磁性存储器装置制造方法及图纸

一种磁性存储器装置，包括：下接触插塞，其位于衬底上；以及数据存储结构，其位于下接触插塞上。数据存储结构包括顺序地堆叠在下接触插塞上的底部电极、磁性隧道结图案和顶部电极。下接触插塞和数据存储结构在与衬底的顶表面垂直的第一方向上分别具有第一厚度和第二厚度。下接触插塞的第一厚度为数据存储结构的第二厚度的大约2.0倍至3.6倍。

【技术实现步骤摘要】
磁性存储器装置相关申请的交叉引用本申请要求于2020年1月31日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2020-0012067的优先权，该申请的公开以引用方式全部并入本文中。
本专利技术构思涉及一种包括磁性隧道结的磁性存储器装置及其制造方法。
技术介绍
随着电子产品趋向于更高的速度和/或更低的功耗，对于结合在电子产品中的半导体存储器装置，可能越来越需要更高的速度和更低的工作电压。为了满足上述需求，已经开发了磁性存储器装置作为半导体存储器装置。因为磁性存储器装置可以以高速操作并且具有非易失性特性，所以磁性存储器装置作为下一代半导体存储器装置引起了相当大的关注。通常，磁性存储器装置可以包括磁性隧道结图案(MTJ)。磁性隧道结图案包括两个磁性结构和插设在两个磁性结构之间的绝缘层。磁性隧道结图案的电阻根据两个磁性结构的磁化方向而变化。例如，磁性隧道结图案可以在两个磁性结构的磁化方向方向反向平行时具有高电阻状态，并且在两个磁性结构的磁化方向平行时具有低电阻状态。磁性存储器装置可以使用磁性隧道结的高电阻状态与低电阻状态之间的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁性存储器装置，包括：/n下接触插塞，其位于衬底上；以及/n数据存储结构，其位于所述下接触插塞上，/n其中，所述数据存储结构包括顺序地堆叠在所述下接触插塞上的底部电极、磁性隧道结图案和顶部电极，并且/n其中，所述下接触插塞和所述数据存储结构在与所述衬底的顶表面垂直的第一方向上分别具有第一厚度和第二厚度，/n其中，所述下接触插塞的所述第一厚度为所述数据存储结构的所述第二厚度的2.0倍至3.6倍。/n

【技术特征摘要】
20200131 KR 10-2020-00120671.一种磁性存储器装置，包括：
下接触插塞，其位于衬底上；以及
数据存储结构，其位于所述下接触插塞上，
其中，所述数据存储结构包括顺序地堆叠在所述下接触插塞上的底部电极、磁性隧道结图案和顶部电极，并且
其中，所述下接触插塞和所述数据存储结构在与所述衬底的顶表面垂直的第一方向上分别具有第一厚度和第二厚度，
其中，所述下接触插塞的所述第一厚度为所述数据存储结构的所述第二厚度的2.0倍至3.6倍。


2.根据权利要求1所述的磁性存储器装置，还包括：
下线，其位于所述衬底与所述下接触插塞之间，其中，所述下线将所述下接触插塞连接到选择元件；以及
上线，其位于所述数据存储结构上，其中，所述上线将所述数据存储结构连接到位线。


3.根据权利要求2所述的磁性存储器装置，其中：
所述下接触插塞的底表面与所述下线接触；
所述下接触插塞的顶表面与所述数据存储结构的所述底部电极接触；以及
所述第一厚度限定在所述下接触插塞的底表面与所述下接触插塞的顶表面之间。


4.根据权利要求2所述的磁性存储器装置，其中：
所述底部电极的底表面与所述下接触插塞接触；
所述顶部电极的顶表面与所述上线接触；
所述磁性隧道结图案位于所述底部电极与所述顶部电极之间；并且
所述第二厚度限定在所述底部电极的底表面与所述顶部电极的顶表面之间。


5.根据权利要求2所述的磁性存储器装置，其中，所述上线延伸到所述顶部电极的顶表面上，并且延伸到所述顶部电极的侧表面的一部分上。


6.根据权利要求2所述的磁性存储器装置，其中，所述上线在所述第一方向上具有第三厚度，并且其中，所述上线的所述第三厚度为所述数据存储结构的所述第二厚度的1.0倍至2.2倍。


7.根据权利要求6所述的磁性存储器装置，其中：
所述上线的底表面与所述数据存储结构的所述顶部电极接触；并且
所述第三厚度限定在所述上线的底表面与所述上线的顶表面之间。


8.根据权利要求2所述的磁性存储器装置，还包括：
第一下层间介电层，其位于所述衬底上，并且覆盖所述下线；
第二下层间介电层，其位于所述第一下层间介电层上，并且覆盖所述下接触插塞；以及
下介电层，其位于所述第一下层间介电层与所述第二下层间介电层之间，
其中，所述数据存储结构位于所述第二下层间介电层上，
其中，所述下接触插塞穿透所述第二下层间介电层和所述下介电层，并且接触所述下线，并且
其中，所述第二下层间介电层包括位于所述数据存储结构的一侧的凹部，
其中，所述第二下层间介电层的所述凹部的最下表面比所述下接触插塞的顶表面更靠近所述衬底。


9.根据权利要求8所述的磁性存储器装置，其中：
所述衬底包括单元区和外围电路区；
所述下线、所述下接触插塞、所述数据存储结构和所述上线位于所述单元区上；
所述第一下层间介电层和所述第二下层间介电层以及所述下介电层覆盖所述单元区和所述外围电路区；并且
所述第二下层间介电层的位于所述外围电路区上的顶表面比所述第二下层间介电层的位于所述单元区上的所述凹部的最下表面更靠近所述衬底。


10.根据权利要求9所述的磁性存储器装置，还包括：
第一上层间介电层，其位于所述第二下层间介电层上，并且覆盖所述数据存储结构；
第二上层间介电层，其位...

【专利技术属性】
技术研发人员：金容才，郑求训，高宽协，权倍成，南坰兑，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR