一种利用红外增透散热的硅太阳能电池片制造技术

本发明专利技术公开了一种利用红外增透散热的硅太阳能电池片。现有太阳能电池片散热装置结构复杂，散热效果不理想。本发明专利技术在硅太阳能电池片本体底面覆有钝化层，钝化层上覆有对应波长为8～12微米中红外辐射的增透膜。增透膜采用1.33～2.0微米厚度的SiO

【技术实现步骤摘要】
一种利用红外增透散热的硅太阳能电池片
本专利技术属于太阳能电池
，涉及一种利用红外增透散热的硅太阳能电池片。
技术介绍
目前硅太阳能电池片的光电转换效率在22-23％左右，要继续提升困难重重，即使0.1％的提升也可视为很大的技术进步。制约硅电池片效率进一步提升的主要原因在于硅材料的间接能带结构及偏小的禁带宽度，导致70％以上的太阳辐射能被电池片吸收后没有转换成电能，而是转换成了热能。因此，硅太阳能电池片在有光照时其工作温度会升高，特别是在炎热的夏天，太阳能电池片的温度可以上升到70℃，甚至更高。电池片的工作温度升高会引起太阳能电池光电转换效率的降低。研究发现，单晶硅电池片的工作温度每升高1度，其相对光电转换效率就会下降0.45％。假如电池片工作温度比周边环境温度高出30度，则相对光电转换效率就会下降13.5％，换算成绝对转换效率大概为3％左右，这是一个巨大的效率损失。因此，如何降低电池片工作时的温度势必成为硅晶体太阳能电池今后研究的一个重要方向。为此，研究人员提出了通过风冷或水冷等强制制冷方式降低太阳能电池组件的工作温度以提高电池本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用红外增透散热的硅太阳能电池片，包括硅太阳能电池片本体；其特征在于：硅太阳能电池片本体底面覆有钝化层，钝化层上覆有对应波长为8～12微米中红外辐射的增透膜。/n

【技术特征摘要】
1.一种利用红外增透散热的硅太阳能电池片，包括硅太阳能电池片本体；其特征在于：硅太阳能电池片本体底面覆有钝化层，钝化层上覆有对应波长为8～12微米中红外辐射的增透膜。


2.如权利要求1所述的一种利用红外增透散热的硅太阳能电池片，其特征在于：所述的增透膜为厚度在1.33～2.0微米之间的SiO2层。


3.如权利要求1所述的一种利用红外增透散热的硅太阳能电池片，其特征在于：所述的增透膜为厚度在1.23～1.84微米之间的Al2O3层。


4.如权利要求1所述的一种利用红外增透散热的硅太阳能电池片，其特征在于：所述的增透膜为厚度在1.03～1.54微米之间的HfO2层。


5.如权利要求1所述的一种利用红外增透散热的硅太阳能电池片，其特征在于：所述的增透膜为厚度在1.01～1.52微米之间的Si3N4层。


6.如权利要求1所述的一种利用红外增透散热的硅太阳能电池片，其特征在于：所述的增透膜为厚度在0.85～1.28微米之间的TiO2层。


7.如权利要求1所述的一种利用红外...

【专利技术属性】
技术研发人员：季振国，李阳阳，毛启楠，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33