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本发明涉及一种基于束缚电荷增强2DEG的氧化镓异质结结构和异质结器件，该异质结结构包括：自下而上依次层叠设置的Ga...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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