功率放大电路、半导体器件制造技术

本发明专利技术提供功率放大电路、半导体器件，缓和由热应力引起的对功率放大电路的影响。具备：晶体管(101)，形成在半导体基板(301)上；晶体管(111)，形成在半导体基板(301)上，向晶体管(101)供给基于控制电流(Ic)的一部分的偏置电流(Ib)；晶体管(112)，形成在半导体基板(301)上，该晶体管(112)的集电极被供给控制电流(Ic)的一部分，从该晶体管(112)的发射极输出基于电流(I2)的电流(I3)；凸块(201)，与晶体管(101)的发射极电连接，设置为在俯视半导体基板(301)时与配置有晶体管(101)的配置区域(A1)重叠；以及凸块(202)，设置为在俯视时与配置有晶体管(112)的配置区域(A2)重叠。

【技术实现步骤摘要】
功率放大电路、半导体器件
本专利技术涉及功率放大电路以及半导体器件。
技术介绍
移动体通信中的无线频率(RadioFrequency：RF)信号的放大使用功率放大电路。功率放大电路形成为半导体芯片，安装于模块基板。在倒装安装功率放大电路的半导体芯片的情况下，对晶体管施加应力。关于对晶体管施加的应力，在专利文献1中公开了在晶体管动作时缓和由发射极层与柱状凸块的热膨胀系数之差引起的热应力的半导体装置。专利文献1：日本专利第5967317号公报在对晶体管施加的热应力中，具有由覆盖被倒装安装的半导体芯片的树脂模具与被树脂模具覆盖的凸块的热膨胀系数之差引起的热应力。树脂模具所使用的材料的热膨胀系数比凸块所使用的金属材料的热膨胀系数小。因此，在外部温度上升的情况下，与凸块的热膨胀相比，树脂模具的热膨胀变小。通过树脂模具，周围被树脂模具包围的凸块的膨胀被抑制。另一方面，想要进行与温度相应的热膨胀的凸块向凸块的周围施加应力(热应力)。在设置为将功率放大电路的晶体管与模块基板连接的情况下，凸块根据外部温度的变动对功率放大电路的晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率放大电路，具备：/n第一晶体管，形成在半导体基板上；/n第二晶体管，形成在上述半导体基板上，该第二晶体管的基极被供给作为控制电流的一部分的第一电流，该第二晶体管向上述第一晶体管供给基于上述第一电流的偏置电流；/n第三晶体管，形成在上述半导体基板上，该第三晶体管的集电极被供给作为上述控制电流的一部分的第二电流，从该第三晶体管的发射极输出基于上述第二电流的第三电流；/n第一金属部件，与上述第一晶体管的发射极电连接，设置为在俯视上述半导体基板时与配置有上述第一晶体管的第一配置区域重叠；以及/n第二金属部件，设置为在上述俯视时与配置有上述第三晶体管的第二配置区域重叠。/n

【技术特征摘要】
20200205 JP 2020-018150;20200804 JP 2020-1323591.一种功率放大电路，具备：
第一晶体管，形成在半导体基板上；
第二晶体管，形成在上述半导体基板上，该第二晶体管的基极被供给作为控制电流的一部分的第一电流，该第二晶体管向上述第一晶体管供给基于上述第一电流的偏置电流；
第三晶体管，形成在上述半导体基板上，该第三晶体管的集电极被供给作为上述控制电流的一部分的第二电流，从该第三晶体管的发射极输出基于上述第二电流的第三电流；
第一金属部件，与上述第一晶体管的发射极电连接，设置为在俯视上述半导体基板时与配置有上述第一晶体管的第一配置区域重叠；以及
第二金属部件，设置为在上述俯视时与配置有上述第三晶体管的第二配置区域重叠。


2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其中，具备：
第一绝缘膜，设置于上述第一晶体管与上述第一金属部件之间；以及
第二绝缘膜，设置于上述第二晶体管与上述第二金属部件之间，
上述第一金属部件通过形成于上述第一绝缘膜的第一开口部与上述第一晶体管的发射极电连接，
上述第二金属部件通过形成于上述第二绝缘膜的第二开口部与上述第二晶体管的发射极电连接。


3.根据权利要求1或2所述的功率放大电路，其中，
上述第二金属部件设置为在上述俯视时与上述第二晶体管的发射极重叠。


4.根据权利要求1～3中任一项所述的功率放大电路，其中，
上述第一金属部件以及上述第二金属部件是凸块。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的功率放大电路，其中，
上述第一金属部件以及上述第二金属部件的垂直于上述半导体基板的主面的方向上的厚度大致相同。


6.一种半导体器件，具备：
...

【专利技术属性】
技术研发人员：德矢浩章，佐藤秀幸，播磨史生，嶋本健一，田中聪，河野孝透，敷岛稜纪，黑川敦，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：日本;JP