用于薄膜太阳能电池制造的高温蒸发炉制造技术

技术编号:29540605 阅读:41 留言:0更新日期:2021-08-03 15:38
本实用新型专利技术公开了用于薄膜太阳能电池制造的高温蒸发炉,包括导流件、吊装法兰、隔热屏、坩埚、导流加热器、坩埚加热器;隔热屏设在导流件和坩埚外围,导流件为管状空心结构,坩埚是具有一开口的罐状容器,导流件与坩埚通过开口相连通,坩埚相对开口的另一端上设置有向自身内部凹进的凹槽,凹槽内设置有温控仪;导流件的侧壁设有可透射物料的喷孔;导流加热器设置在导流件外围,所述导流加热器设置通过具有绝缘性的固定环设置在导流件与隔热屏之间;坩埚加热器设置在坩埚外围,坩埚加热器设置设置在坩埚与隔热屏之间;隔热屏侧壁设有对应喷孔的通道,吊装法兰将导流件与隔热屏组装固定。优点:炉体小、隔热好、耐高温、结构紧凑。

【技术实现步骤摘要】
用于薄膜太阳能电池制造的高温蒸发炉
本技术涉及用于薄膜太阳能电池制造的高温蒸发炉

技术介绍
铜铟镓硒薄膜太阳能电池光吸收层的制备工艺中,其蒸发过程包括三个阶段:第一阶段:控制衬底温度在200℃~300℃,控制镓的蒸发温度在900℃~1100℃之间,并在第一阶段均匀地降温35℃~45℃,控制铟的蒸发温度在800℃~1000℃之间,并在第一阶段均匀地升温45℃~55℃,控制硒的蒸发温度在200℃~300℃之间;第二阶段:停止蒸发铟和镓,提高衬底温度到450℃~600℃之间,维持硒的蒸发温度与第一阶段相同,控制铜的蒸发温度在1300℃~1500℃之间;第三阶段:停止蒸发铜,维持衬底温度与第二阶段相同,维持硒的蒸发温度与第二阶段相同,控制镓的蒸发温度在900℃~1100℃之间,并在第三阶段均匀地升温35℃~45℃,控制铟的蒸发温度在800℃~1000℃之间,并在第三阶段均匀地降温45℃~55℃;从而得到所述铜铟镓硒薄膜太阳能电池的光吸收层。铜铟镓硒四种单质在不同温度下分阶段蒸发,而铜的蒸发温度相对于硒的蒸发温度高很多,达到1200摄氏本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.用于薄膜太阳能电池制造的高温蒸发炉,其特征是,包括导流件、吊装法兰、隔热屏、坩埚、导流加热器、坩埚加热器;所述隔热屏设在导流件和坩埚外围,所述导流件为管状空心结构,坩埚是具有一开口的罐状容器,导流件与坩埚通过开口相连通,所述坩埚相对开口的另一端上设置有向自身内部凹进的凹槽,所述凹槽内设置有温控仪;所述导流件的侧壁设有可透射物料的喷孔;所述导流加热器设置在导流件外围,所述导流加热器设置通过具有绝缘性的固定环设置在导流件与隔热屏之间;所述坩埚加热器设置在坩埚外围,所述坩埚加热器设置设置在坩埚与隔热屏之间;所述隔热屏侧壁设有对应喷孔的通道,所述吊装法兰将导流件与隔热屏组装固定;所述导流加热器和坩...

【技术特征摘要】
1.用于薄膜太阳能电池制造的高温蒸发炉,其特征是,包括导流件、吊装法兰、隔热屏、坩埚、导流加热器、坩埚加热器;所述隔热屏设在导流件和坩埚外围,所述导流件为管状空心结构,坩埚是具有一开口的罐状容器,导流件与坩埚通过开口相连通,所述坩埚相对开口的另一端上设置有向自身内部凹进的凹槽,所述凹槽内设置有温控仪;所述导流件的侧壁设有可透射物料的喷孔;所述导流加热器设置在导流件外围,所述导流加热器设置通过具有绝缘性的固定环设置在导流件与隔热屏之间;所述坩埚加热器设置在坩埚外围,所述坩埚加热器设置设置在坩埚与隔热屏之间;所述隔热屏侧壁设有对应喷孔的通道,所述吊装法兰将导流件与隔热屏组装固定;所述导流加热器和坩埚加热器均包括加热体和导流加热器电极,加热体连接导流加热器电极,所述导流加热器与导流件采用螺丝连接;所述导流加热器电极的另一端穿过隔热屏延伸在外且该端部上连接有不锈钢片,所述不锈钢片通过导线与电极连接。


2.如权利要求1所述的用于薄膜太阳能电池制造的高温蒸发炉,其特征是:还包括喷头,所述喷头呈喇叭口型,喷头设置在通道内对应喷孔设置。


3.如权利要求1所述的用于薄膜太阳...

【专利技术属性】
技术研发人员:张卫卫朱家宽刘杰鹏
申请(专利权)人:旭科新能源股份有限公司
类型:新型
国别省市:浙江;33

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