单片湿法清洗工艺腔的晶圆卡置装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种单片湿法清洗工艺腔的晶圆卡置装置,包括：多个顶针；顶针具有和晶圆的边缘接触的接触面以及位于接触面的两侧的侧面，沿旋转方向上游一侧的侧面为第一侧面。在晶圆夹紧固定在转盘装置上时，晶圆的边缘和接触面接触，第一侧面和晶圆的边缘处的切线成锐角从而形成有利于清洗液在顶针和晶圆的边缘接触位置处流动的结构。本发明专利技术能采用顶针夹紧方式很好的固定晶圆，同时能减少顶针对晶圆表面清洗液流动的不利影响，从而能降低晶圆表面的颗粒缺陷。

【技术实现步骤摘要】
单片湿法清洗工艺腔的晶圆卡置装置
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造设备，特别是涉及一种单片湿法清洗(singleclean)工艺腔的晶圆卡置(chuck)装置。
技术介绍
单片湿法清洗工艺腔中，往往需要采用晶圆(wafer)卡置装置来固定晶圆，晶圆卡置的方式包括真空吸附、静电吸附和顶针(pin)夹紧等。在类似于单片湿法清洗机台的单片湿法清洗工艺腔中，往往采用顶针从晶圆的边缘夹紧晶圆的方式来固定晶圆。例如在后段工艺(BEOL)中的Al配线的制作时需使用型号为NE111的清洗液进行清洗，这时需使用到单片湿法清洗设备进行清洗。主流单片湿法清洗设备中，关键技术在单片湿法清洗工艺腔的晶圆的固定装置即顶针的设计；一种采用顶针夹紧的顶针中，会利用离心力推动顶针加紧wafer。现有方法容易在晶圆表面特别是位于顶针和晶圆的接触位置处形成颗粒缺陷(particledefect，PD)。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种单片湿法清洗工艺腔的晶圆卡置装置，能采用顶针夹紧方式很好的固定晶圆，同时能减少顶针对晶圆表面清洗液流动的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单片湿法清洗工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于：包括多个顶针；/n所述顶针具有和晶圆的边缘接触的接触面以及位于所述接触面的两侧的侧面，沿旋转方向上游一侧的侧面为第一侧面；/n在所述晶圆夹紧固定在晶圆卡置装置上时，所述晶圆的边缘和所述接触面接触，所述第一侧面和所述晶圆的边缘处的切线成锐角从而形成有利于清洗液在所述顶针和所述晶圆的边缘接触位置处流动的结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种单片湿法清洗工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于：包括多个顶针；
所述顶针具有和晶圆的边缘接触的接触面以及位于所述接触面的两侧的侧面，沿旋转方向上游一侧的侧面为第一侧面；
在所述晶圆夹紧固定在晶圆卡置装置上时，所述晶圆的边缘和所述接触面接触，所述第一侧面和所述晶圆的边缘处的切线成锐角从而形成有利于清洗液在所述顶针和所述晶圆的边缘接触位置处流动的结构。


2.如权利要求1所述的单片湿法清洗工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于：所述顶针通过轴承固定在顶针支架上，所述顶针会沿着轴承旋转。


3.如权利要求2所述的单片湿法清洗工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于：所述顶针具有夹紧状态和打开状态；在所述夹紧状态下各所述顶针从晶圆的边缘夹紧所述晶圆并使所述晶圆的固定在所述晶圆卡置装置上；在打开状态下，各所述顶针和所述晶圆的边缘脱离接触。


4.如权利要求3所述的单片湿法清洗工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于：在所述夹紧状态下，所述顶针与所述晶圆为面接触，所述接触面的位于所述接触位置之上的部分会倾斜到所述晶圆上方；
通过缩小所述顶针与所述晶圆接触面的面积尺寸，减小清洗液在所述顶针和所述晶圆的边缘接触位置处流动造成的反溅。


5.如权利要求4所述的单片湿法清洗工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于：所述顶针的尺寸缩小之处的所述接触面向远离所述晶圆一侧的背面移动。


6.如权利要求2所述的单片湿法清洗工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于：所述顶针等间距分布在所述晶圆放置后对应的所述晶圆的边缘上。


7.如权利要求6所述的单片湿法清洗工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于：所述单片湿法清洗工艺腔中的所述顶针的数量包括6个。


8.如权利要求1所述的单片湿法清洗工艺腔的晶圆卡置装置，其特征在于：所述晶圆卡置装置还包括转盘装置；

【专利技术属性】
技术研发人员：李春元，王泽飞，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32