磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法技术

本发明专利技术提供一种良好地抑制基板背面的翘曲的磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法。磷化铟基板具有用于形成外延晶体层的主面和主面的相反侧的背面，在使磷化铟基板的背面朝上的状态下测定出的、背面的BOW值为－2.0～2.0μm。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法
本专利技术涉及一种磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法。
技术介绍
磷化铟(InP)是由III族的铟(In)和V族的磷(P)构成的III－V族化合物半导体材料。作为半导体材料的特性，具有如下特征：带隙1.35eV，电子迁移率～5400cm2/V·s，高电场下的电子迁移率成为比硅、稼砷等这样的其他普通的半导体材料高的值。此外，还具有如下特征：常温常压下的稳定的晶体结构为立方闪锌矿型结构，其晶格常数具有比砷化稼(GaAs)、磷化稼(GaP)等化合物半导体大的晶格常数。成为磷化铟基板的原料的磷化铟的锭通常以规定的厚度被切片，磨削成所期望的形状，适当进行了机械研磨后，为了去除研磨屑、由研磨产生的损伤而供于蚀刻、精密研磨(抛光)等。在磷化铟基板的主面，有时通过外延生长设置外延晶体层(专利文献1)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2003－218033号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的问题实施所述外延生长时，通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磷化铟基板，其特征在于，/n所述磷化铟基板具有用于形成外延晶体层的主面和所述主面的相反侧的背面，/n在使所述磷化铟基板的所述背面朝上的状态下测定出的、所述背面的BOW值为－2.0～2.0μm。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20191129 JP 2019-217552;20200427 JP 2020-0786361.一种磷化铟基板，其特征在于，
所述磷化铟基板具有用于形成外延晶体层的主面和所述主面的相反侧的背面，
在使所述磷化铟基板的所述背面朝上的状态下测定出的、所述背面的BOW值为－2.0～2.0μm。


2.根据权利要求1所述的磷化铟基板，其中，
在使所述磷化铟基板的所述背面朝上的状态下测定出的、所述背面的BOW值为－1.5～1.0μm。


3.根据权利要求2所述的磷化铟基板，其中，
在使所述磷化铟基板的所述背面朝上的状态下测定出的、所述背面的BOW值为－0.3～0.9μm。


4.根据权利要求3所述的磷化铟基板，其中，
在使所述磷化铟基板的所述背面朝上的状态下测定出的、所述背面的BOW值为－0.3～0.9μm，基板的直径为100mm以下。


5.根据权利要求3所述的磷化铟基板，其中，
在使所述磷化铟基板的所述背面朝上的状态下测定出的、所述背面的BOW值为－0.3～0.5μm，基板的直径为76.2mm以下。


6.根据权利要求3所述的磷化铟基板，其中，
在使所述磷化铟基板的所述背面朝上的状态下测定出的、所述背面的BOW值为0.0～0.7μm，基板的直径为50.8mm以下。


7.根据权利要求1～6中任一项所述的磷化铟基板，其中，
在使所述磷化铟基板的所述背面朝上的状态下测定出的、所述背面的SORI值为2.5μm以下。


8.根据权利要求7所述的磷化铟基板，其中，
在使所述磷化铟基板的...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈俊介，栗田英树，铃木健二，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP