【技术实现步骤摘要】
叠层光伏器件及生产方法
本专利技术涉及太阳能光伏
，特别是涉及一种叠层光伏器件及生产方法。
技术介绍
叠层光伏器件可以将太阳光分成多个波段，从正面到背面，依次采用带隙逐渐减小的太阳能电池单元吸收不同能量的太阳光，以拓宽对太阳光的光谱响应波段，减少能量损失，因此，叠层光伏器件具有广泛的应用前景。隧道结具有较强的复合能力，实现较高的复合速率所需的厚度较薄，因此，叠层光伏器件中通常采用隧道结串联各个电池单元。但是，现有技术的叠层光伏器件中整体串联电阻偏高。
技术实现思路
本专利技术提供一种叠层光伏器件及生产方法，旨在解决叠层光伏器件中整体串联电阻偏高的问题。根据本专利技术的第一方面，提供了一种叠层光伏器件，所述叠层光伏器件包括：上层电池单元和下层电池单元，以及位于所述上层电池单元和所述下层电池单元之间的隧道结；所述下层电池单元为晶体硅电池；所述隧道结包括：上传输层、下传输层以及位于所述上传输层和所述下传输层之间的中间层，所述上传输层、所述下传输层、所述中间层直接接触，所述上...
【技术保护点】
1.一种叠层光伏器件，其特征在于，所述叠层光伏器件包括：上层电池单元和下层电池单元，以及位于所述上层电池单元和所述下层电池单元之间的隧道结；所述下层电池单元为晶体硅电池；/n所述隧道结包括：上传输层、下传输层以及位于所述上传输层和所述下传输层之间的中间层，所述上传输层、所述下传输层、所述中间层直接接触，所述上传输层具有第一导电类型，所述下传输层具有第二导电类型，所述第一导电类型和所述第二导电类型相反；/n所述中间层为有序缺陷层，所述缺陷的空间尺度为0.5-2nm，所述缺陷的中心平均间距为1-100nm；/n或，所述中间层为连续薄层，当所述中间层的材料为金属时，所述中间层的厚...
【技术特征摘要】
1.一种叠层光伏器件，其特征在于，所述叠层光伏器件包括：上层电池单元和下层电池单元，以及位于所述上层电池单元和所述下层电池单元之间的隧道结；所述下层电池单元为晶体硅电池；
所述隧道结包括：上传输层、下传输层以及位于所述上传输层和所述下传输层之间的中间层，所述上传输层、所述下传输层、所述中间层直接接触，所述上传输层具有第一导电类型，所述下传输层具有第二导电类型，所述第一导电类型和所述第二导电类型相反；
所述中间层为有序缺陷层，所述缺陷的空间尺度为0.5-2nm，所述缺陷的中心平均间距为1-100nm；
或，所述中间层为连续薄层，当所述中间层的材料为金属时，所述中间层的厚度0.5-2nm；若所述中间层的材料为半导体材料时，所述连续薄层的掺杂浓度为1020-1021cm-3；
或，所述中间层包括与所述下传输层接触的第一层和与所述上传输层接触的第二层，所述第一层的导电类型与所述下传输层的导电类型相同，所述第二层的导电类型与所述上传输层的导电类型相同，所述第一层的掺杂浓度为所述下传输层的掺杂浓度的10-10000倍，且所述第一层的掺杂浓度小于或等于1021cm-3；所述第二层的掺杂浓度为所述上传输层的掺杂浓度的10-10000倍，且所述第二层的掺杂浓度小于或等于1021cm-3。
2.根据权利要求1所述的叠层光伏器件，其特征在于，所述有序缺陷层为量子点形成的点阵结构或缺陷结构形成的缺陷阵列；
所述量子点的空间尺度为0.5-2nm，所述量子点的中心平均间距为1-100nm；所述量子点的材料选自：功函数大于3.5eV的金属、硅、碳、锗、III-V族化合物中的至少一种；
所述缺陷结构的空间尺度为0.5-2nm，所述缺陷结构的中心平均间距为1-100nm。
3.根据权利要求1所述的叠层光伏器件，其特征在于，所述连续薄层的材料选自：功函数大于3.5eV的金属、硼、氮、磷、硼与硅的混合物、氮与硅的混合物、磷与硅的混合物中的一种。
4.根据权利要求1所述的叠层光伏器件，其特征在于，所述下传输层的厚度为2-20nm；所述下传输层的材料选自：晶体硅、非晶硅、纳米晶硅、非晶碳化硅、纳米晶碳化硅、晶体碳化硅中的一种，所述下传输层的掺杂浓度为1015-1019cm-3；
所述第一层和所述第二层的材料均选自：晶体硅、非晶硅、纳米晶硅、非晶碳化硅、晶体碳化硅中的一种，所述第一层和所述第二层的掺杂浓度均为：1016-1020cm-3。
5.根据权利要求4所述的叠层光伏器件，其特征在于，朝着所述中间层的方向，所述下传输层的掺杂浓度递增。
6.根据权利要求1、4、5中任一所述的叠层光伏器件，其特征在于，所述上传输层的厚度为2-20nm；
所述上传输层的材料选自：晶体硅、非晶硅、纳米晶硅、非晶碳化硅、纳米晶碳化硅、晶体碳...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴兆，徐琛，李子峰，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：陕西;61
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。