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本实用新型提供一种低功耗X2抗干扰抑制薄膜电容器，涉及电容器领域，包括外壳，所述缠绕层的中部连接有金属镀膜处理层。本实用新型中，通过时效处理工艺，将屏蔽带所产生的留边上残存少量的屏蔽油处理掉，通过温度50℃±5℃，湿度≤20%，时间30H±...该专利属于佛山市欣源电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山市欣源电子股份有限公司授权不得商用。
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