【技术实现步骤摘要】
显示面板及其制备方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示面板及其制备方法。
技术介绍
有源矩阵有机发光二极管显示(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDisplay，AMOLED)相较于液晶显示(LiquidCrystalDisplay，LCD)，具备高色域、高对比度、可柔性及可穿戴等优点，逐渐成为显示行业的发展趋势。AMOLED器件根据出光方向不同可以分为顶发光和底发光，而底发光AMOLED器件受限于存储电容的不透光性，导致开口率较低。因此，现有底发光AMOLED器件开口率低的问题需要解决。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示面板及其制备方法，以缓解现有底发光AMOLED器件开口率低的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术实施例提供一种显示面板，其包括多个子像素，每个所述子像素包括晶体管区和发光区，所述晶体管区设置有薄膜晶体管，所述发光区设置有存储电容和发光单元，所述发光单元位于所述存储电容上方，且所述发光单元的...
【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括多个子像素，每个所述子像素包括晶体管区和发光区，所述晶体管区设置有薄膜晶体管，所述发光区设置有存储电容和发光单元，所述发光单元位于所述存储电容上方，且所述发光单元的出光面朝向所述存储电容；所述显示面板包括：/n衬底；/n第一金属层，设置于所述衬底上，包括在所述晶体管区形成的两层结构的遮光层，在所述发光区形成的单层结构的第一透明导电电极；/n氧化物半导体层，设置于所述第一金属层上，包括在所述晶体管区形成的所述薄膜晶体管的有源区，在所述发光区形成的第二透明导电电极；/n第二金属层，设置于所述氧化物半导体层上，包括在所述晶体管区形成的所述薄膜晶体...
【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括多个子像素，每个所述子像素包括晶体管区和发光区，所述晶体管区设置有薄膜晶体管，所述发光区设置有存储电容和发光单元，所述发光单元位于所述存储电容上方，且所述发光单元的出光面朝向所述存储电容；所述显示面板包括：
衬底；
第一金属层，设置于所述衬底上，包括在所述晶体管区形成的两层结构的遮光层，在所述发光区形成的单层结构的第一透明导电电极；
氧化物半导体层，设置于所述第一金属层上，包括在所述晶体管区形成的所述薄膜晶体管的有源区，在所述发光区形成的第二透明导电电极；
第二金属层，设置于所述氧化物半导体层上，包括在所述晶体管区形成的所述薄膜晶体管的栅极；以及
第三金属层，设置于所述第二金属层上，包括在所述晶体管区形成的两层结构的源极和漏极，在所述发光区形成的单层结构的第三透明导电电极；
其中，所述第一透明导电电极和所述第三透明导电电极电连接，形成所述存储电容的第一极板，所述第二透明导电电极形成所述存储电容的第二极板。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述源极、所述漏极以及所述遮光层均包括叠层设置的透明导电薄膜和第一金属薄膜，所述第一金属薄膜位于所述透明导电薄膜上。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一透明导电电极和所述第二透明电极均包括所述透明导电薄膜。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，在所述发光区，所述第一金属层、所述氧化物半导体层以及所述第三金属层中的至少一层还包括单层结构的透明导线，所述透明导线与所述发光单元对应设置。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，还包括外部走线区，所述发光区位于所述晶体管区和所述外部走线区之间，所述第一金属层、所述第三金属层中的至少一层还包括在所述外部走线区形成的两层结构的外部走线。
6.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述透明导电薄膜包括铟基、锌基或钛基掺杂的透明氧化物材料形成的薄膜。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括层叠设置于所述第三金属层上的钝化层、平坦化层、像素电极以及像素定义层，其中所述像素定义层形成有第一过孔，所述第一过孔裸露出所述像素电极，所述发光单元设置于所述第一过孔内。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板在所述钝化层和所述平坦化层之间还设置有彩膜层，所述彩膜层对应所述第一过孔设置。
9.根据权利要求8所述的显示面板...
【专利技术属性】
技术研发人员：张乐陶，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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