高纯度窄带绿光发射有机无机杂化卤化铅钙钛矿材料、制备方法及其应用技术

本发明专利技术属于材料制备技术领域，具体涉及一种高纯度窄带绿光发射有机无机杂化卤化铅钙钛矿材料、制备方法及其应用，其分子式为[TMDAP]

【技术实现步骤摘要】
高纯度窄带绿光发射有机无机杂化卤化铅钙钛矿材料、制备方法及其应用
本专利技术属于材料制备
，具体涉及一种高纯度窄带绿光发射有机无机杂化卤化铅钙钛矿材料、制备方法及其应用。
技术介绍
近年来，白光发射二极管(WLEDs)凭借高效率、长寿命、低能耗等优良特性，成为固体照明和液晶显示技术中最有潜力的光电器件之一。根据新定义的国际电信联盟(ITU)推荐的BT2020(Rec.2020)标准，为了实现WLEDs的组装，探索具有极窄半峰宽(FWHM<25nm)的高纯度单色红、绿、蓝基色至关重要。其中，绿光是人眼最敏感的波段，与红色和蓝色发光的荧光粉相比，实现绿光高效高纯的窄带发射是目前研究的热点与难点。传统的绿色发光荧光粉(如SiAlON:Eu2+)最初由于其高的发光效率被用作绿光基色，但因为半峰宽过宽使其在应用于背景光源中达不到较大的色域范围(＞90％NTSC＝国家电视系统委员会)。随着卤化物钙钛矿组装工艺的日渐成熟，以及对三维卤化物钙钛矿光电色性质的系统研究，逐步实现了对三维钙钛矿的发射位置，半峰宽和发光效率的可调谐组装。例如，在准本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高纯度窄带绿光发射有机无机杂化卤化铅钙钛矿材料，其特征在于，其分子式为[TMDAP]

【技术特征摘要】
1.一种高纯度窄带绿光发射有机无机杂化卤化铅钙钛矿材料，其特征在于，其分子式为[TMDAP]2Pb3Br10(TMDAP＝N，N，N’，N’，-四甲基-1，3-丙二胺)，属于单斜晶系空间群为P21/c，晶胞参数为α＝γ＝90°，β＝118.7447(10)，Z＝2，晶胞体积为


2.一种如权利要求1所述的高纯度窄带绿光发射有机无机杂化卤化铅钙钛矿材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)将溴化铅和N，N，N’，N’-四甲基1，3-丙二胺溶解于氢溴酸、乙醇和N-甲基甲酰胺混合液中，充分混合；将混合液装入反应容器；
2)将密封好的反应容器放入带有程序控温的电热鼓风干燥箱中，进行水热反应，反应结束后，自...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷晓武，井长青，赵建强，
申请(专利权)人：济宁学院，
类型：发明
国别省市：山东;37