微型发光二极管显示器的光学补偿方法及微型发光二极管封装结构技术

一种微型发光二极管显示器的光学补偿方法及微型发光二极管封装结构，配合以异质多晶的晶圆级封装方式，可于像素内或像素间整合发光二极管与控制金属氧化物半导体晶体管可以个别控制每一像素的开关亮度与颜色。其次，可于像素内或像素间整合静电保护二极管可个别保护每一像素免受静电的破坏。藉此可降低连接导线寄生电容的影响提升画质，并可优化显示器的亮度消耗电力提升电力的使用效率。

【技术实现步骤摘要】
微型发光二极管显示器的光学补偿方法及微型发光二极管封装结构
本专利技术涉及一种微型发光二极管显示器的光学补偿方法及微型发光二极管封装结构，尤指一种藉由控制电压以补偿微型发光二极管显示器的方法及微型发光二极管封装结构。
技术介绍
近年来，在高性能显示中越来越多应用有机发光二极管作为电流型发光器件；由于有机发光二极管的自发光特性，相较于液晶屏幕而言，主动矩阵有机发光二极管(Active-matrixorganiclight-emittingdiode；简称AMOLED)具有高对比度、超轻薄、可弯曲等优点，但目前面临着高度均匀性及残像两个主要问题，要解决这两个问题就要考虑补偿技术。首先，与非晶硅薄膜晶体管相比，低温多晶硅薄膜晶体管(LowTemperaturePoly-silicon；简称LTPS)及氧化物薄膜晶体管(oxidethin-filmtransistor；简称OxideTFT)具有更高的迁移率及稳定性，更适合应用于AMOLED显示中。在中小尺寸应用中多采用低温多晶硅薄膜晶体管，而在大尺寸应用中多采用氧化物薄膜晶体管，在大面积玻璃基板上制作的低温多晶硅薄膜晶体管，在不同位置的薄膜晶体管在阈值电压、迁移率等电学参数上具有非均匀性的现象，这种非均匀性会转化为有机发光显示二极管显示器件的电流差异和亮度差异，并被人眼所感知，这就是mura现象。虽然氧化物薄膜晶体管的均匀性较好，但在长时间加压及高温下，其阈值电压会出现漂移，由于显示画面不同，面板各部分薄膜晶体管的阈值漂移量不同，会造成显示亮度差异，由于这种差异与之前显示的图像有关，因此常呈现为残影现象，也就是通常所说的残像。因此，在目前的技术制作中，不管是低温多晶硅薄膜晶体管还是氧化物薄膜晶体管都存在均匀性或稳定性的问题，而且有机发光二极管本身也会随着点亮时间的增加亮度逐渐衰减。由于这些问题难以在现有技术上被克服，因此在设计上需要通过各种补偿技术来解决。综上所述，目前亟需有合适的补偿技术以改善高度均匀性及残像的问题，并有效改善有机发光二极管的亮度衰减的问题。
技术实现思路
有鉴于上述微型发光二极管显示器的缺点，本专利技术的目的在于提供一种微型发光二极管显示器的光学补偿方法及微型发光二极管封装结构，由于影响电流大小的参数有薄膜晶体管迁移率、阈值电压、OLED的驱动电压以及电源电压的大小；因此，本专利技术的补偿技术的主要目的就是要消除这些因素的影响，以使所有像素的亮度达到理想值。为达上述目的，本专利技术提供一种微型发光二极管的光学补偿方法，包括：设置数组像素和数个金属氧化物半导体晶体管于一基板上，每一像素具有红色微发光二极管芯片、绿色微发光二极管芯片及蓝色微发光二极管芯片，并将该些像素等距间隔设置；该红色微发光二极管芯片、该绿色微发光二极管芯片及该蓝色微发光二极管芯片分别对应设置有一个该金属氧化物半导体晶体管；共极连接该些金属氧化物半导体晶体管的源极于一输入电压；连接该些金属氧化物半导体晶体管的一闸极于一闸极驱动电路；藉由一连接线路将每一像素的一端连接至一源极驱动电路，并将每一像素的另一端分别连接于该些金属氧化物半导体晶体管的汲极，连接该源极驱动电路以点亮每一像素的该红色微发光二极管芯片、该绿色微发光二极管芯片及该蓝色微发光二极管芯片并控制亮度；以及通过该闸极驱动电路施加与红色微发光二极管芯片、绿色微发光二极管芯片及蓝色微发光二极管芯片的亮度相对应的电压，并控制流过每一像素的电流来调节亮度。本专利技术同时提供一种微型发光二极管封装结构，用于上述光学补偿方法，该微型发光二极管封装结构连接一输入电压、一源极驱动电路及一闸极驱动电路，该微型发光二极管封装结构包括复数数组排列的封装模块，每一封装模块包括：一基板；数组像素，设置于该基板上，每一像素具有一红色微发光二极管芯片、一绿色微发光二极管芯片及一蓝色微发光二极管芯片，该些像素等距间隔设置；数个金属氧化物半导体晶体管，该红色微发光二极管芯片、该绿色微发光二极管芯片及该蓝色微发光二极管芯片分别对应设置有一个该金属氧化物半导体晶体管，且该些金属氧化物半导体晶体管分别具有一共极连接该输入电压的源极、一连接至该闸极驱动电路的闸极与一汲极；以及一连接线路，每一像素的一端藉由该连接线路连接至该源极驱动电路，且每一像素的另一端分别连接该汲极。本专利技术还提供一种微型发光二极管封装结构，用于上述的光学补偿方法，该微型发光二极管封装结构连接一输入电压、一源极驱动电路及一闸极驱动电路，该微型发光二极管封装结构包括复数数组排列的封装模块，每一封装模块包括：一基板；数个金属氧化物半导体晶体管，嵌入于该基板内；一孔洞，嵌入于该基板内；数组像素，设置于该基板上，每一像素具有一红色微发光二极管芯片、一绿色微发光二极管芯片及一蓝色微发光二极管芯片，该些像素等距间隔设置，该红色微发光二极管芯片、该绿色微发光二极管芯片及该蓝色微发光二极管芯片分别对应设置有一个该金属氧化物半导体晶体管；一金属块，设置于该基板上；一导电膏，通过该导电膏将该红色微发光二极管芯片、该绿色微发光二极管芯片及该蓝色微发光二极管芯片分别与每一金属氧化物半导体晶体管相连接，并通过该导电膏将该孔洞与该金属块相连接；以及一金属层，通过该金属层将该红色微发光二极管芯片的N极与该金属块相连接。本专利技术方法配合以异质多晶的晶圆级封装方式，可于像素内或像素间整合发光二极管与控制金属氧化物半导体晶体管可以个别控制每一像素的开关亮度与颜色。其次，可于像素内或像素间整合静电保护二极管可个别保护每一像素免受静电的破坏。藉此可降低连接导线寄生电容的影响提升画质，并可优化显示器的亮度消耗电力提升电力的使用效率。根据上述诸多优点，并为使审查员对本专利技术能进一步地了解，故揭露一较佳的实施方式如下，配合图式、图号，将本专利技术的构成内容及其所达成的功效详细说明如后。附图说明图1a为本专利技术实施例1的微型发光二极管封装结构的发光面示意图；图1b为本专利技术实施例1的与微型发光二极管封装结构的发光面相对的背面示意图；图1c本为本专利技术实施例1的微型发光二极管封装结构的结构示意图；图2为本专利技术实施例1的电路示意图；图3为本专利技术实施例1的光学补偿方法示意图；图4a为本专利技术实施例2的微型发光二极管封装结构的发光面示意图；图4b为本专利技术实施例2的与微型发光二极管封装结构发光面相对的背面示意图；图4c本为本专利技术实施例2的微型发光二极管封装结构的结构示意图；图5为本专利技术实施例2的电路示意图；图6为本专利技术实施例3的微型发光二极管封装结构的发光面示意图；图7为本专利技术实施例3的微型发光二极管封装结构的结构示意图；图8为本专利技术实施例4的微型发光二极管封装结构的发光面示意图；图9为本专利技术实施例4的微型发光二极管封装结构的结构示意图。符号说明：1微型发光二极管封装结构10基板<本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微型发光二极管显示器的光学补偿方法，其特征在于，该方法包括：/n设置数组像素和数个金属氧化物半导体晶体管于一基板上，每一像素具有红色微发光二极管芯片、绿色微发光二极管芯片及蓝色微发光二极管芯片，并将该些像素等距间隔设置；该红色微发光二极管芯片、该绿色微发光二极管芯片及该蓝色微发光二极管芯片分别对应设置一个该金属氧化物半导体晶体管；/n共极连接该些金属氧化物半导体晶体管的源极于一输入电压；/n连接该些金属氧化物半导体晶体管的一闸极于一闸极驱动电路；/n藉由一连接线路将每一像素的一端连接至一源极驱动电路，并将每一像素的另一端分别连接于该些金属氧化物半导体晶体管的汲极，连接该源极驱动电路以点亮每一像素的该红色微发光二极管芯片、该绿色微发光二极管芯片及该蓝色微发光二极管芯片并控制亮度；以及/n通过该闸极驱动电路施加与红色微发光二极管芯片、绿色微发光二极管芯片及蓝色微发光二极管芯片的亮度相对应的电压，并控制流过每一像素的电流来调节亮度。/n

【技术特征摘要】
1.一种微型发光二极管显示器的光学补偿方法，其特征在于，该方法包括：
设置数组像素和数个金属氧化物半导体晶体管于一基板上，每一像素具有红色微发光二极管芯片、绿色微发光二极管芯片及蓝色微发光二极管芯片，并将该些像素等距间隔设置；该红色微发光二极管芯片、该绿色微发光二极管芯片及该蓝色微发光二极管芯片分别对应设置一个该金属氧化物半导体晶体管；
共极连接该些金属氧化物半导体晶体管的源极于一输入电压；
连接该些金属氧化物半导体晶体管的一闸极于一闸极驱动电路；
藉由一连接线路将每一像素的一端连接至一源极驱动电路，并将每一像素的另一端分别连接于该些金属氧化物半导体晶体管的汲极，连接该源极驱动电路以点亮每一像素的该红色微发光二极管芯片、该绿色微发光二极管芯片及该蓝色微发光二极管芯片并控制亮度；以及
通过该闸极驱动电路施加与红色微发光二极管芯片、绿色微发光二极管芯片及蓝色微发光二极管芯片的亮度相对应的电压，并控制流过每一像素的电流来调节亮度。


2.如权利要求1所述的微型发光二极管显示器的光学补偿方法，其特征在于，该方法更包括通过一时序控制器获得每一像素的时序信号，从一垂直同步信号中获得要显示的一水平同步信号及一RGB信号，依次控制该闸极驱动电路及该源极驱动电路的照明。


3.如权利要求1所述的微型发光二极管显示器的光学补偿方法，其特征在于，该方法更包括通过一运算单元校正每一像素的一正向电压降，将每一像素的该正向压降的信息及有关亮度的颜色不均匀性的信息存储在一内存中。


4.如权利要求3所述的微型发光二极管显示器的光学补偿方法，其特征在于，该方法更包括一数字模拟转换器，通过该数字模拟转换器将与通过计算提供给该闸极驱动电路的颜色有关的数据提供给安装在每一像素上的该些金属氧化物半导体晶体管的该闸极的电压输入。


5.如权利要求3所述的微型发光二极管显示器的光学补偿方法，其特征在于，所述运算单元由一闪存只读存储器、一加法器及一乘法器组成。


6.如权利要求1所述的微型发光二极管显示器的光学补偿方法，其特征在于，所述源极驱动电路在通过一脉波宽度调变进行亮度调整的同时进行每一像素的水平方向控制。


7.一种微型发光二极管封装结构，用于权利要求1-6中任一项所述的光学补偿方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘台徽，岩崎收，
申请(专利权)人：刘台徽，刘仲熙，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71