电致发光显示器件及其制造方法技术

本发明专利技术的纳米粒子共轭物包含量子点(QD)及与该QD结合的热活化延迟荧光(TADF)分子。在一些情况下，上述TADF分子能够与QD的表面直接结合。在另一情况下，上述TADF分子能够通过与设置于QD表面的一个以上的封盖配体的相互作用而与QD间接结合。本发明专利技术的纳米粒子共轭物能够并入电致发光二极管器件的发光层中，以获得包含电致发光量子点的发光二极管(QD‑LED)器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电致发光显示器件及其制造方法相关申请的交叉引用本申请主张2018年11月16日提交的美国临时申请第62/768,531号的权利，其全部内容通过参考引用于此。
本专利技术涉及一种电致发光显示器件及电致发光显示器件的制造方法。更具体而言，本专利技术涉及一种使用发光层的电致发光显示器件，该发光层包含表面共轭有分子的量子点，其中该分子显示出热活化延迟荧光(TADF)。
技术介绍
半导体纳米材料一直以来，由通常被称为量子点(QD)和/或纳米粒子的2-100nm量级粒子组成的化合物半导体的制备及特性分析备受关注。该领域的研究主要集中在纳米粒子的能够调整大小的电子、光学及化学特性。半导体纳米粒子受到关注是因为其在生物标记、太阳能电池、催化作用、生物成像及发光二极管等各种商业应用上的潜力。两个基本因素(均与单个半导体纳米粒子的大小有关)主要影响它们的固有特性。第一因素是较大的表面积与体积之比：随着粒子变小，表面原子数与内部原子数之比会变大。因此，使表面特性在材料的整体特性中起到重要作用。关于第二因素，在许多材料(包括半导体纳米粒本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种纳米粒子共轭物，其包含：/n量子点(QD)；及/n热活化延迟荧光(TADF)分子，与所述QD结合。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181116 US 62/768,5311.一种纳米粒子共轭物，其包含：
量子点(QD)；及
热活化延迟荧光(TADF)分子，与所述QD结合。


2.根据权利要求1所述的纳米粒子共轭物，其中，
所述TADF分子与所述QD的表面直接结合。


3.根据权利要求2所述的纳米粒子共轭物，其中，
所述TADF分子通过离子键与所述QD的表面直接结合。


4.根据权利要求2所述的纳米粒子共轭物，其中，
所述TADF分子通过共价键与所述QD的表面直接结合。


5.根据权利要求2所述的纳米粒子共轭物，其中，
所述TADF分子通过分子间作用力与所述QD的表面直接结合。


6.根据权利要求5所述的纳米粒子共轭物，其中，
所述分子间作用力是氢键、π-π堆积或范德华力中的任一种。


7.根据权利要求1所述的纳米粒子共轭物，其中，
所述QD进一步包含与所述QD的表面结合的封盖配体。


8.根据权利要求1或7所述的纳米粒子共轭物，其中，
所述TADF分子与所述QD间接结合。


9.根据权利要求8所述的纳米粒子共轭物，其中，
所述TADF分子通过所述TADF分子与所述封盖配体之间的相互作用而与所述QD间接结合。


10.根据权利要求9所述的纳米粒子共轭物，其中，
所述相互作用是离子键。


11.根据权利要求10所述的纳米粒子共轭物，其中，
所述相互作用是共价键。


12.根据权利要求10所述的纳米粒子共轭物，其中，
所述相互作用是分子间作用力。


13.根据权利要求12所述的纳米粒子共轭物，其中，
所述分子间作用力是氢键、π-π堆积或范德华力中的任一种。


14.根据权利要求1至13中任一项所述的纳米粒子共轭物，其中，
所述TADF分子包含：
至少一个供电子基团(D基团)；及
吸电子基团(A基团)，与所述至少一个D基团结合。


15.根据权利要求14所...

【专利技术属性】
技术研发人员：斯图尔特·斯塔布斯，娜塔莉·格雷斯蒂，詹姆斯·哈里斯，杨媾锡，郑硕贤，远藤礼隆，
申请(专利权)人：九州有机光材股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP