半导体应力消除方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，公开了一种半导体应力消除方法，首先在半导体长型条的正面形成光刻胶层，该光刻胶层起保护和防震作用，然后将形成光刻胶层后的半导体长型条进行烘烤，接着对烘烤后的半导体长型条的背部进行开槽，从而使得作用在半导体长型条整体的内应力能够充分释放，另外，由于开槽的位置为半导体长型条中的相邻两个半导体之间的连接位置，开槽宽度小于0.15mm，而后续正常分离半导体的切割宽度是0.15～0.2mm，因此不会对半导体造成伤害。

【技术实现步骤摘要】
半导体应力消除方法
本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种半导体应力消除方法。
技术介绍
随着科技的日新月异，对半导体的加工能力要求越来越高。在加工过程中，存在着半导体的形变，这主要是在加工过程中受应力影响造成的。目前，减少内应力的办法主要是研磨和热处理，但是内应力消除的效果较差。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是提供一种半导体应力消除方法，其能够有效消除半导体的内应力。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种半导体应力消除方法，包括：在半导体长型条的正面形成光刻胶层；所述半导体长型条包括多个依次排列的半导体；将形成光刻胶层后的半导体长型条进行烘烤；对烘烤后的半导体长型条的背部进行开槽，开槽的位置为半导体长型条中的相邻两个半导体之间的连接位置，开槽宽度小于0.15mm；去除开槽后的半导体长型条上的光刻胶层。作为优选方案，对烘烤后的半导体长型条的背部进行开槽的开槽宽度为0.1mm。作为优选方案，对烘烤后的半导体长型条的背部进行开槽的开槽深度为0.4mm。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体应力消除方法，其特征在于，包括：/n在半导体长型条的正面形成光刻胶层；所述半导体长型条包括多个依次排列的半导体；/n将形成光刻胶层后的半导体长型条进行烘烤；/n对烘烤后的半导体长型条的背部进行开槽，开槽的位置为半导体长型条中的相邻两个半导体之间的连接位置，开槽宽度小于0.15mm；/n去除开槽后的半导体长型条上的光刻胶层。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体应力消除方法，其特征在于，包括：
在半导体长型条的正面形成光刻胶层；所述半导体长型条包括多个依次排列的半导体；
将形成光刻胶层后的半导体长型条进行烘烤；
对烘烤后的半导体长型条的背部进行开槽，开槽的位置为半导体长型条中的相邻两个半导体之间的连接位置，开槽宽度小于0.15mm；
去除开槽后的半导体长型条上的光刻胶层。


2.如权利要求1所述的半导体应力消除方法，其特征在于，对烘烤后的半导体长型条的背部进行开槽的开槽宽度为0.1mm。


3.如权利要求1所述的半导体应力消除方法，其特征在于，对烘烤后的半导体长型条的背部进行开槽的开槽深度为0.4mm。


4.如权利要求1所述的半导体应力消除方法，其特征在于，开槽时的切割刀片的转速为6000RPM，切割速度为150mm/s，切割水温为25～30℃。


5.如权利要求4所述的半导体应力消除方法，其特征在于，开槽时的切割刀片采用金刚石砂轮刀片，切割刀片的颗粒大...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄海冰，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44