具有ESD保护电路的半导体开关制造技术

根据本公开的各实施例涉及具有ESD保护电路的半导体开关。在下文中说明用于保护免受ESD事件的钳位电路。根据一个实施例，该电路具有以下各项：具有控制端子和负载电流路径的第一晶体管，该第一晶体管连接在第一接触部和第二接触部之间；具有放大器输入端和放大器输出端的放大器电路，该放大器电路与晶体管的控制端子连接；以及触发电路，该触发电路连接在第一接触部和第二接触部之间并且具有第二晶体管。触发电路被设计为，响应于第一接触部处的放电电流，通过以下方式在放大器输入端产生电压摆幅：至少一部分放电电流通过第二晶体管的固有电容来驱动第二晶体管的控制端子。

【技术实现步骤摘要】
具有ESD保护电路的半导体开关
本专利技术涉及半导体开关领域，特别地涉及一种具有有源钳位电路(activeclampingcircuit)的半导体开关，该有源钳位电路用于防静电放电(electrostaticdischarges,ESD)的保护。
技术介绍
有源钳位电路也称为有源钳位，其通常用于在静电放电(ESD事件)的情况下激活在半导体芯片的两个引脚之间的低电阻电流路径并导出电荷。特别地，在所谓的高压(HV)引脚中通常使用此方案。除了在发生ESD事件时作为保护电路的原本功能之外，钳位电路还应满足其他要求，诸如低芯片面积需求和低钳位电压。还期望的是，钳位电路不是在高直流电压下接通，而是仅在瞬时静电放电时接通。这些要求意味着目标冲突，因此必须找到折衷方案。专利技术人设定了改善已知钳位电路的目的。
技术实现思路
上述目的通过根据本专利技术的电路来实现。不同的示例性实施例是从属权利要求的主题。下面说明用于保护免受ESD事件的钳位电路。根据一个实施例，该电路具有以下各项：具有控制端子和负载电流路径的第一晶体管，该第一晶体管连接在第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电路，具有以下各项：/n第一晶体管(M

【技术特征摘要】
20200213 DE 102020103706.61.一种电路，具有以下各项：
第一晶体管(ML)，具有控制端子和负载电流路径，所述第一晶体管连接在第一接触部(PIN1)和第二接触部(PIN2)之间；
放大器电路(AMP；MP、RGSn)，具有放大器输入端和放大器输出端，所述放大器电路与所述晶体管(ML)的所述控制端子连接；
触发电路(TRIG)，连接在所述第一接触部(PIN1)和所述第二接触部(PIN2)之间，所述触发电路具有第二晶体管(MX)，并且所述触发电路被设计为，响应于所述第一接触部(PIN1)处的放电电流，通过以下方式在所述放大器输入端产生电压摆幅：所述放电电流的至少一部分通过所述第二晶体管(MX)的固有电容(CDG)来驱动所述第二晶体管(MX)的控制端子。


2.根据权利要求1所述的电路，
其中所述触发电路包括另一放大器电路，所述另一放大器电路的输出端与所述放大器电路(AMP)的所述放大器输入端连接，并且所述另一放大器电路的输入端与所述第一接触部(PIN1)电容性耦合，其中所述电容性耦合由所述第二晶体管(MX)的所述固有电容(CDG)提供。


3.根据权利要求2所述的电路，
其中所述另一放大器电路由在源极电路中的所述第二晶体管(MX)形成，所述第二晶体管的控制电极通过所述固有电容(CDG)与所述第一接触部(PIN1)耦连。


4.根据权利要求1所述的电路，
其中所述触发电路具有一个或多个电阻器(RGSp)，所述一个或多个电阻器将所述第一接触部(PIN1)耦连到所述放大器电路(AMP；MP、RGSn)的所述放大器输入端，并且
其中所述第二晶体管(MX)连接在所述放大器输入端和所述第二接触部(PIN2)之间。


5.根据权利要求4所述的电路，
其中所述第二晶体管(MX)是MOS晶体管，所述第二晶体管的控制端子通过电阻器(R...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·鲁普，M·阿默尔，GD·克鲁图，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE