一种低功耗X2抗干扰抑制薄膜电容器制造技术

本实用新型专利技术提供一种低功耗X2抗干扰抑制薄膜电容器，涉及电容器领域，包括外壳，所述缠绕层的中部连接有金属镀膜处理层。本实用新型专利技术中，通过时效处理工艺，将屏蔽带所产生的留边上残存少量的屏蔽油处理掉，通过温度50℃±5℃，湿度≤20%，时间30H±6H，使金属化膜内部的晶体结构更趋于稳定，内部的多余油渍提前挥发沉积，在后续的生产过程不会由于其他各方面的因素而导致内部晶体结构变化。所以，经过此工艺处理后的薄膜它的性能更加优越，有效降低电容器的功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种低功耗X2抗干扰抑制薄膜电容器
本技术涉及电容器领域，尤其涉及一种低功耗X2抗干扰抑制薄膜电容器。
技术介绍
金属化薄膜电容是以有机塑料薄膜做介质，以金属化薄膜做电极，通过卷绕方式制成制成的电容，金属化薄膜电容器所使用的薄膜有聚乙酯、聚丙烯、聚碳酸酯等，除了卷绕型之外，也有叠层型。其中以聚酯膜介质和聚丙烯膜介质应用最广。但是由于金属化膜在蒸镀时候使用的是油屏蔽来保证留边,由此在卷绕前屏蔽带所产生的留边上会残存少量的屏蔽油，同时在蒸镀过程中屏蔽油也会有少量扩散到锌铝金属化镀层，使电容器的功耗增加。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种低功耗X2抗干扰抑制薄膜电容器，以解决上述技术问题。本技术为解决上述技术问题，采用以下技术方案来实现：一种低功耗X抗干扰抑制薄膜电容器，包括外壳，所述外壳的内端包裹有缠绕层，所述缠绕层的中部连接有金属镀膜处理层，所述金属镀膜处理层包括锌加厚层、锌铝金属化镀层、油屏蔽形成流边量和金属化膜，所述金属化膜的上端蒸镀有锌铝金属化镀层，所述锌铝金属化镀层的左上端设置有锌加厚层，所述锌铝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种低功耗X2抗干扰抑制薄膜电容器，包括外壳（4），其特征在于：所述外壳（4）的内端包裹有缠绕层（5），所述缠绕层（5）的中部连接有金属镀膜处理层（3），所述金属镀膜处理层（3）包括锌加厚层（31）、锌铝金属化镀层（32）、油屏蔽形成流边量（33）和金属化膜（34），所述金属化膜（34）的上端蒸镀有锌铝金属化镀层（32），所述锌铝金属化镀层（32）的左上端设置有锌加厚层（31），所述锌铝金属化镀层（32）的右下方位于金属化膜（34）的上端右侧设置有油屏蔽形成流边量（33）所述金属镀膜处理层（3）的上侧固定有引脚（1），所述引脚（1）的下端位于金属镀膜处理层（3）的上端套接有橡胶塞（2）。/...

【技术特征摘要】
1.一种低功耗X2抗干扰抑制薄膜电容器，包括外壳（4），其特征在于：所述外壳（4）的内端包裹有缠绕层（5），所述缠绕层（5）的中部连接有金属镀膜处理层（3），所述金属镀膜处理层（3）包括锌加厚层（31）、锌铝金属化镀层（32）、油屏蔽形成流边量（33）和金属化膜（34），所述金属化膜（34）的上端蒸镀有锌铝金属化镀层（32），所述锌铝金属化镀层（32）的左上端设置有锌加厚层（31），所述锌铝金属化镀层（32）的右下方位于金属化膜（34）的上端右侧设置有油屏蔽形成流边量（33）所述金属镀膜处理层（3）的上侧固定有引脚（1），所述引脚（1）的下端位于金属镀膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢志懋，邬文彬，
申请(专利权)人：佛山市欣源电子股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44