充放电控制电路以及电池装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及充放电控制电路以及电池装置。提供能够在不另行设置保护电路的情况下保护充放电控制电路和电池装置免受反向连接状态的影响的技术。一种电池装置的充放电控制电路，所述电池装置具有二次电池、外部正极端子和外部负极端子、以及控制二次电池的充放电的充电控制FET和放电控制FET，其中，所述充放电控制电路具有：VDD端子，其被输入电压VDD；VSS端子，其被输入电压VSS；充电控制端子；放电控制端子；电压检测端子，其被输入向外部正极端子施加的电压；NMOS晶体管，其将放电控制端子和电压检测端子连结；以及双极晶体管，其将NMOS晶体管的块体、漏极和源极作为基极、集电极和发射极。

【技术实现步骤摘要】
充放电控制电路以及电池装置
本专利技术涉及充放电控制电路以及电池装置。
技术介绍
电池装置具有二次电池和充放电控制装置，该充放电控制装置包含充放电控制电路，该充放电控制电路控制该二次电池的充放电。充放电控制装置检测二次电池的过充电、过放电、放电过电流和充电过电流，根据检测结果控制二次电池的充放电。电池装置通过由充放电控制装置对二次电池的充放电进行控制，保护二次电池免受过充电、过放电、放电过电流和充电过电流的影响(例如，参照专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平11-178224号公报但是，专利文献1所记载的电池装置未设想使充电器的极性反转而与外部正极端子和外部负极端子连接的所谓反向连接状态来设计。如果具体地说明，则在将充电器反向连接于外部正极端子和外部负极端子的状态下，对外部正极端子和外部负极端子施加充电器的反向电压。因此，相当于充电器的电压与二次电池的电压之和的电压施加到二次电池的正极与外部正极端子之间。其结果，在设置于二次电池的正极与外部正极端子之间的充放电控制MOS晶体管中流过超过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电池装置的充放电控制电路，所述电池装置具有：二次电池；外部正极端子和外部负极端子，它们能够与负载、充电器的正极和负极连接；充电控制FET，其控制所述二次电池的充电；以及放电控制FET，其控制所述二次电池的放电，所述充放电控制电路的特征在于，该充放电控制电路具有：/n第1电源电压输入端子，其被输入由所述二次电池产生的第1电源电压和第2电源电压中的第1电源电压；/n第2电源电压输入端子，其被输入比所述第1电源电压低的第2电源电压；/n充电控制端子，其与所述充电控制FET的栅极连接；/n放电控制端子，其与所述放电控制FET的栅极连接；/n电压检测端子，其被输入向所述外部正极端子施加的电压；/...

【技术特征摘要】
20200207 JP 2020-0196001.一种电池装置的充放电控制电路，所述电池装置具有：二次电池；外部正极端子和外部负极端子，它们能够与负载、充电器的正极和负极连接；充电控制FET，其控制所述二次电池的充电；以及放电控制FET，其控制所述二次电池的放电，所述充放电控制电路的特征在于，该充放电控制电路具有：
第1电源电压输入端子，其被输入由所述二次电池产生的第1电源电压和第2电源电压中的第1电源电压；
第2电源电压输入端子，其被输入比所述第1电源电压低的第2电源电压；
充电控制端子，其与所述充电控制FET的栅极连接；
放电控制端子，其与所述放电控制FET的栅极连接；
电压检测端子，其被输入向所述外部正极端子施加的电压；
NMOS晶体管，其将所述放电控制端子和所述电压检测端子连结；以及
双极晶体管，其具有与所述NMOS晶体管的漏极连接的集电极、与所述NMOS晶体管的源极连接的发射极、以及与所述NMOS晶体管的块体和所述第2电源电压输入端子连接的基极。


2.根据权利要求1所述的充放电控制电路，其中，
所述充放电控制电路还具有PMOS晶体管，该PMOS晶体管通过与所述NMOS晶体管不同的路径将所述放电控制...

【专利技术属性】
技术研发人员：小野贵士，安斋亮一，
申请(专利权)人：艾普凌科有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP