【技术实现步骤摘要】
基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构和异质结器件
本专利技术属于微电子
，具体涉及一种基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构和异质结器件。
技术介绍
近年来，氧化镓(Ga2O3)作为一种新兴的宽禁带氧化物半导体材料引起了科研人员的极大兴趣。氧化镓具有生长成本更低、吸收截止边更短、高击穿场强、禁带宽度更大、高的热稳定性和化学稳定性、以及耐辐照等诸多优点，一直以来都是光电探测领域的研究重点，在日盲紫外探测器以及超高压功率器件等方面有重要的应用前景。在氧化镓的生长过程中，其内易产生缺陷，例如氧空位、镓空位、间隙镓原子、间隙氧原子等，这些非故意掺杂的缺陷不可控，因此，氧化镓的导电性能并不好。而且，氧化镓材料的电子迁移率很低，也是制约氧化镓器件特性的主要因素。为了提高载流子迁移率，可以考虑通过二维电子气的方法，即利用材料异质结的能带不连续，将载流子束缚在二维界面处移动，从而降低晶格散射，以提高载流子迁移率。但是由于Ga2O3材料本身没有压电特性，难以通过应力获得二维电子气界面。专利技术内...
【技术保护点】
1.一种基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构，其特征在于，包括：自下而上依次层叠设置的Ga
【技术特征摘要】
1.一种基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构，其特征在于，包括：自下而上依次层叠设置的Ga2O3层、第一半导体层和第二半导体层，其中，
所述第一半导体层的禁带宽度大于所述Ga2O3层的禁带宽度；
所述第二半导体层的介电常数小于所述第一半导体层的介电常数。
2.根据权利要求1所述的基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构，其特征在于，所述第一半导体层的材料为AlN。
3.根据权利要求2所述的基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构，其特征在于，所述第二半导体层的介电常数≤3.9C2·N-1·M-2。
4.根据权利要求2所述的基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构，其特征在于，所述第二半导体层的材料为二氧化硅、氟硅玻璃、聚四氯乙烯、聚酰亚胺或无定型碳氮薄膜。
5.根据权利要求1所述的基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构，其特征在于，所述第一半导体层的厚度为50-80nm。
6.根据权利要求1所述的基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构，其特征在于，...
【专利技术属性】
技术研发人员：马晓华，陆小力，郑雪峰，王志成，何云龙，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。