。如此设置，将所述第三熔接面112P与所述第四熔接面相接触后再进行一超声波熔接动作，以令本技术的第二导电单元13与所述主体11具有高强度的连接结构。第三实施例再次参阅图2。并请同时参阅图5与图6，显示本技术的具熔接结构的导电端子的第三实施例的立体示意图与立体图。如图2与图5所示，相较于前述第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具熔接结构的导电端子，其特征是，包括：/n一主体，包括：一第一连接部，设置于所述主体的一端且包括一第一熔接面；以及/n一第一导电单元，包括：一第一连接端连接所述第一连接部，且所述第一连接端包括与所述第一熔接面相连接的一第二熔接面。/n

【技术特征摘要】
1.一种具熔接结构的导电端子，其特征是，包括：
一主体，包括：一第一连接部，设置于所述主体的一端且包括一第一熔接面；以及
一第一导电单元，包括：一第一连接端连接所述第一连接部，且所述第一连接端包括与所述第一熔接面相连接的一第二熔接面。


2.根据权利要求1所述的具熔接结构的导电端子，其特征是，所述第一连接端的形状为半圆柱状。


3.根据权利要求2所述的具熔接结构的导电端子，其特征是，所述第一连接端上设置有至少一凸环。


4.根据权利要求1所述的具熔接结构的导电端子，其特征是，所述主体还包括：一第二连接部，形成于所述主体的另一端；一第二导电单元的一第二连接端连接于所述第二连接部。


5.根据权利要求4所述的具熔接结构的导电端子，其特征是，所述第二连接端的形状为半圆柱状。


6.根据权利要求5所述的具熔接结构的导电端子，其特征是，所述第二连接端设置有至少一凸环。


7.根据权利要求4所述的具熔接结构的导电端子，其特征是，所述主体还包括一端子连接件，设置于所述第一连接部与所述第二连接部之间。


8.根据权利要求4所述的具熔接结构的导电端子，其特征是，所述主体还包括一...

【专利技术属性】
技术研发人员：张俊云，何应松，叶大丰，吕正伟，邱佳誉，
申请(专利权)人：东莞崧腾电子有限公司，崧腾电子苏州有限公司，崧腾企业股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44