【技术实现步骤摘要】
一种低插损环形器
本技术涉及电子元器件
,尤其涉及一种低插损环形器。
技术介绍
环形器是多端口的非可逆器件,将进入其任一端口的入射波,按照由静偏磁场确定的方向顺序传入下一个端口,其显著特点为能够单向传输高频信号能量,在隔离器、双工器、反射放大器中有良好的应用。随着5G时代的到来,对于环形器的低插损特性要求越来越高,在现有的采用PCB构造的环形器中,中心导体的公共导体部分通过PCB的配线与盒体相连,这种间接的连接方式会导致环形器的插入损耗增大,该传统构造的环形器已不能满足该要求。另外,该构造不利于环形器的小型化和提高中心导体的固定稳定性。因此,亟需一种低插损环形器,以解决上述的技术问题。
技术实现思路
基于以上所述,本技术的目的在于提供一种低插损环形器,能够降低插入损耗,降低环形器的高度,提高中心导体的固定稳定性。为达上述目的,本技术采用以下技术方案:提供一种低插损环形器,外壳和磁性组件,所述外壳内设有腔体,所述磁性组件设于所述腔体中,所述磁性组件包括:PCB基板,所述PCB基板上设有中心下沉孔,所述PCB基板上连接有若个干电容元件和电阻元件;以及导体模块,所述导体模块包括中心导体,所述中心导体包括中心圆盘部及三个连接部,三个所述连接部分别与所述中心圆盘部连接,所述连接部的一端伸出所述中心圆盘部并与所述PCB基板的上表面连接,所述中心圆盘部设于所述中心下沉孔中,所述中心圆盘部的最低点高度不超过所述PCB基板的最高点高度,所述中心圆盘部与所述外壳的底部 ...
【技术保护点】
1.一种低插损环形器,包括外壳和磁性组件,所述外壳内设有腔体,所述磁性组件设于所述腔体中,其特征在于,所述磁性组件包括:/nPCB基板(1),所述PCB基板(1)上设有中心下沉孔(11),所述PCB基板(1)上连接有若个干电容元件(3)和电阻元件(4);以及/n导体模块(2),所述导体模块(2)包括中心导体(21),所述中心导体(21)包括中心圆盘部(211)及三个连接部(212),三个所述连接部(212)分别与所述中心圆盘部(211)连接,所述连接部(212)的一端伸出所述中心圆盘部(211)并与所述PCB基板(1)的上表面连接,所述中心圆盘部(211)设于所述中心下沉孔(11)中,所述中心圆盘部(211)的最低点高度不超过所述PCB基板(1)的最高点高度,所述中心圆盘部(211)与所述外壳的底部连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种低插损环形器,包括外壳和磁性组件,所述外壳内设有腔体,所述磁性组件设于所述腔体中,其特征在于,所述磁性组件包括:
PCB基板(1),所述PCB基板(1)上设有中心下沉孔(11),所述PCB基板(1)上连接有若个干电容元件(3)和电阻元件(4);以及
导体模块(2),所述导体模块(2)包括中心导体(21),所述中心导体(21)包括中心圆盘部(211)及三个连接部(212),三个所述连接部(212)分别与所述中心圆盘部(211)连接,所述连接部(212)的一端伸出所述中心圆盘部(211)并与所述PCB基板(1)的上表面连接,所述中心圆盘部(211)设于所述中心下沉孔(11)中,所述中心圆盘部(211)的最低点高度不超过所述PCB基板(1)的最高点高度,所述中心圆盘部(211)与所述外壳的底部连接。
2.根据权利要求1所述的低插损环形器,其特征在于,三个所述连接部(212)沿所述中心圆盘部(211)的周向均匀分布,所述连接部(212)包括依次连接的支撑段(2121)、延伸段(2122)和连接段(2123),所述支撑段(2121)沿竖直方向设置,所述支撑段(2121)的底端与所述中心圆盘部(211)的边缘连接,所述延伸段(2122)的一端与所述支撑段(2121)的顶端连接,所述延伸段(2122)沿水平方向穿过所述中心圆盘部(211)的中心轴线后伸出所述中心圆盘部(211),所述连接段(2123)连接于所述延伸段(2122)的另一端并与所述PCB基板(1)连接。
3.根据权利要求2所述的低插损环形器,其特征在于,所述连接段(2123)设置为L型板结构,所述连接段(2123)的上端与所述延伸段(2122)的另一端连接,所述连接段(2123)的下端与所述PCB基板(1)连接。
4.根据权利要求2所述的低插损环形器,其特征在于,三个所述延伸段(2122)的高度互不相等,且三个所述延伸段(2122)之间及高度最低的延伸段(2122)与所述中心圆盘部(211)之间均设有间隙,所述导体模块(2)还包括:
铁氧体(22),所述铁氧体(2...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘玉敏,张典鹏,王春明,邱文才,刘朝胜,
申请(专利权)人:广东大普通信技术有限公司,
类型:新型
国别省市:广东;44
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